Способ изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния

 

Использование: в металлургии полупроводников . Сущность изобретения: кристаллы п и р-типа приводят в контакт, прикладывают внешнее напряжение, затем один из кристаллов приводят во вращение, которое осуществляют до тех пор, пока в зоне контакта не образуется жидкая прослойка . После остановки вращения кристаллы остывают, в результате чего происходит их сращивание, после чего зону контакта определяют в виде пластины. Способ позволяет упростить процесс за счет исключения полировки, довольно сложной предварительной операции, а также значительно ускорить его (время сращивания составляет несколько минут). 1 н.з.п.ф-лы, 1 ил., 1 пр.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4921740/26 (22) 25,03.91 (46) 23,05.93. Бюл, М 19 (71) Отделение физико-технических проблем транспорта на сверхпроводящих магнитах Института геотехнической механики

AH УССР (72} В,А,Дзензерский, О.И.Горский и А,A.Áóряк (56) Sim lie water fusion buiids better power

chips. С. пеп. Charles 1. "Eiectronics", 1985, 58, % 51, 20 — 21, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ

КРЕМНИЯ

Изобретение относится к металлургии и может быть использовано в технологических процессах формирования полупроводниковых кремниевых структур для нужд электроники и электротехники, Изобретением решается задача упрощения и ускорения процессов изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором схематически изображено устройство для осуществления процесса изготовления элементов на основе кремния, Способ изготовления полупроводнико8blx элементов может быть осуществлен с помощью устройства, которое содержит неподвижный зажим 1, в котором закрепляют один из кристаллов 2, подвижный зажим 3,,, Ы,, 1816816 А1 (si)s С 30 В 33/06, 29/06, Н 01 L 21/18 (57) Использование: в металлургии полупроводников. Сущность изобретения: кристаллы и и р типа приводят в контакт, прикладывают внешнее напряжение, затем один из кристаллов приводят во вращение, которое осуществляют до тех пор, пока в зоне контакта не образуется жидкая прослойка. После остановки вращения кристаллы остывают, в результате чего происходит их сращивание, после чего зону контакта определяют в виде пластины, Способ позволяет упростить процесс за счет исключения полировки, довольно сложной предварительной операции, а также значительно ускорить его (время сращивания составляет несколько минут). 1 н,з,п,ф-лы, 1 ил., 1 пр. в котором фиксируют другой кристалл 4, зажим 3 соединен с двигателем 5, который совместно с упомянутым зажимом может линейно перемещаться по направляющим

Полупроводниковые элементы изготавливают следующим образом.

Кристаллы кремния с противоположными типами проводимости (и-кремния и ркремния), полученные, например, методом

Чохральского, срезают с торцов перпендикулярно направлению их роста (так, чтобы сохранилась естественная ориентация). Затем один из кристаллов (безразлично с каким типом проводимости) закрепляют с помощью зажима 1, а другой — с помощью зажима 3. После этого, перемещая двигатель 5 по направляющим 6, приводят кри1816816 сталлы в контакт сопрягаемыми плоскостями, Внешнее давление на кристаллы создается в данном случае эа счет использования веса двигателя. В принципе величина давления может быть любой, но не достигать коитического значения, равного 9,47 кг/мм . После включения двигателя 5 взаимное скольжение сжатых плоскостей кристаллов происходит с выделением теплоты, образующейся за счет производства работы против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния (.1467 C), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния.

Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.

Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при теплоотводе по твердой фазе) жидкий слой кристаллизуется упорядоченно.

Изготовление полупроводниковых элементов производится в атмосфере, лишенной кислорода, поскольку при нагреве выше

600 С кремний интенсивно взаимодействует с ним. Это можно осуществлять, поместив устройство в герметичную камеру, заполняемую инертным газом или вакуумируемую. Однако жестких требований к газовому составу или к глубине вакуума нет, поскольку слой жидкого кремния сосредоточен между сопрягаемыми плоскостями кристаллов и практически не имеет контакта с окружающей средой.

Сращенные таким образом кристаллы содержат зону, в которой произошло сплавление (вызаимопроникновение) материалов с противоположными типами проводимости и обладающей ценными полупроводниковыми характеристиками. Эта зона может

50 прослойки зону контакта вырезают в виде пластины. быть вырезана в виде пластины, а образовавшиеся новые плоскости чистых кристаллов кремния совмещены для повторения операции сращивания. Таким образом из одной пары кристаллов можно получить несколько полупроводниковых элементов.

Использование описанного способа изготовления полупроводниковых элементов позволяет упростить и ускорить процесс

10 сращивания путем применения новой технологии, Упрощение технологического процесса происходит, в основном, на этапе подготовки поверхностей. Наиболее трудоемким и

15 сложным процессом этого этапа является полировка высшего класса точности. В изобретении этот этап сводится к обрезанию торцов кристаллов на алмазном круге. Дальнейшего уменьшения шероховатости по20 верхности не проводят. Это обстоятельство не только упрощает технологию, но и сокращает время, идущее на подготовку кристаллов к сращиванию. Значительный выигрыш времени получается в результате примене25 ния способа на стадии сращивания кристаллов. Если процесс сращивания по известному способу длится часы, то по изобретению- минуты. Таким образом процесс ускоряется в десятки раз.

ЗО В применению к кремнию способ обладает наибольшей эффективностью благодаря тому, что теплопроводность кремния мала и энергия, выделяющаяся в контактной зоне с достаточной инерцией, может

35 накапливаться в ней, быстро повышая температуру трущихся плоскостей.

Формула изобретения

Способ изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния, включа40 ющий предварительную обработку кристаллов поотивоположного типа проводимости и приведение их в контакт сопрягаемыми поверхностями при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся

45 тем, что, с целью упрощения и ускорения процесса, контакт осуществляют в условиях внешнего давления при вращении одного из кристаллов до образования жидкой прослойки в зоне контакта, и после застывания

1816816

Составитель А.Буряк

Техред М.Моргентал Корректор С.Лисинэ

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород. ул,Гагарина, 101

Заказ 1709 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Способ изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния Способ изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния Способ изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных конденсаторов

Изобретение относится к области электронной техники

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин
Изобретение относится к области получения монокристаллов со структурой силленита и элементов из них больших размеров, в частности монокристаллов: Bi12SiO20 (BSO); Bi12GeO20 (BGO); Bi12TiO20 (ВТО)

Изобретение относится к выращиванию пленок кремния, может быть использовано в электронной технике для производства полупроводниковых интегральных схем или чувствительных элементовтензопреобразователей на базе структур кремний на диэлектрике и позволяет повысить выход годных пленок за счет устранения пирамид роста на подложке

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента

Изобретение относится к способам термообработки полупроводниковых пластин, а именно к окислению, сухому и пирогенному осаждению слоев, и позволяет уменьшить концентрацию образуемых при обработке на поверхности пластин дефектов за счет исключения осаждения продуктов реакции на стенках реактора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области металлургии полупроводников и может быть использовано для выращивания монокристаллов твердого раствора германий-кремний из газовой фазы

Способ изготовления полупроводниковых элементов на основе кремния

Наверх