Способ получения магнитостатически связанных пленок

 

Использование: построение запоминающих устройств на плоских магнитных доменах . Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку наносят магнитомягкий и магнитожесткий слои, при этом в магнитожестком слое формируют магнитные неоднородности. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я>s Н 01 F 10/06, 10/08

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

ЗСЕСРЮЙМ . МА(ЕНГчО ТЕХННЧЕОИАй

ЕКА

1 (21) 4926579/02 (22) 08.04.91 (46) 15.06.93. Бюл. М 22 (71) Иркутский государственный педагогический институт (72) А.B.Ãýâðèëþê, Б.В.Гаврилюк и О.В.Кошкина (73) Иркутский государственный педагогический институт (56) Йелон А. Взаимодействие в многослойных пленочных магнитных структурах. — В кн.: Физика тонких пленок. Т. 6, M.: Мин, 1973, с, 251.

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах.

Цель изобретения — повышение коэрцитивной силы магнитомягкого слоя.

На фиг. 1 изображена структура магнитостатически связанных пленок, полученных предлагаемым способом. Пленка содержит стеклянную подложку 1, на которой расположены магнитожесткий 2 и магнитомягкий 3 слои. Магнитожесткий слой содержит магнитные неоднородности 4.

Пример 1. На диэлектрическую подложку (стекло, кремний, кварц, сапфир, уголь. слюда) при контролируемом давлении кислорода напыляется магнитожесткий слой Со. Наличием кислорода в среде осаждения обусловлено образование неферромагнитной фазы о ферромагнитном слое кобальта. На полученный магнитожесткий слой напыляют сплошной слой магнитомягкого материала ионно-плазменным распыле„„5U „„1822504 А3 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИ СВЯЗАННЫХ ПЛЕНОК (57) Использование: построение запоминающих устройств на плоских магнитных доменах. Сущность изобретения; на диэлектрическую пбдложку наносят магнитомягкий и магнитожесткий слои, при этом в магнитожестком слое формируют магнитные неоднородности. 2 ил. нием мишени сплава Fe-Nl-Co мас. : Fe l5;

Nl 64, Со 21 напряженность магнитного поля Н-8 10 А/м, толщина пленок 0,1 мкм.

Магнитомягкие слои могут также наноситься термическим методом.

Пример 2, На диэлектрическую подложку методом термического испарения сплава.70 Fe — 307ь Nl получают пленку толщиной 0,1 мкм, являющуюся однофазной(а-фаза). Микроструктура таких пленок представляет собой конгломерат разориентированных кристаллитов размером 50 — 100

А. Последующая термическая обработка приводит к образованию некоторого количества у ферромагнитной фазы в виде областей размером 1500-7000 А. Варьировать условия формирования у фазы. которые определяют размеры этих областей, можно, используя различные скорости нагрева пленок и длительности их отжигав. Ка полученный магнитожесткий слой нвпыляют слой магнитомягкого материала ионно1822504

Формула изобретения

Способ получения магнитостатически связанных пленок, включающий нанесение на диэлектрическую подложку магнитомягкого и магнитожесткого слоев, о т л и ч а юшийся тем, что в магнитожестком слое формируют магнитные неоднородности.

Составитель А.Гаврилюк

Техред М. Моргентал Корректор Л.Пилипенко

Редактор

Заказ 2123 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 плазменным распылением мишени сплава ,157, Fe-64ф, Ni-217 Со толщиной 0,1 мкм.

На границе раздела различающихся по магнитным параметрам фаз в магнитожесткой пленке возникает разрыв намагниченности, вследствие чего над поверхностью магнитожесткой пленки возникают магнитные поля рассеяния. Поля рассеяния, взаимодействуя с намагниченностью магнитомягкой пленки, создают условия 10 для преимущественно параллельной ориентации векторов М в обоих слоях. Величина магнитостатического взаимодействия определяется размерами магнитных неоднородностей, их концентрацией. 15 . На фиг. 2 показано распределение полей рассеяния от магнитных неоднородностей в магнитомягком слое. Асимметрия полей рассеяния приводит к изменению пространственного взаимодействия локаль- 20 ных полей рассеяния с намагниченностью магнитомягкой пленки, и, как следствие этого, к увеличению козрцитивной силы магнитомягкой пленки.

По сравнению с прототипом, принятым за базовый объект, формирование магнитных неоднородностей приводит к увеличению коэрцитивной силы магнитомягкого слоя более чем на порядок, причем повышение козрцитивной силы магнитомягкого слоя определяется условиями получения магнитожесткого слоя.