Двухтактный эмиттерный повторитель
Изобретение относится к радиотехнике . Цель изобретения - повышение КПД. Двухтактный эмиттерный повторитель содержит транзисторы 1, 2, цепь из параллельно включенных прямосмещенного диода 3 и резистора 4, генератор тока 5, резистор 6. Благодаря этому достигается гальваническая развязка первого и второго транзисторов 1 и 2 и повышение КПД путем уменьшения тока покоя. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
П 9) I I I I (sI)s Н 03 F 3/26
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) зфд,;9-,,„---..
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ПАТЕНТУ (21} 4846149/09 (22) 02.07.90 (46) 23.03.93. Бюл. М 11 (71) Научно-производственное объединение
"МИОН" (72) В.П.Акопов и В.Э,Осипов (73) В.П.Акопов (56) Авторское свидетельство СССР
ЬЬ 232323, кл. Н 03 F 3/50, 1967. (54) ДВУХТАКТНЫЙ ЭМИТТЕРНЫЙ. ПОВТОРИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике, Цель изобретения — повышение КПД.
Двухтактный эмиттерный повторитель содержит транзисторы 1, 2, цепь иэ параллельно включенных прямосмещенного диода 3 и резистора 4, генератор тока 5, резистор 6. Благодаря этому достигается гальваническая развязка первого и второоров 1 и 2 и повышение КПД ьшения тока покоя, 1 ил.
1804695
Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться B устройствах автоматики, измерительной техники, радиотехнических устройствах различного назначения.
Цель изобретения — повышение КПД.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного эмиттерного повторителя.
Двухтактный эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и
2, прямосмещенный диод 3, первый резистор 4, генератор тока (ГТ) 5, второй резистор 6, шины 7и8 питания,,входные и выходные шины 9 и 10.
Двухтактный эмиттерный повторитель содержит первый и второй транзисторы 1 и
2, прямосмещенный диод 3, первый рез 1стор 4, генератор тока (ГТ) 5, второй резистор 6, шины 7 и 8 питания, входные и выходные шины 9 и 10, Двухтактный эмиттерный повторитель рабртает следующим образом.
При отсутствии сигнала на базу транзистора 1 подают потенциал, содержащий этот транзистор 1 в начальном проводящем
СОСТОЯНИИ.
Величина тока покоя, протекающего через транзистор 2 и цепь из параллельно включенных диода 3 и резистора 4, выбрана такой, что падение напряжения на резисторе 4/номлнал которого сравним по порядку номиналом нагрузки/равно напряжение отпирания диода 3, причем основная часть тока покоя протекает через резистор 4, Сама же величина тока покоя определяется падением напряжения на резисторе 6, которое, в свою очередь, определяется величиной тока, формируемого ГТ 5. Таким образом, величина тока покоя транзистора
1 будет равна сумме тока, формируемого ГТ
5, и тока покоя, протекающего через транзистор 2;диод 3 и резистор 4.
С возрастанием амплитуды положительной полуволны сигнала проводимость транзистора 1 возрастает, что приводит к возрастанию тока в его эмиттерной цепи, одновременно вызывая некоторое увеличение падения напряжения на прямосмешенном диоде 3. На ту же величину уменьшается падение напряжения на прямосмещенном баэо-эмиттерном переходе транзистора 2. Однако запирания транзистора 2 не происходит,.т.к, в соответствии с законом Кирхгофа и ввиду постоянства величины тока, формируемого ГТ 5, наряду с уменьшением базового тока транзистора 2 на ту же величину возрастает ток, протекающий через резиотор 6, что приводит к увеличению падения напряжения на нем и
10 препятствует резкому запиранию транзистора 2., С другой стороны, уменьшающийся базовый ток транзистора 2 будет, как минимум, на порядок меньше возрастающего эмиттерн ого тока транзистора 1/т, к. 1э =/3! г,/, поэтому уменьшающийся базовый ток транзистора 2 не приведет к какому-либо измерению режима работы транзистора 1 и, соответственно, не вызовет изменения формы выходного сигнала.
С убыванием амплитуды отрицательной полуволны сигнала потенциал на базе тран15 зистора 1, а следовательно, и потенциал на его эмиттере уменьшаются, Но на такую же величину уменьшается и потенциал на базе транзистора 2, т.к. транзистор 1, резистор 6 и ГТ образуют транслятор уровня. Если
20 величина тока, задаваемая ГТ 5, выбрана на порядок больше величины максимального базового тока транзистора 2 при максимальной амплитуде отрицательной полуволны сигнала, тогда при максимальном башовом токе транзистора 2 падение напряжения на резисторе 2 не уменьшится на такую величину, при которой ток, протекает от эмиттера транзистора 1 через резистор 4 на выход схемы, не меняет своего знака и не становится равным нулю. При этом несмотря на запирание диода 3. шунтированного небольшим по номиналу резистора 4, потенциал на эмиттере транзистора
1, а следовательно, и на базе транзистора 2
35 не меняются, вследствие чего уменьшаются искажения и повышается КПД, поскольку в заявленной схеме при уменьшении тока покоя не уменьшается максимальный ток, формируемый в нагрузке, При этом величина
КПД предложенной схемы характерна для двухтактных схем, работающих в режиме
AB.
Формула изобретения
Двухтактный эмиттерный повторитель, со45 держащий первый и второй транзисторы. включающие по схеме с общим коллектором и имеющие разную структуру, делитель напряжения, перЬый вывод которого соединен с змиттером первого, второй вывод — с кол50 лектором второго, отвод — с базой второго транзисторов, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером первоготранзистора. база которого является входом. а второй вывод первого резистора — выходом двухтактного эмиттерного повторителя, отличающийся тем. что, с целью повышения КПД, параллельно первому резистору введен прямосмешенный диод, делитель напряжения выполнен на последовательно соединенных между его
1804695 б
Составитель И. Йодяхина
Техред М.Моргентал Корректор, С. Пекарь
Редактор Т. Куркова
Заказ 1081 Тираж Подписное
8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r.. Ужгород, ул.Гагарина. 101 первым и вторым выводами втором резистсре и генераторе тока, точка соединения которых является отводом делителя напряжения, при этом эмиттер второго транзистора соединен с вторым выводом nepaoro резистора.
