Способ записи оптической информации на фототермопластическом носителе с фоточувствительным слоем из стеклообразных халькогенидов мышьяка

 

Изобретение относится к электрографии. Сущность изобретения заключается в том, что пространственную частоту растрирования выбирают в 2П (п 1,2...) раз больше резонансной частоты термопластического слоя носителя. При этом величину экспозиции при записи изображения устанавливают на уровне 0,01-0,1 от величины экспозиции при рас- .трировании. 1 з.п. ф-лы.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)з G 03 G 16/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4828203/12 (22) 22.05,90 . (46) 30.05.93. Бюл. М 20 .(71) Молдавский государственный университет им. В.И.Ленина (72) Л.М.Панасюк и И.В.Чапурин (56) Панасюк Л.М. и Чапурин И.B. Проблемы оптической памяти. — Тез. докл. 1Ч Всес. конф. М.: 1990, с,33. (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ

ИНФОРМАЦИИ НА ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ С ФОТОЧУВСТИзобретение относится к электрографии и может найти применение в научной и прикладной фотографии. в системах регистрации, копирования и тиражирования информации.

Цель изобретения — повышение качества записи.

Способ осуществляют следующим образом.

Используют фототермопластический носитель, состоящий иэ последовательно нанесенных на прозрачную подложку проводящего слоя, фоточувствительного слоя из стеклообразных халькогенидов мышьяка и термопластического полимерного слоя на основе стирола. Носитель растрируют экспонированием на его поверхность оптического растра, образованного либо проецированием коллимированного светового пучка через контактирующую с носителем дифракц ионную решетку, либо интерференцией в плоскости носителя двух сходящихся под углом когерентных световых пучков или каким-то другим известным способом. При этом пространственная час„„5UÄÄ 1818618 А1

ВИТЕЛЬНЫМ СЛОЕМ ИЗ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЫШЬЯКА (57) Изобретение относится к электрографии, Сущность изобретения заключается в том, что пространственную частоту растрирования выбирают в 2" (и = 1,2...) раз больше резонансной частоты термопластического слоя носителя, При этом величину экспозиции при записи изображения устанавливают на уровне

0,01-0.1 от величины экспозиции при рас.трировании. 1 з.п. ф-лы. тота растра выбирается или устанавливается в 2" (n = 1,2,...) число раз больше, чем резонансная частота термопластического слоя носителя, определяемая иэ спектра рассеяния хаотических деформаций при тех же режимах зарядки и проявления, что идля записи на растрированном носителе. Величину экспозиции оптического растра устанавливают достаточной для проведения фотоструктурных превращений в материале фотопроводника в наиболее освещенных участках растровой картины. Запись на носителе проводят зарядкой его поверхности в попе коронного разряда с потенциалом, немного меньшим (до 2 ) или равным пре- . дельному потенциалу образования деформаций на нерастрированном носителе, экспонированием регистрируемого изображения и тепловым проявлением, причем температура носителя при проявлении устанавливается выше температуры текучести материала термопластического слоя носителя. На поверхности носителя формируется деформационная картина. соответствующая растрированному изобра1818618 жению, а по достижении поверхностными деформациями значительной глубины, достаточной для обеспечения требуемого значения дифракционной эффективности, зарядку прекращают и закрепляют поверхностные деформации охлаждением носителя.

Для дополнительного повышения качества записи на носителе экспонирование регистрируемого изображения проводят после растрирования носителя, но перед началом его зарядки и проявления. Величину экспозиции изображения устанавливают на 1 — 2 порядка меньшей, чем величина экспозиции оптического растра. После окончания экспонирования зарядку и проявление проводят в вышеуказанных режимах, что позволяет зарегистрировать изображения, характеризующиеся повышенным динамическим диапазоном.

Пример 1. Для записи используют фототермоппастический носитель, состоящий из последовательно нанесенных на прозрачную основу хромового электрода толщиной 60 кмк, полупроводникового твердого раствора состава 70 Аз2$ез +

+30 g Аз2Яе1,531,ь толщиной 2.2 мкм и термопластического слоя сополимера бутилметакрилата со стиропом толщиной 2,3 мкм.

