Фотополупроводниковое устройство


H01L51 - Приборы на твердом теле, предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения или конденсаторы или резисторы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или поверхностным барьером; с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части; способы или устройства специально предназначенные для производства или обработки таких приборов или их частей (способы или устройства для обработки неорганических полупроводниковых тел, включающей в себя образование или обработку органических слоев на них H01L 21/00,H01L 21/312,H01L 21/47)

 

Сова Советских

Социалистических

Республик

РИЯ! от<>Рсчому свидетельств

21, 11/02

21, 29,01

Заьисимое от:BT. сзидетельства Л =

I

Заявлено 27Л 11.1963 (№ 849342/26-25) с присоединением заявки М

М!ilc, И 01i, Н Oli

" 1,1 621 383:537.311 Зо (088.8) Приоритет

Опубликовано 11,Õ,1966, Бюллетень Л" 20

Комитет оо делам изобретеиий и открытий ори Совете Мкиистрое

СССР

Дата опубликования описания 28.Х!.1966

Авторы изобретения Ф. A. Левина, В. С. Мыльников, Г. И. Рыбалко, Д-1т. Б.

A. М. Сладков, A. И. 1 еренин и Л. 1О. Ухин

3 а я в! 1 ген I

ФО1 ОПОЛУН РОВОДИ К:- .,ОВОЕ УСТРОЙСТВО

Че — С С вЂ” R или

Ме — С:-С вЂ” К вЂ” С - С Ме (2) Извес-но применение органическHx полупров дников для изготовления электрофотографических слоев, в частности полиинов общей формулы К вЂ” (С С),. — К где и =- 2, R и К вЂ” органические радикалы.

Предложено фотополупроводниковое устроНсТВ0, в котором, c He

Лцетилениды металлов (1) и (2) чувствительны в видимой, ультрафиолетовой и рентгеновской областях спектра и могут применятьа и чистом виде и со связующими веществами.

Злектрофотографические слои, приготовленные в виде суспензии таких ацетиленидов в

5 полимерных связу:ощих, хорошо сохраняют положительные и отрицательные заряды.

Предмет изобретения

Фотополупро"-одниковое устройство с орга10 ническим чувствительным элементом, отлитаю иееся тем, что, с целью повышения его чувствительности, чувствительный элемент выполнгнот из ацетпленидов мста Iлов общей формулы

15 т, .Ле — С (— К или

Ме — С вЂ” С---К -С: С- — Ме, где R и R — органические радикалы, содер жащие илп не содержащие функциональные

20 группы, Ме — металл.

Фотополупроводниковое устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при разработке фотоприемников ИК диапазона на основе твердых растворов CdxHg1-xTe

 // 336898

 // 341116
Изобретение относится к технологии получения тонких ( 0,1 мкм) магнитных пленок (ТМП) с применением метода имплантации ионов магнитных элементов в материал подложки и может быть использовано в микроэлектронике и информатике, в частности, для изготовления магнитных и магнитооптических запоминающих сред

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полевого транзистора с изолированным затвором, и может быть использовано в силовой промышленной электронике и электротехнике при производстве приборов управления токами большой величины

Изобретение относится к способу получения электрода в тонкопленочном полупроводниковом устройстве на основе органических соединений, в котором полупроводниковым устройством, в частности, является выпрямительный диод с высоким коэффициентом выпрямления или тонкопленочный транзистор на основе углерода или гибридный транзистор на органических и неорганических тонких пленках, и к способу получения выполненного на основе органических соединений тонкопленочного выпрямительного диода с высоким коэффициентом выпрямления, согласно которому выпрямительный диод содержит первый слой и второй слой, предусмотренный на первом слое, совместно формирующие анод выпрямительного диода, третий слой полупроводящего органического материала, предусмотренного поверх анода, образующий активный полупроводниковый материал диода, и четвертый слой металла, предусмотренный структурированным или неструктурированным поверх третьего слоя, образующий катод выпрямительного диода

Изобретение относится к области электротехники, в частности к полимерной композиции, содержащей по меньшей мере один по существу непроводящий полимер и по меньшей мере один электропроводящий наполнитель, в форме гранул, причем гранулы предпочтительно имеют размер в интервале до 1 мм, более предпочтительно между 0,04 и 0,2 мм, при объемном соотношении проводника и полимера предпочтительно от 3:1 до 15:1

Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению

Изобретение относится к наноэлектронному приборостроению
Наверх