Способ изготовления силовых кремниевых диодов
Авторы патента:
Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условия Eпов= a+bxj+
Eк, кэВ, где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области, a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм, xj - глубина залегания p-n-перехода, мкм, Eк - уменьшение энергии электронов в контакте к сильнолегированной области, кэВ.
Похожие патенты:
Способ изготовления биполярных транзисторов // 1800501
Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации
Способ изготовления светодиодных структур // 1632278
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света с излучением в зеленой, голубой и других областях спектра в зависимости от выбранного политока подложки
Способ изготовления биполярных транзисторов // 1544108
Способ изготовления мдп-транзисторов // 1499614
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП- транзисторов интегральных микросхем
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам радиационной обработки арсенидгаллиевых СВЧ полевых транзисторов
Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых материалов и приборов от рекомбинационно-активных примесей
Способ отжига дефектов в кремнии // 1253380
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов, в частности к способам отжига радиационных дефектов, полученных ионной бомбардировкой, и способам отжига ростовых дефектов, полученных при выращивании кристаллов
Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов
Способ обработки лавинных диодов // 2100872
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575
Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Способ формирования проводящей структуры // 2129320
Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов
Способ получения кремниевых наноструктур // 2153208
Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности
