Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

 

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: на полупроводниковой подложке первого типа проводимости сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости. С помощью области первого типа проводимости, смыкающейся с подложкой, сформирована изолированная область, в которой расположены области истока, затвора, стока полевого транзистора. Исток выполнен в виде двух областей, одна из которых окружена областью затвора, выполненной дискретной, образуя (n-1) горизонтальных каналов толщиной Lp(n-1), при этом Lp1<L<... и Lp1>2W0.3, где W0.3 - ширина области пространственного заряда p-n-перехода, образованного областями первого типа проводимости затвора и изолирующей, с полупроводниковым слоем второго типа проводимости. Вторая область истока расположена в замкнутом контуре, образованном областью второго затвора, соединенной с изолирующей областью. Конструкция позволяет реализовать n изломов - (n+1) участков с различной крутизной. 5 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом (ПТУП). Цель изобретения - получение n изломов (n+1) участков с различной крутизной на вольт-амперной характеристике. Поставленная цель достигается тем, что в полевом транзисторе с управляющим р-n-переходом, содержащем полупроводниковую подложку первого типа проводимости, на поверхности которой сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости, изолирующую область первого типа проводимости, смыкающуюся с подложкой и выделяющую в полупроводниковом слое второго типа проводимости изолированную область, в которой сформированы области истока и стока второго типа проводимости, область затвора первого типа проводимости, в соответствии с предлагаемым изобретением исток выполнен в виде двух областей, одна из которых окружена областью затвора, выполненной дискретной, образуя (n-1) горизонтальных каналов с толщиной Lp(n-1), при этом Lp1<L<. . . <Lи Lp1>2 Wo.з., где Wо.з. - ширина области пространственного заряда p-n-перехода соответствующей области затвора и изолирующей области первого типа проводимости, образованного с полупроводниковым слоем второго типа проводимости в горизонтальной части перехода, а вторая область истока расположена в замкнутом контуре, образованном областью второго затвора, соединенной с изолирующей областью. Наиболее существенное отличие ПТУП по изобретению с изломами на ВАХ заключается в том, что вместо скрытой затворной области, располагающейся между верхним затвором и подложкой (нижним затвором) сформирована дискретная замкнутая вторая область затвора, предпочтительно одновременно с верхним затвором, которая окружает одну область истока. Дискретная область затвора находится под "плавающим" потенциалом, т.е. не имеет электрического контакта с остальными областями транзистора и цепями питания. Наличие в замкнутой второй области по крайней мере одного разрыва с образованием горизонтального канала позволяет реализовать на ВАХ еще один излом. Первый излом образован тем, что вторая дискретная область затвора находится под плавающим потенциалом. По сравнению с прототипом предлагаемый ПТУП позволяет исключить технологически очень сложное формирование скрытой затворной области между верхним затвором и подложкой. Это позволяет как сократить технологический цикл изготовления, так и обеспечить существенное повышение выхода годных. Известны технические решения, в которых формируются дополнительные затворы для уменьшения проходной емкости, увеличения выходного сопротивления, снижения зависимости тока утечки от напряжения сток-затвор. Конструкции этих транзисторов не позволяют получить излома на ВАХ, а направлены на решение иных задач. Другие технические решения, содержащие ПТУП с дополнительными затворами для получения n изломов - (n+1) участков с различной крутизной на ВАХ, из доступных источников информации, автору не известны. На фиг. 1 изображена топология заявляемого ПТУП с двумя изломами; на фиг. 2 - поперечный разрез ПТУП с двумя изломами; на фиг. 3 - входная (а) и выходная (б) ВАХ заявляемого ПТУП; на фиг. 4 - топология заявляемого ПТУП с тремя изломами; на фиг. 5 - входная (а) и выходная (б) ВАХ заявляемого ПТУП с тремя изломами. Заявляемый ПТУП содержит подложку 1 первого типа проводимости; полупроводниковый слой 2 второго типа проводимости, сформированный на поверхности подложки; изолирующую область 3 первого типа проводимости, смыкающуюся с подложкой и выделяющую в полупроводниковом слое второго типа проводимости изолированную область, в которой сформированы дискретные области истока (первая и вторая) 4,1 и 4, область стока 5 - все второго типа проводимости, две дискретные области затвора 6 и 7, вторая область 7 выполнена замкнутой с одним дискретом (разрывом) Lp1 9, металлические контакты 8 к областям истока 4 и 4.1, стока 5, первой области затвора 6 (через изолирующую область), второй разрыв Lp2 - 10 во второй дискретной области затвора. Прибор работает следующим образом. 1. При подаче на сток 5 ПТУП напряжения положительной полярности, по отношению к истоку 4, 4.1 (Uсп), на первую область затвора 6 - напряжения отрицательной полярности, по отношению к контакту истока (Uзи), р-n-переход канал 2 (полупроводниковый слой второго типа проводимости) - подложка 1 смещается в обратном направлении, а вторая затворная область находится под плавающим потенциалом. Рассматривая ПТУП с двумя затворами (области 1 и 6) без замкнутой дискретной затворной области 7, в случае резких р+-n-переходов справедливо следующее соотношение для толщины области пространственного заряда (ОПЗ) W W , (1) где - диэлектрическая проницаемость полупроводника, для кремния (12); о - диэлектрическая проницаемость вакуума ( о=8,84 10-14пФ/см); U= Uзи+ к, к - контактная разность потенциалов р+-n-перехода ( к0,8 В); q - заряд электрона (q=1,6 10-19 Кл); Nд - концентрация подвижных носителей в канале. При увеличении напряжения между стоком и истоком (Uси) и при Uзи=0 В величина W возрастает, пока ОПЗ обоих р+-n-переходов не сомкнутся вблизи стока при U=U. В этой точке толщина W будет равна половине толщины d канала (полупроводникового слоя 2 второго типа проводимости), т.е. d/2, тогда d/2 = , (2) отсюда U = - к при Uзи = O B. (3) При приложении обратного напряжения Uзи, смыкание ОПЗ р+-n-переходов произойдет раньше, т.е. при меньшем напряжении U. U = - к + Uзи. (4) Напряжение Uзи, при котором происходит перекрытие канала областями пространственного заряда и выполнение условия Uси=0, является напряжением отсечки Uзи.отс. U3(4) при U= , находим:
Uзи = Uзи.отс.= - - к. (5)
Если бы не было второй дискретной затворной области 7 при Uзи=Uзи.отс., ток стока стремился бы к нулю. Однако в нашем случае будет протекать ток между первой областью истока 4.1 и стоком 5, в промежутке под второй затворной областью 7. И только при приложении дополнительного обратного напряжения Uзи, чтобы произошло перекрытие канала под дискретной областью 7, произойдет отсечка тока, он будет стремиться к нулю. Пока рассматриваем замкнутую область 7 без разрывов. В этом случае у нас будет однозатворный ПТУП (работает р+-n-переход: нижний затвор (подложка) - канал (1), затворная область 7 находится под плавающим, малоизменяющимся близким к нулю, потенциалом. Напряжение отсечки Uзи.отс у двухзатворного ПТУП (затворы 6 и 1) обозначим Uзи.отс.1, тогда напряжение отсечки Uзи.отс.2 однозатворного ПТУП с потенциалом затворной области 7 равным нулю, определится из соотношения:
+ = 2, (6) откуда
Uзи.отс.2= 4Uзи.отс.1- + к. При длинах затворных областей 6 и 7(L1 и L2) отношение начальных крутизн в области насыщения S01/S02 участков с напряжениями Uзи.отс.1 и Uзи.отс.2 (фиг. 3) определится следующим соотношением:
= , (8) где Z1, Z2 - ширина первой замкнутой области затвора и второй дискретной области затвора соответственно;
U1зи.отс.1= Uзи.отс.1+кU1зи.отс.2= = Uзи.отс.2 + к- приведенные напряжения отсечки участков с крутизнами S1 и S2 на ВАХ соответственно. Таким образом формируется ПТУА, обладающий на ВАХ изломом с Uзи.отс.2(2,2- -2,5) Uзи.отс.1. Однако при Uзи=Uзи.