Температура стеклования термопластического материала 56 С, температура текучести 72 С. Предельный потенциал образования поверхностных деформаций носителей достигается при потенциале коронирующего электрода 6000 В. Растрирование носителя проводят проецированием на его поверхность оптического растра, образованного интерференцией в плоскости носителях двух сходящих под углом когерентных пучков гелий-неонового лазера при величине экспозиции 0,1 Дж/см, достаточной для растровой модуляции электрических и оптических свойств фоточувствительного слоя в результате его фотоструктурирования. Резонансная пространственная частота термопластического слоя при температуре 75 С и потенциале зарядки 6000 В составляет fo = 150 мм

-1

Поэтому угол р1 между интерферирующими лазерными пучками устанавливают равн ым агсз1п (1 А ), где f1 = 2 4 пространственная частота интерференционного pacrpa, А = 0,63 мкм — длина волны лазерного излучения. Устанавливают потенциал зарядки 5940 В, равный 0,99 от предельного потенциала образования деформаций, и температуру записи 75 С, при которой термопластик полностью смачивает поверхность полупроводникового

55 слоя и характеризуется вязкостью

2,7. 10 Па с. Одновременно с зарядкой и б разогревом, продолжительность которых устанавливают равными 180 с, на поверхность носителя проецируют ступенчатый клин освещенностей, который визуализируется в виде периодического поверхностного рельефа с глубиной деформации, определяемой распределением освещенностей в регистрируемом изображении, Величина экспозиции наиболее освещенных градаций равна экспозиции оптического растра.

Фотографическая широта L достигает значения 1,8, что превышает в 1.6 раза значение L при регистрации изображений на резонансной частоте. Это связано с тем, что при осуществлении способа согласно прототипу на резонансной частоте растрирования градации изображения с малыми уровнями освещенности не передаются на линейном участке характеристической кривой из-за их перекрытия флуктуационными шумами записи. В то же время при осуществлении способа по данному патенту спектры хаотического шума и полезного сигнала разделены пространственно, что и обуславливает достигаемое повышение качества записи.

Выбор пространственной частоты растра большей, чем резонансная частота термопластического слоя в 2; 4; 8; 16; ... число раз позволяет соответствующим растру пондеромоторным силам деформировать при записи поверхность термопластика в соответствующее число раз меньшим периодом деформаций. Причем наиболее энергетически эффективным является именно предложенный вариант растрирования, в котором при увеличении частоты растра в 2 раза дополнительно к резонансным деформациям проявляются деформации на вершинах брустверов и в центрах впадин резонансной структуры, а затем, с увеличением частоты растра еще в 2 раза, дополнительные деформации проявляются на брустверах и впадинах деформаций, соответствующей удвоенной резонансной частоте растра, и тд

Пример 2. Выбор носителя, методики

его растрирования и режимов зарядки и проявления проводят аналогично примеру

1. Экспонирование регистрируемого изображения проводят до начала зарядки и проявления с величиной экспозиции 3. 10

Дж/см2. которая в 30 раз меньше величины экспозиции оптического растра. При этом динамический диапазон D регистрируемого изображения после его визуализации составляет D = 1,2. Эта величина превосходит

1818618 ческого диапазона 0 и улучшить тем саммм качество записи.

Составитель И. Чапурин

Техред М.Моргентал

Корректор С, Юско

Редактор С. Кулакова

Заказ 1938 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 максимально достигнутое значение О = 0,9 при осуществлении способа согласно примеру 1. Повышение динамического диапазона свидетельствует о повышении качества зарегистрированного изображе- 5 ния и обуславливается тем, что предотвращается спад дифракционной эффективности на наиболее освещенных градациях изображения, происходящий изза снижения контраста растровых интерфе- 10 ренционных полос при их засветке интегральным излучением.

При уменьшении величины экспозиции иэображения rio сравнению с экспозицией растра менее чем в 10 раз не позволяет 15 избежать указанного спада ДЭ в наиболее освещенных градациях изображения. Использование указанного уменьшения более чем в 100 раз не позволяет эффективно промодулировать предварительно нанесенный 20 растр и тем самым позволяет получить изображение с ДЭ на освещенных участках лишь незначительно превосходящими ДЭ на неосвещаемых фоновых участках. Оба приведенных обстоятельства не позволяют 25 превысить достигаемую величину динамиФормула изобретения

1. Способ записи оптической информации на фототермопластическом носителе с фоточувствительным слоем из стеклообразных халькогенидов мышьяка, включающий оптическое растрирование фототермопластического слоя в соответствии с резонансным характером его пространственно-частотной характеристики и последующее экспонирование оптического изображения, зарядку слоя и тепловое проявление записи, отличающийся тем, что, с целью повышения качества записи, пространственную частоту растрирования выбирают в 2" (n = 1, 2, ...) раз больше резонансной частоты фототермопластического слоя носителя.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что величину экспозиции при записи изображения устанавливают на уровне

0,01-0,1 от величины экспозиции при рвстрировании фототермопластического слоя носителя.