Позитивный термостойкий фоторезист

 

Область использования: в микроэлектронике . Сущность изобретения: позитивный термостойкий фоторезист содержит, мас.%: крезолоформальдегидная смола новолачного типа 19,45-23,1: смесь 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфоэфир метиленбис-{2,4)-диоксибензофенона 4.4-8,24: 1,2- нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона 2.06-2,2 или смесь 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона 1,32-1,35, 1,2-нафтозинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метил енбис-(2,4-диоксибензофенона) 2,63-5,43; 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-с.ульфоэфир 2,21,4,41- тетраоксибензофенона 3.3-5,8 или смесь 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона 3,3-5,4, 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфот ир 2,2 4,4 -тетраоксибензофенона 3,3 - 5,8: кремнийорганический блок-сополимер 0,015 0,0030: ксилол 3,4-7,0 МЦА - остальное или ксилол 3,4-7,0; диглим 7,0-7,1; МЦА - остальное , или ксилол 3,4-7,0, диглим 7,0 7 1 метоксипропанолацетат - остальное Термостойкость резиста повышается до 170- 210° С, улучшается микрошероховатость пленки, стабильность фоторезиста. 2 табл. со с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (л11 G 03 F 7/023 7/039

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

" р рщц

: н1г.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Он

@-сн, ОН

СН2 Qj сн3

Снз (21) 4879644/04 (22) 02,11.90 (46) 30.06.93. Бюл. Мт 24 (71) Московское научно-производственное оьбединение "НИОПИК" (72) P.Ä.Ýðëèõ. Н.А.Сахарова, Б.С.Челушкин, Э.А.Кабанова, Д.Б.Аскеров, T.Н.Чикирисова, H,В.Шумилкина, Л.А.Казарцева, О.И.Скорнякова, О.А.Сердюк, Т.Т.Маринченко, T.Â.×àëüöåâà. A.È.Äóäàð÷èê, В.Ш.Абрамович. Н.В.Ладутько и Е.В.Крупень (73) Московское научно-производственное обьединение "НИОПИК" (56) Авторское свидетельство СССР

N. 1217128, кл. G 03 С 1/68, 1984, (54) ПОЗИТИВНЫЙ ТЕРМОСТОЙКИЙ ФОТОРЕЗИСТ (57) Область использования: в микроэлектронике. Сущность изобретения; позитивный термостойкий фоторезист содержит, мас. (: крезолоформальдегидная смола новолачного типа 19,45 — 23,1; смесь 1,2-нафтоИзобретение относится к позитивным светочувствительным материалам-фоторезистам, применяемым в производстве изделий микроэлектроники, может быть использовано в микрофотолитографических процессах с использованием высокоскоростных режимов плазмохимических процессов в технологии сверх больших интегральных схем и других прецизионных изделий.

Целью изобретения является повышение термостойкости до 170-210 С, уменьшение микрошероховатости и дефектности пленки фоторезиста.

Эта цель достигается использованием в качестве пленкообразующего компонента

„„. Ы„„1 825425 АЗ хинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метиленбис (2.4)-диоксибензофенона 4.4-8,24: 1,2на фтох и н он диазид-(2)-5-сул ьфоэ фи р

2,4-диоксибенэофенона 2.06-2,2 или смесь

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфи р

2,4-диоксибензофенона 1,32-1,35, 1,2-нафтозинондиазид-(2)-5-сульфоэфир метиленбис-(2.4-диоксибензофенона) 2,63-5,43;

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир

2,21, 4,41- тетраоксибензофенона 3.3-5,8 или смесь 1.2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфозфир 2,4-диоксибензофенона 3,3-5,4;

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоз ир 2,2

4,4 -тетраоксибензофенона 3,3 — 5,8: крем1 нийорганический блок-сополимер 0,0150,0030: ксилол 3,4 — 7,0: МЦА — остальное или ксилол 3,4-7,0, диглим 7,0-7,1; МЦА — остальное, или ксилол 3,4-7,0; диглим 7,0 7.1 метоксипропанолацетат — остальное. Термостойкость резиста повышается до 170210 С, улучшается микрошероховатость пленки, стабильность фоторезиста. 2 табл. крезолоформальдегидной новолачной смолы. полученной из м- и и-крезолов формулы

1. описанной в заявке на способ получения алкилфенолоформальдегидной смолы, поданной одновременно с заявляемым фоторезистом. со средневесовой молекулярной массой

МУ1г=4000 -8000, полидисперсностью Гг=35, температурой плавления Т пл.=(150-160) 1825425 С, массовой долей исходных мономеров

0,7 — 0,2 мас.$, п=6 — 10.