отс.2 ток не стремится к нулю, т. к. остается участок протекания тока через разрыв - 9 во второй замкнутой дискретной области затвора 7. Рассмотрим, что происходит далее в ПТУП при увеличении обратного напряжения Uзи. После перекрытия канала под второй дискретной областью затвора 7 областью пространственного заряда р-n-перехода подложка (нижний затвор) - канал, происходит "смыкание по напряжению" с плавающей областью 7. "Смыкание по напряжению" в трехслойной структуре р+-n-р+ (нижний затвор - канал - верхний затвор 7) происходит следующим образом. При приложении обратного смещения только к одному р+-n-переходу (нижний затвор - канал), после обеднения подвижными носителями среднего слоя и смыкания областей пространственного заряда обоих р+-n-переходов, происходит следующий физический процесс. ОПЗ плавающей области (область второго дискретного затвора 7) после смыкания по напряжению увеличивается. В режиме смыкания по напряжению происходит увеличение высоты потенциального барьера обоих р+-n-переходов, но на разную величину. Потенциал области затвора >(пл) повторяет обратное напряжение подложка-канал с отставанием на величину смыкания по напряжению Uсм.н(Uсм.н Uзи.отс.2):
пл=Uзи-Uсм.н=Uзи-Uзи.отс.2 . (9)
Однако из-за рекомбинации плавающий потенциал изменяется медленнее (5):
пл=(0,4-0,6)(Uзи-Uзи.отс.2). (10)
Таким образом, после смыкания по напряжению происходит дальнейшее увеличение ОПЗ не только р-n-перехода нижний затворканал, но и р-n-перехода вторая дискретная затворная область 7 - канал. Учитывая, что размер разрыва Lр1>2Wо.з. - удвоенной величины ОПЗ р-n-перехода область 7 - канал в горизонтальной части, размер разрыва канала будет уменьшаться с трех сторон: снизу ОПЗ р-n-перехода подложка - канал и с боков ОПЗ р-n-переходов затворная область 7 - канал. Перекрытие ОПЗ разрыва второй дискретной затворной области при Uзи=Uзи.отс.3 определит окончательную отсечку в ПТУП и ток стока будет стремиться к нулю. А на ВАХ появится излом с напряжениями затвор-исток Uзи.отс.2 и Uзи.отс.3 и крутизнами S2 и S3. Причем ПТУП с каналом в разрыве будет иметь следующие размеры: длина затвора одно- и двухзатворных ПТУП является его шириной Z, глубина залегания затворной области 7 - определяет длину затвора - L, а горизонтальный размер разрыва - Lр1, является его толщиной - d. Таким образом, чтобы увеличить отношение Z/L необходимо увеличить количество разрывной в затворной области 7 - возрастает величина Z, а также уменьшить глубину залегания области 7. Таким образом формируется ПТУП, обладающий на ВАХ двумя изломами - тремя участками с различной крутизной S1, S2, S3 при напряжениях отсечки Uзи.отс.1, Uзи.отс.2, Uзи.отс.3. Исключение скрытой затворной области как упрощает конструкцию, так и снижает длительность технологического цикла при формировании на ВАХ трех участков с различной крутизной. Прибор работает так же, как рассмотрено выше, т.е. на ВАХ имеются изломы, участки с различной крутизной и отсечкой. Так как имеются и дополнительные разрывы Lр2<L<..., то при Lрn<A и
A = , (11) где Uзи.макс - максимальное напряжение затвор-исток, будут на ВАХ дополнительные изломы с отсечками Uзи.отс.4... Uзи.отс.n крутизнами S4...Sn. На фиг. 5 (а, б) представлены входная (а) и выходная (б) ВАХ ПТУП с двумя разрывами Lp1 и Lр2. Для увеличения S3 горизонтальный канал Lр1выполнен из двух разрывов. При изготовлении затворной области 7 одновременно с затворной областью в ПТУП выполняется по базовому технологическому процессу с процентом выхода годных, обеспечиваемым процессом для стандартных двух затворных (верхний затвор и подложка) ПТУП. Пример конкретной реализации. Прибор изготовлен на пластине 1 монокристаллического кремния ориентации <111> р-типа проводимости толщиной 380 мкм и удельным сопротивлением =0,5 Омсм с эпитаксиальной пленкой 2n-типа проводимости толщиной 3,5-4,0 мкм и = 0,8 Омсм (марка пластины ). В эпитаксиальной пленке путем локальной диффузии бора в две стадии при температуре Т=1000оС длительностью t=27-30 мин на первой стадии и при Т=1200оС и длительностью 4 ч на второй стадии создают изолирующую область 3р+-типа проводимости с поверхностным сопротивлением = 70 Ом/ и глубиной залегания 4-4,2 мкм. Последующей локальной диффузией бора в две стадии при Т=950оС и t=27-30 мин на первой стадии и при Т=1100оС и t=60 мин на второй стадии одновременно создают первую затворную область 6 и вторую замкнутую затворную область 7 р+-типа проводимости с = 80 Ом/
