Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией

 

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60 мас.%.

2. Микросхема по п.1, отличающаяся тем, что первый слой тонкопленочной металлизации из заэвтектической смеси кремния с алюминием, дополнительно содержит один из редкоземельных металлов цериевой или иттриевой подгрупп или скандий в количестве от 0,01 до 3,0 мас.%.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных конденсаторов

Изобретение относится к области электронной техники

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д

Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией

Наверх