Электрохимическое устройство

Авторы патента:

H01M8/10 - топливные элементы с твердым электролитом

H01L21/324 - термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L 21/20-H01L 21/288 и H01L 21/302- H01L 21/322 имеют преимущество)

Электрохимическое устройство, например топливный элемент, содержащий корпус, крышки с газоподводными трубками, разноименные электроды и твердый электролит, выполненный в виде блока с каналами для разноименных электродов, расположенными под углом друг к другу и выходящими на взаимопересекающиеся внешние поверхности блока, отличающееся тем, что, с целью упрощения и повышения удельных электрических характеристик, указанный корпус выполнен из нескольких блоков, имеющих форму усеченной пирамиды с бортиками в основаниях и соединенных между собой высокотемпературным стеклом таким образом, что меньшее основание одной части блока входит в большее основание соседней части на глубину бортиков, образуя последовательное соединение по газу через общий канал, и по току - посредством токопроводников, размещенных в местах соединения частей блока.

Способ получения твердого электролита // 913868

Твердый электролит для химического источника тока // 805882

Высокотемпературный топливный элемент с твердым электролитом // 758989

Твердый электролит для химического источника тока // 751271

Твердый электролит и способ его получения // 688058

Твердый электролит для химических источников тока // 469425

Патент 366517 // 366517

Способ изготовления высокотемпературной топливной батареи // 357775

Способ нанесения на подложку // 341263

Способ сушки подложек // 1816331

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах cdxhg 1-xte с x = 0,200 - 0,225 // 1816161

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах // 1736304

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем (ИС), в частности к способу планаризации изолирующего диэлектрического слоя в ИС при формировании многоуровневой металлизации ИС

Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем // 1711269

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии оплавления фосфоросиликатного стекла в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ изготовления моп-структур // 1575841

Способ очистки полупроводниковых слоев от остаточной примеси // 1574118

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур и может использоваться при изготовлении сверхчистых снальных слоев для полупроводниковых приборов широкого применения, в частности , для приборов интегральной оптоэлектроники и микроэлектроники

Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин // 1547619

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин

Способ планаризации кремниевых структур // 1515964

Способ диффузии в кремниевые полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы // 1400387

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с улучшенными электрофизическими характеристиками за счет пониженной концентрации генерационно-рекомбинационных центров

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов // 1400386

Способ изготовления интегральных схем // 2109371

Изобретение относится к области изготовления интегральных схем