и глубиной залегания хjp= 1-1,5 мкм. Затем путем локальной диффузии фосфора при Т= 1000оС и t= 30 мин одновременно создают области 4,4.1 и 5n+-типа проводимости с глубиной залегания Хjn=0,7-1,2 мкм, = 20-25 Ом/ , причем области 4, 4.1 выполняют роль второй и первой областей истока, 5 - стока. К областям 3, 4, 4.1 и 5 изготавливают омические контакты 8 из пленки алюминия толщиной 1 мкм. Область верхнего затвора 6 не имеет собственного электрического контакта; т.к. она, через изолирующую область 3, контактирует с подложкой (фиг. 1), выполняющей функцию нижнего затвора. Получена толщина канала d 1,5 мкм. Толщина кремния уменьшалась за счет окислительных операций на 1 мкм. Изготовленный таким образом ПТУП имеет следующие геометрические размеры: область канала n-типа 2, выделенная в эпитаксиальном слое с помощью изолирующей области 3 р+-типа 140х118 (мкм2), длина первой затворной области 6-L= 4 мкм, для второй дискретной затворной области с разрывом 7-L=5 мкм, размеры двух вторых областей истока 4, двух областей стока 5 - 120х4,4 (мкм2), первой области истока 4.1, окруженной второй затворной областью 7-98х4,4 (мкм2), ширина двухзатворного ПТУП (области 1 и 6) Z1=3 140=420 мкм, с учетом бокового ухода изолирующей области 3 - Z1 400 мкм, внешние размеры первой замкнутой затворной области 7- 120х26,4 (мкм2) с двумя разрывами по Lр1 3 мкм внутренние размеры - 110х16,4 (мкм2). Отношение Z1/L1: Z2/L2: Z3/L3 5:2, где Z2 90.мкм - ширина затворной области ; Z3 - 4520 мкм - суммарная ширина двух разрывов, L3 1,5 мкм - глубина залегания затворной области 7. Полученные ПТУП имеют следующие параметры: напряжение отсечки Uзи.отс.1=1,5-2,5 В, Uзи.отс.2=3,5-6,5 Uзи.отс.3=10-16В, начальная крутизна участка с Uзи= Uзи.отс.1, S01нач. = 3,8-4,5 мА/В, второго участка ВАХ, S02нач.=0,31-0,34 мА/В, третьего участка S03.нач.=9,05-0,08 мА/В, отношение S01.нач/S02.нач./S03.нач.= (11-12)/(4-6). Ток утечки, Iут.3<1 10-10 А при Uзи=-10 В. Пробивные напряжения более 30 В. Изготовленный таким образом прибор имеет характеристики, представленные на фиг. 3. Аналогично изготовленный ПТУП с первой затворной областью, имеющий два разрыва 2 Lр1 и один с размерами Lр1 3 мкм, Lр3 3,5 мкм. Отношение Z1/L1: Z2/L2: Z3/L3: Z4/L4 5: 2: 1, где Z4 - 2510 мкм - суммарная ширина двух размеров, L3=L41,5 мкм. Начальная крутизна Sоч.нач.=0,02-0,04 мА/В, Uзи.отс.4=15-21 В. Остальные параметры как в примере 1. Изготовленный таким образом прибор имеет характеристики, представленные на фиг. 5. По сравнению с прототипом предлагаемый прибор имеет следующие преимущества: обладает n изломами на ВАХ с (n+1) участками различной крутизны: изготовление ПТУП полностью совместимо с базовым технологическим процессом и требует дополнительных операций, обеспечивая процент выхода как у ПТУП без дополнительной скрытой затворной области; в разработанной конструкции ПТУП исключена скрытая дополнительная затворная область, формирование которой значительно усложняет не только процесс изготовления, но и значительно уменьшает процент выхода годных, увеличивает разброс параметров всего ПТУП.


Формула изобретения

ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С УПРАВЛЯЮЩИМ p-n-ПЕРЕХОДОМ, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, на поверхности которой сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости, изолирующую область первого типа проводимости, смыкающуюся с подложкой и выделяющую в полупроводниковом слое второго типа проводимости изолированную область, в которой сформированы области истока и стока второго типа проводимости, область затвора первого типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью получения n изломов - (n + 1) участков с различной крутизной на ВАХ, исток выполнен в виде двух областей, одна из которых окружена областью затвора, состоящей из n - 1 горизонтальных каналов толщиной Lp(n-1), при этом Lр1 < Lр2 < ... < Lp(n-1) и Lр1 > 2 Wо.з, где Wо.з - ширина области пространственного заряда p - n - перехода соответствующей области затвора и изолирующей области первого типа проводимости, а вторая область истока расположена в замкнутом контуре, образованном областью второго затвора, соединенной с изолирующей областью.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к полевым транзисторам с управляющим p-n-переходом (ПТУП)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ТПУП)

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом

Наверх