Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов yba2cu3o7-

 

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов YBa2Cu3O7- Использование: в области высокотемпературных сверхпроводников - ВТСП. Способ включает расплавление оксидов иттрия (III), меди (II) и бария (II) в корундовом тигле на воздухе, выдержку расплава и его охлаждение со скоростью 1 - 4 град/ч до затвердевания. Извлеченные кристаллы отжигают при 420 - 480°С в течение 24 - 72 ч под давлением кислорода величиной 3 - 4 атм. Полученные кристаллы имеют температуру сверхпроводящего перехода Tc= 90K и величину этого перехода Tc 0,5K. Способ экономичен. 1 табл.

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), в частности YBa2Cu3O7- . Цель изобретения - улучшение сверхпроводящих свойств материала (Тс. = 90 К, Тс0,5 К) без удорожания процесса (т.е. без замены корундовых тиглей на платиновые). Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов YBa2Cu3O7-включающем расплавление смеси оксида иттрия (III), меди (II) и бария (II) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм. Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, указанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется возможностями аппаратуры. П р и м е р. В коpундовые высокоплотные тигли помещают навеску массой 1000 г. В качестве исходных компонентов использовались ВаО "осч" Y2O3 "осч", CuO "чда", которые перемешивают при соотношении, мол.%: YO1,5 2-4 BaO 17,8-29 CuO 69-78. В указанной области концентраций в приведенном ниже режиме росли наиболее крупные кристаллы (2-3) х (2-4) (0,1-0,07) мм3. Принадлежность кристаллов фазе YBa2Cu3O7- подтверждалась рентгенофазовым анализом. Тигель с шихтой помещался в печь электросопротивления. Синтез проводился в следующем режиме: нагревание со скоростью 50 град/ч до 1030оС, выдержка при Т = 1030оС в течение 1,5-3,0 ч при реверсивном вращении тигля. Охлаждение со скоростью 2 град/ч в интервале 1030-880оС, со скоростью 50 град/ч от 880 до 400оС и далее в режиме выключенной печи. Монокристаллы освобождались от затвердевшего расплава выкалыванием и отжигались в условиях, приведенных в таблице. Таким образом изменив по сравнению с прототипом условия отжига, удалось без замены корундовых тиглей на платиновые улучшить сверхпроводящие характеристики до уровня лучших на сегодняшний день образцов.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ YBa2Cu3O7-, включающий расплавление смеси оксидов иттрия (III), меди (II) и бария (II) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1 - 4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и их отжиг, в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения сверхпроводящих свойств без удорожания процесса, отжиг кристаллов ведут под давлением кислорода величиной 3 - 4 атм.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 29-2000

Извещение опубликовано: 20.10.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов гематита а - РеаОз и позволяет увеличить размеры монокристаллов в направлении тригональной оси

Изобретение относится к области технологии выращивания монокристаллов со сверхпроводимостью

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников - ВТСП на основе металлооксидов и может быть использовано в микроэлектронике

Изобретение относится к получению ферромагнитных монокристаллических материалов с гексагональной структурой, применяемых в электронике

Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам, используемым для создания твердотельных СВЧ-приборов, работающих в диапазоне сантиметровых длин волн 9 30 ГГц

Изобретение относится к технологии получения кристаллов оксидных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), содержащих достаточно крупные моноблоки, пригодные для комплексных прецезионных физических исследований в области физики ВТСП, и обеспечивает получение в кристаллах моноблоков размером более 1x1x0,1 мм°

Изобретение относится к области сцинтилляционной техники и предназначено для регистрации и спектрометрии гамма-квантов и других элементарных частиц, в частности к способам термообработки кристаллов германата висмута

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов и может быть использовано при промышленном производстве кристаллов, находящих все более широкое применение в науке и технике

Изобретение относится к технологии обработки нового класса материалов, обладающих сверхпроводимостью при высоких температурах-ВТСП, более конкретно к их высокотемпературной обработке в активной атмосфере

Изобретение относится к области облагораживания бесцветных разновидностей пренита и позволяет получить из некондиционного сырья высококачественные ювелирные разности

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации

Изобретение относится к технологии тонкой обработки природных и синтетических ювелирных камней, точнее к их окраске , а конкретно к технологии окраски бесцветной разновидности корундо-лейкосапфира

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений, может использоваться в производстве сптоэлектронных приборов и интегральных схем, обеспечивает улучшение структурного совершенства кристалла Способ включает нагрев монокристалла до 750-800°С в атмосфере инертного газа при давлении 3- 15 атм, выдержку 60-120 мин, охлаждение и при 200-300°С снижение давления до атмосферного со скоростью 0,3-3,0 атм/мин

Изобретение относится к получению монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов, обеспечивает сокращение времени процесса

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, лазерной силовой оптике , в детекторах ионизирующих излучений
Наверх