В качестве светочувствительного компонента содержит смесь или 1,2-нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфира метилен-бис 5 (2.4-диоксибензофенона 1) формулы I I

О !

СН

10 .2 п =:

О где R=CH3. С2Нв

2 8 (СНг)

Y-- 10-120

tA

15 n=4 — 50

m-4 — 50 со средневесовой молекулярной массой

Mw= 100000-200000. а в качестве орга.нического растворителя используют или

20 смесь метилцеллоэольвацетата (МЦА) (ТУ—

6 — 14 — 298-77) и ксилола, (ТУ 6-09-3846-82) или смесь метилцеллозольвацетата, диглима и ксилола, или смесь метоксипропанолацетата, диглима и ксилола при следующем

25 соотношении компонентов, мас.

ОХ

Снг

ХО

0Х

СО И ф) ф

2,06 — 2,2

40

ОХ ОХ

50

55 в котором Х-Н или D-нафтохинондиазидная группа (HXD-группа) с массовой долей HXD-групп 46 — 55, и 1,2-нафтохинондиаэид (2)-5-сульфоэфира

2,4-диоксибензофенона формулы 1!1

ОХ где X-Н или 0-1-!ХΠ— группа с массовой долей HXD групп - 56-66ф, или смесь 1,2 -нафтохинондиаэид-(2)сульфоэфира метиленбис (2,4-диоксибензофенона) формулы t I, 1,2-нафтохинондиазид — (2)-5-сульфоэфира 2,4-диоксибензофенона формулы III и 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5сульфоэфира 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона формулы IV

Qo-со-ф-ов m хо О со Ooo(v где X-H или D=HXD группа, с массовой долей HXD-групп 55-65 ( или смеси 12-нафюхинондиазид®5сульфоэфира, 2,4-диоксиЬенэофенона формулы III и 1,2нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона формулы IV u дополнительно содержит кремний органический блок- сополимер лапрола с полиалкилсилоксаном общей формулы V — КЭП-2А (ТУ 6 †02 †813 ) 3

I (< y)PiO(Si0+g — ;(сн

1 (СН2)2 Сн, крезолоформвльдегидная смола новолачного типа— 19,45 — 23,1 смесь 1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сул ьфоэфир метилен-бис (2,4-диоксибензофенона) (II)— 4,4 — 8,24

1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона (111)— или смесь

1,2-нафтохинондиаэид(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибенэофена (II I)— 1,32-1,35

1,2-нафтохинондиазид-(2)5-сульфоэфир метиленбис (2,4-диоксибензофенона) (И)— 2,63 — 5,43

1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона (IV)— 3.3-5,8 или смесь

1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона (111)- 3,3-5,4

1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сул ьфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона (IV)— 3,3-5,8

Кремний органический блок— сополимер— 0,015 — 0,030

Ксилол— 3,4-7,0

M ЦА (метилцеллозоль1825425 вацетат)— или ксилол диглим (диметиловый диэтиленгиколя)—

МЦА— или ксилол диглим— метоксипропанолацетатв остальное

3,4-7,0 эфир

7,0 — 7,1 остальное

3,4-7,0

7.0 — 7,1 остальное

Существенным отличием настоящего изобретения является использование в качестве пленкообразующего компонента крезолоформальдегидной новолачной смолы формулы I: а также использование в качестве светочувствительного компонента— смесей сульфоэфиров.

1,2-Н афтохинондиаэид-(2)-5-сул ьфоэфир метилен-бис -2,4-диоксибензофенона получают взаимодействием 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфохлорида с продуктов конденсации 2-молей 2,4-дйоксибензофенона с 1 моль формальдегида, Массовая доля HXD в полученном продукте — 40 — 55 .

1,2-Нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир-2,4-диоксибензофенона получают взаимодействием 2,4-диоксибензофенона с 1,2н афтохинондиазид-(2)-5-сульфохлоридом.

Массовая доля HXD групп в полученном продукте составляет 56-66 .

