Патент ссср 181205

Авторы патента:

H01L31 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

H01L29/94 - конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой

1 !

БИБЛМОТЕКЛ

) ) ! !!! ((! : ! ; :I,!,! I: . " :I,I; И)ОТ!)k О)(,,, 1,-,),!) ) ! ()(),, )! ) l)!

):.! () )! 3 )? ); )!, . )1(! (!,, (.; ) )): (,!); !

) !! )((! ii . I .: 1;l 1 1.л,1 !iO, l!ii .,!, Ic: j!I;:i,;!! ii,)!

) i!. I ) ) !(i!) ;, i )!:i). j! ) ((-! );, Г ;! (О(I:i. ..) . I !, J! 0, i i! I:! 1((, (;(!,; .(;".f J ll l . РК;: ic!I " i . л! (: I I . I :,) f ; i i, 1: (I I j) I i I! 3 I! I !; I . !: :l:lO)iI 1. (.() ) (,) ((! ! . 1:!. !)) !. ;.! ), :;;). !) : ), ))((()!),!:((Г(. (! ),, !) !, ) )!.,I () (()!. !)! (Г :l!! il I ) II li:. в (:(! и )ioi .(;(!l(jo Г((т()и. :0)3 вя)(ае)ея

:..., о-:т!! (3 Г(1:i;i;!.во((а j- вЂ” -10 > ) 4 ;I! ! зле!"!"! 0! в " (в Г(1) От! (воп())(о)л- .

:С;; Г 1(,)(:-.;.-, Ц() (-(J.1П(В(Л(1! ПО В) .-). 11 (i). () )) ll J 1(! 1 Е )!() 1, С O(),);(о()ц -,, .,,," f)o)! п1)1()ев)т". (ko :1ТГ)(,тпя„ив;.i(. 1 (! по-,(е ц;:етев в (;opj(1)Oе в е»),;оц !

),, ! ), I,l:(i. О,,;С}, i:) ci(I(,((:.ОЗ(()ф,".!,1)-!

)),),:()!.. (; л, ("..:(001;(li! 3(1!I. )!. в(31 сoп1)4с т, (!оте f (c и нв свету, вв(-;,, (;,, (((О.,-вй С, ii.:! = f! (;.ЯК О-.НОВ Te,1((JO -..ВЕ:.(,, -- 10)},:. 1, тхс (J З.ве,„..p(f е: 01: ).)О);.С!..? 0 .С(Гь;) В(()ТO()) ((В i! В ;; ),1! (), : !, )(,11(),! !! I)О)(I i! „., .1,,1 в i с. Г п.":с) (.: р е I : .. (1:. .)()) i I, "! в; !) воi(I i(i ((I(kj)),. ))((j 1 ()1()(f i (: f; )?!.,, i c. ij) O Г 0 ((! (3 Е 1 ", 1 ГС (-11() ((), ): ..).! ) .. Т) 1;(. От:;a, !)1T}(J)((l!), ..с! тЕ,. В1С) !

J, :: .)(. i:,I (. I (!((I; (.3((СС) !.(:J(= O ii ВЕ ГВ) f ! }!В"

; Р i )},)(1:1; (1,) "(Ов (j)(ij(!IÐ(lто()j 11(1. е((1)()(т IЯ, ) )1,((f oo,:(е)(ст(311". (((k оп)) (Г1(1!1,)Гс}1, 1) отI, "!:(. !! I . 1 i!(i!1 13! ((I(7,11(евв (.,Д (13?10((т )H (Oе(<1(М

), (! Т! " ((I! 101 O !) 1!) : 1 0((И 11 J(1

; Г:)-f;(;;:в(;(о-.! е)(»3 ((!(де еетк!1 пз (e(,,(.1 ) 1 :! . ...ii. ))1 ;:, "013. ((О(1(,if(:i! KoT01)(-.1:i )(i. I(L(ji) ),} . 1 (!, ) : ) )I((!))I (iijifj !10!. !(jP (С Й фО(())01)ПI.

Составитель О. 5. Федюкина

Редактор И, (. Карпас Техред Л. К. Ткаченко Корректоры: l0, М, Федулова и Л, 8. Тюняев@

Заказ 1545/10 Тираж 1550 Формат бум. 60)(90 /8 Объем 0,1 изд, л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Бесконтактный способ включения фотосопротивления // 175094

Пленочный фотовольтаический элемент // 174731

Способ изготовления фоточувствительнб1х слоев // 170584

Вентильный фотоэлемент // 168370

Способ защиты рабочей поверхности солнечныхбатарей // 167263

Патент 161439 // 161439

Патент 156626 // 156626

Патент 150955 // 150955

Полупроводниковый конденсатор // 166074

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем // 2195048

Полупроводниковый управляемый нелинейный конденсатор (варикап) // 278886

Полупроводниковый варикап // 367488

Полупроводниковый прибор // 997581

Интегральный регулируемый конденсатор // 1106366

Мдп-конденсатор // 1795837

Интегральная индуктивность с расширенным частотным диапазоном // 2641719

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в ВЧ и СВЧ устройствах усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре интегральных микросхем различного функционального назначения (например, избирательных усилителях, смесителях, генераторах и т.п.). Интегральная индуктивность с расширенным частотным диапазоном содержит первый (1) и второй (2) выводы, металлическую пленку индуктивности (3), расположенную между первым (1) и вторым (2) выводами индуктивности, первую (4) и вторую (5) не связанные друг с другом секции металлического экрана, расположенные под металлической пленкой индуктивности (3) и не имеющие с ней электрического контакта, первый (6) и второй (7) широкополосные усилители. В качестве первого (6) и второго (7) широкополосных усилителей используются неинвертирующие усилители тока с низким входным и высоким выходным сопротивлениями, причем вход первого (6) широкополосного усилителя тока соединен с первой (4) секцией металлического экрана, а его выход связан с первым (1) выводом индуктивности, вход второго (7) широкополосного усилителя тока соединен со второй (5) секцией металлического экрана, а его выход связан со вторым (2) выводом индуктивности. Расширение диапазона рабочих частот интегральной индуктивности является техническим результатом изобретения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Фотоэлектрический потенциометр // 2100875

Изобретение относится к электротехнике, в частности к конструированию фотоэлектрических потенциометров для следящих систем, и может быть использовано при изготовлении датчиков угловых и линейных перемещений для устройств автоматики и вычислительной техники

Лавинный детектор // 2102820

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам с внутренним усилием сигнала, и может быть использовано для регистрации слабых потоков излучения и ядерных частиц