Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков

Авторы патента:

H01L21/304 - механическая обработка, например шлифование, полирование, резка

Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Наполнитель - 15 - 30 Загуститель - 5 - 10 Ортофосфорная кислота - 0,06 - 12 Комплексообразователь - 0,003 - 6,4 Вода - Остальное

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано в электронной промышленности для утонения полупроводниковых кристаллов без повреждения годных активных и пассивных элементов

Устройство для бесцентрового шлифования изделий различного диаметра // 1784105

Способ утонения полупроводниковых структур // 1766212

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве высокочастотных интегральных схем и приборов на стадии утонения подложки с нерабочей стороны до толщины 30 мкм и более

Способ изготовления полупроводниковых структур // 1738035

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при механическом утонении полупроводниковых структур при производстве полупроводниковых приборов

Способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины // 1340492

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии

Способ изготовления пластин // 1241940

Устройство для шлифования монокристаллов // 1213907

Устройство для изготовления фаски на круглых пластинах // 1123474

Изобретение относится к механической обработке твердых хрупких тел и может быть использовано для формирования фаски на круглых полупроводниковых пластинах и кристаллах

Устройство для шлифования микрокристаллов // 1116913

Способ получения полупроводниковых приборов с переменной емкостью // 510059

Устройство для обработки кромок пластин // 2109370

Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины // 2137251

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов

Способ одновременной обработки кромок пластин и устройство для его осуществления // 2143156

Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин // 2163408

Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин // 2168796

Абразив из оксида церия и способ полирования подложек // 2178599

Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек

Способ резки объемных монокристаллов карбида кремния // 2202135

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения

Способ позиционирования пластин из полупроводниковых материалов в координатной системе отсчета установки для абразивной резки пластин на "чип"ы // 2220474

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы)

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин // 2224330

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ получения пластин для солнечных элементов из мультикристаллического кремния // 2231867

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)