1,2-Нафто х и н ондиазид-(2)-5-сул ьфоэфмра 2.2, 4,4 -тетраоксибензофенона пол1 1 учен конденсацией 1,2-нафтохинондиази,1 (2)-5-сульфохлорида с 2.2, 4,4 -тетраоксибензофеноном в пиридине, 1

Массовая доля HXD-групп — 55-65ф>.

Для обеспечения термостойкости пленки фоторезиста на уровне. 160-200 С в качестве пленкообраэующего компонента используют крезолоформальдегидный новолак, полученный конденсацией м-и и-крезола с формальдегидом в растворе уксусной кислоты или смеси иэопропиловый спиртсерная кислота, взятых в соотношении (1:10) с использованием в качестве катализатора бензолсульфокислоты при температуре 65 — 70 С в течение 3-6 ч с последующим выделением на охлажденную до (Π— 5) С воду. Получаемый таким образом новолак имеет соедневесовую молекулярную массу M1t1t= 4000-8000. температуру плавления Тпп.>150 С и массовую долю ис. ходных мономеров менее 1, С целью уменьшения массовой доли микропримесей металлов в светочувствительных и пленкообразующих компонентах

-10

55 фотореэиста рекомендуется использовать в процессах синтеза очищенные перекристаллиэацией или перегонкой исходные компоненты и растворители, а стадии выделения и промывки полученных продуктов проводить с использованием деиониэованной воды или бидистиллята.

Использование в качестве добавки пенорегулятора кремнийорганического КЭП—

2А позволяет обеспечить микрошероховатость пленки фотореэиста до и после проявления на уровне не более

10 нм.

Предлагаемый фоторезист позволяет формировать пленки на пластинах диаметром 76-150 мм с разнотолщинностью не более + 7,5 нм(среднеарифметическое отклонение толщины пленки, измеренное в 5 точках пластины).

Фоторезист может быть использован на различных полупроводниковых подложках — пластинах монокристаллического окисла, нитрида кремния, легированного фосфором или бором, поликремния, алюминия и т.д, Для улучшения адгезии фоторезиста к поверхности подложки пластины перед нанесением фоторезиста обрабатывают промоторами адгеэии на основе кремнийорганических соединений. например, гексаметилдисилаэаном. Обработку пластин проводят окунанием, нанесением на центрифуге, выдержкой в парах.

Фоторезист наносят на подложку методом центрифугирования при частоте вращения ротора центрифуги 2000 — 7000 мин .

Сушку сформированной пленки проводят в термошкафу при 90 — 110 С в течение

30-60 мин или в ИК-сушке установки "Лада126" при 100 — 115 С в течение 15 мин или на горячей плите установки "Лада-150" при

100-110 С в течение 30-60 с.

Толщина сформированной пленки составляет 1,2-1,6 мкм, дефектность пленки (плотность проколов по методу электрографии) — не более 0.05. деф,см 2

Пленку фотореэиста экспонируют УФисточником с длиной волны 360-440 нм на установках контактного (например ЭМ вЂ” 576) или проекционного (например ЭМ-584) экспонирования.

Скрытое изображение проявляют щелочеборатным проявителем концентрацией щелочного агента 0,15-0,25 моль/дм или проявителем на основе гидроокиси калия (натрия) с концентрацией щелочного агента

0,09-0,15 моль/дм или безметильным проявителем на основе гидроокиси тетраметиламмония с содержанием щелочного агента i825425

0,16 — 0,25 моль/дм при 20-25О С в течение

20 — 60 с.

Проявление проводят методом окунания, распыления или полива.

Светочувствительность пленки фоторезиста не превышает 100 мДж/см, разрешающая способность (минимальная ширина воспроизводимого i элемента) 0.7-1,0 мкм для пленки толщиной 1,2-1,6 мкм и 1,2-1,5 мкм для пленки толщиной 1,5-2,3 мкм.

Термообработку проявленного рельефа проводят s термошкафу при l20 — 140О С в течение 20-40 мин или методом ИК-сушки на установке "Лада — 125" при 100-130 С в течение 8-15 мин или на горячей плите установки "Лада-150" при температуре 100130 С в течение 60 с.

Травление технологических слоев проводят жидкостным или плазмохимическим способами в стандартных травителях и режимах на установках "Лада-21" и "Лада-23". . Плазмостойкость пленки фоторезиста при плазмохимических процессах травления алюминия (отношение скорости стравливания пленки фоторезиста и скорости стравливания слоя алюминия) не хуже, чем

1:2, что позволяет при толщине пленки фоторезиста 2,0-2,3 мкм проводить травление слся алюминия на глубину до 20 мкм.

