Полупроводниковый лазер с электрической накачкой

 

О П И С А Н И Е (ii) ISI737

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ йоюз Советских

Социалистических республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 30.03.65 (21) 950840/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.75. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 15.09.75 (51) М. Кл. Н 03b 3/09

Государственный комите1 авеста Министров СССР ло делам изобретений н открытий (53) УДК 621.375.8 (088.8) у а И Ю М +

Ж. И. Алферов и P. Ф. Казаринов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Физико-технический институт им. А. Ф. Иофф (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

НАКАЧКОЙ

Уже известно использование р †/ — и структур при построении рабочего тела полупроводникового лазера. Однако такие устройства не обеспечивают непрерывный режим работы при повышенных температурах.

Предлагаемый полупроводниковый лазер с электрической накачкой выполнен в виде монокристальной структуры р — — n (р+ — и — и+, n+ — р — р+) и ширина запрещенной зоны в крайних (р, p+), (n„n+) слоях (эмиттерах) больше ширины в среднем (i, р, n) слое. Такое выполнение лазера позволило увеличить излучательную поверхность и использовать новые материалы в различных областях спектра.

В качестве эмиттеров полупроводниковых материалов используются такие, ширина запретной зоны которых превышает ширину зоны в основном материале, что повышает к. п. д. устройства.

Структуры p+ — n — и+ на основе фосфида галлия и сульфида кадмия в качестве эмиттеров и селенида кадмия в качестве активного вещества при той же геометрии позволяют осуществить лазер в видимой части спектра с пороговой плотностью тока порядка 100 а/см .

Большим преимуществом такой системы является то обстоятельство, что поглощение воз5 никающего излучения в пассивных областях может быть сведено к минимуму. Межзонное поглощение вынужденного излучения отсутствует вследствие большой ширины запрещенной зоны в эмиттерах.

10 В активном слое с меньшей шириной запрещенной зоны концентрации инъектированных носителей будут достаточными для инверсии населенности краев зоны.

Предмет изобретения

Полупроводниковый лазер с электрической накачкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения излучательной поверхности и использования новых материалов в различ2Э ных областях спектра, он выполнен в виде монокристальной структуры p — t, — и (p+ — п—

n+, и+ — р — p+) и ширина запрещенной зоны в крайних (р, p+), (и, и+) слоях (эмиттерах) больше ширины в среднем (i, р, n) слое,

Полупроводниковый лазер с электрической накачкой 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным лазерам и лазерным диодным линейкам

Изобретение относится к лазерному устройству с нитридным полупроводником

Изобретение относится к устройствам квантовой электроники и электрофизики, а более конкретно к полупроводниковым электроразрядным лазерам (ПЭЛ), возбуждаемым импульсами высокого напряжения, и может быть использовано в устройствах оптоэлектроники, оптической связи, при исследовании быстропротекающих процессов в биологических тканях и регистрирующих приборах

Изобретение относится к квантовой электронике и электронной технике и может быть использовано в приборах со сканирующим световым лучом. Лазерная электронно-лучевая трубка выполнена в виде вакуумируемой колбы с выходным оптическим окном и имеет электронно-оптическую ось, вдоль которой последовательно расположены источник электронов, система электродов для формирования электронного пучка и активная пластина с высокоотражающим покрытием на первой своей поверхности, закрепленная на хладопроводящей подложке. Вне трубки размещены системы фокусировки и отклонения электронного пучка. В колбе размещены отражающие элементы в виде вогнутого отражателя с оптической осью и плоского отражателя, которые вместе с высокоотражающим покрытием формируют оптический резонатор лазерной электронно-лучевой трубки с активной пластиной внутри этого резонатора. Оптическое окно колбы является плоским отражателем с отражающим покрытием на внутренней поверхности, которое является высокоотражающим на части этой поверхности и частично пропускающим на остальной части поверхности для излучения активной пластины. Технический результат заключается в улучшении направленности и увеличении мощности сканирующего лазерного луча. 11 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ и устройства, его реализующие, основаны на особенности излучателей полупроводниковых лазеров, заключающейся в том, что с увеличением температуры излучателя для сохранения выходных параметров (мощности, силы излучения) на требуемом для работы уровне необходимо увеличивать ток накачки излучателя, при снижении температуры излучателя необходимо уменьшать ток накачки излучателя. Напряжение на емкостном накопителе энергии изменяется при изменении температуры излучателя по заранее определенному закону, что обеспечивает протекание через излучатель тока накачки, необходимого для поддержания мощности излучения в требуемых для работы пределах. Технический результат - упрощение способа и устройства накачки излучателя полупроводникового лазера, обеспечивающих поддержание мощности излучения в определенных пределах при воздействии дестабилизирующего фактора - температуры. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области оптических измерительных приборов и может быть использовано в оптических интерферометрических датчиках с полупроводниковыми источниками оптического излучения для формирования оптических импульсов и частотной модуляции оптической несущей без использования дополнительных амплитудных, частотных и фазовых модуляторов. Способ решает задачу упрощения формирования оптического сигнала для опроса оптических интерферометрических датчиков за счет одновременного формирования оптических импульсов и частотной модуляции, без использования дополнительных внешних модуляторов оптического излучения, с сохранением одинаковой амплитуды оптических импульсов. Для этого на полупроводниковый лазерный источник оптического излучения направляют электрический сигнал в виде последовательности прямоугольных импульсов одинаковой амплитуды, со скважностью, которую изменяют пропорционально частоте модуляции. 5 ил.
Наверх