Пример 1. Получение крезолоформальдегидной смолы, 112,5 г м-крезола, 37,5 r п-крезола, 1,5 г бензолсульфокислоты и 468 г уксусной кислоты загружают в реактор, снабженный мешалкой, термометром, холодильником и капельной воронкой. Смесь нагревают до температуры 63 + 3 С и в течение 2 ч добавляют 78 г фпрмальдегида (в виде 37 -ного формалина, Реакционную массу выдерживают в течение 3 ч при 67 «+ 3 С и охлаждают до 20 — 25 С, а затем выделяют на 700 г деиониэированной воды, охлажденной до 5-10 С. Выделившуюся смолу отфильтровывают, промывают деионизированной водой, отжимают. Пасту смолы растворяют в 277 г уксусной кислоты при перемешивании и нагревании до температуры 40-50 С. Затем охлажденный раствор выделяют на 185 г деионизированной воды,охлажденной до 5 — 10 С. Выделившуюся смолу отфильтровывают, суспендируют в 60 -ной водной уксусной кислоте. отфильтровывают, промывают, отжимают и сушат.

Получают креэолоформальдегидную смолу с Т.пл.>155 С; Миг=5000,5500;; (3-4; массовая доля исходных мономеров 0,38,.

Выход 70 от теоретического.

Пример 2 Приготовление композиции фотореэиста.

В реактор загружают смесь метилцеллоэольвацетата (далее МЦА) и ксилола или

5 МЦА, ксилола и диглима, или метоксипропанолацетата, ксилола и диглима, светочувствительные продукты и размешивают в течение 1,0-1,5 ч, добавляют диатомит, раэмешивание продолжают еще 1.0 — 1,5 ч. а за10 тем фильтруют на лабораторном друкфильтре через слой диатомита толщиной 0,5 см, при давлении азота не более 0,2 кгс/см .

Фильтрат помещают в реактор. добав15 ляют смолу и КЭП-2А. размешивают 3-4 ч, до полного растворения смолы, Полученный фотореэист отфильтровывают на лабораторном друк-фильтре под давлением азота не более 0.5 кгс/см через фильтр "синяя

20 лента", а затем последовательно через мембраны с диаметром пор 0,5 и 0,25 мкм.

Количественный состав композиций фотореэистов (2 — 26) приведен в табл. 1, Примеры 17-26 показывают ухудшение

25 фотолитографических показателей качества фотореэиста (внешний вид пленки, дефектность, минимальная ширина воспроизводимого элемента) при использовании в композициях количественного или качест30 венного содержания компонентов, выходя щих за пределы значений, укаэанных в формуле изобретения, Фоторезист перед использованием фильтруют через фильтр типа "Влалипор"

35 МФЦ с диаметром пор 0,2 мкм или патронные фильтры с диаь.етром пор 0,25 мкм и менее.

Фоторезист приготовленный указанным,способом наносят методом центрифу40 гирования при частоте вращения 3500 мин на свежеокисленные кремниевые пластины, предварительно выдержанные в парах гексаметилдисилазана в течение 15-20 мин, Пленку фоторезиста сушат в термошка45 фу при 97 С в течение 40 мин. Пленку экспонируют на установке совмещения— экспонирования ЭМ-576 через тест-шаблон с чередующимися темными и светлыми линиями размером 1 и 2 мкм, контролируя

50 дозу экспонирования датчиком ДАУ вЂ” 81.

Иэображение проявляют в щелоче-боратном проявителе с концентрацией щелочного агента 0.24 моль/дм в течение 30-60 с. Термообработку проявленного рельефа

55 проводят в термошкафу при температуре от

120 до 200 С в течение 20 мин.

После проведения термообработки при заданной температуре контролируют с по1825425 мощью микроскопа внешний вид проявленного рельефа.

Температура, при которой происходит полное затекание рельефа, характеризует термостойкость пленки фоторезиста.

Фотолитографические характеристики пленок предлагаемого фоторезиста представлены в табл. 2.

На основании результатов, приведенных в табл. 2 видно, что: использование в композициях крезолоформальдегидного новолака с массовой долей исходных мономеров менее

0,55 позволяет получить термостойкость пленки фоторезиста на уровне 170-210 С, использование в качестве выглаживающей добавки кремнийорганического блоксополимера КЭП вЂ” 2А позволяет получить гладкие равномерные пленки с уровнем микрошероховатости 2-5 нм до и после проявления, что обеспечивает пригодность заявляемого материала в микролитографических процессах.

Предлагаемый в изобретении компонентный состав фотореэиста обеспечивает высокое разрешение (1 мкм) и низкую мик-2 родефектность пленок (0,05 см ), что позволяет повысить выход годных изделий и увеличить производительность труда.

При испытаниях композиционных составов. выходящих эа пределы формулы изобретения.установлено: а) при использовании пленкообраэующего компонента с меньшей средневесовой молекулярной массой (примеры 17, 20, 21, 24) и массовой долей исходных мономеров более 1 jo термостойкость пленки фоторезиста резко уменьшается (менее 160 C); б) при исключении иэ состава фоторезиста выглаживающей добавки резко повышается уровень микрошероховатости пленки, что, делает непригодным использование фоторезиста в процессах проекционной фотолитографии; в) использование в фоторезисте пленкообразующего компонента с средневесовой молекулярной массой более 8000, а также использование всех светочувствительных продуктов с большей массовой долей HXDгрупп значительно дестабилизирует фоторезист, повышает микродефектность пленки и вызывает выкристаллизацию светочувствительного продукта в пленке и образование гелеобразных включений смолы; г) и, как видно иэ данных табл. 2 количественное и качественное изменение компонентного состава ухудшает разрешение пленки фоторезиста (раэмер минимально, воспроизводимого элемента).

Фотолитогоафические характеристики композиций фотореэиста. представлены в

5 табл.2

Формула изобретения

Позитивный термостойкий фоторезист, 10 включающий пленкообраэующий компонент, светочувствительный компонент и органический растворитель, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения термостойкости до 170-210 С, уменьшения микроше15 роховатости и дефектности пленки фоторезиста, он в качестве пленкообраэую- щего компонента содержит крезолоформальдегидную новолачную смолу. полученную из м- и и-креэолов формулы!

ОН

OH ф)-сн, сн ф

25 СНЗ

OX

СН2

ХО

ОХ

СО ф

45 где Х вЂ” водород или 0-нафтохинондиазиднвя группа (НХО-группа). с массовой долей HXD-групп 45-55, и

1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфира

50 2,4-диоксибензофенона формулы III

ОХ

QO -со-ДО -oD u

55 со средневесовой мол. м. Ядр=4000-8000, полидисперсностью о=3-5, температурой плавления T»=150 160 С, массовой долей

30 м- и п-крезолов в конечном продукте О,T-0,2 мас. $, п=6-10, в качестве светочувствительного компонента содержит или смесь 1.2нафтохинондиаэид-(2)-5-сульфоэфира метилен-бис-(2,4-диоксибензофенона) фор35 мулы II:

1825425

12 где X — водород или О-HXD-группа с массовой долей HXD-групп 56-66, или смесь 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5сульфоэфира метилен-бис(2,4-диоксибензофенона) формулы II, 5

1,2-н эфто хи но нди а эид-(2)-5-сул ьфоэфира

2,4-диоксибензофенона формулы III и 1,2нафтохинондиазид-(2}5-сульфсэфира 2,2, 4,4 -тетраоксибенэофенона формулы IV

Ох 0х хо () со O ов

15 где Х-Н водород или D-HXD-группа с массовой долей HXD-групп 55-65$, 20 или смесь 1,2-нафтохинондиазид(2}5сульфоэфира 2.4-диоксибензофенона формулы II I и 1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфира 2,2, 4.4 -тетраоксибенэофенона формулы IV и дополнительно со- 25 держит крем нийорганический блоксополимер лапрола с полиалкилсилоксаном общей формулы V

ЕН3

I (0 3) $0 $0 Q)($10 ) $ (СН 13 (СН 212 СН3

+».

35 .с, ! где ЯСНэ. СгН CH

Х2-8;

Y-10-120; 40 (CH2)3 в 4-50; со средпевесовой мол. м. MW-100000200000, а в качестве органического растворителя используют или смесь 45 метилцеллозоиьвацетат (МЦА) и,ксилола. или смесь метилцеллоэол! вацетата, дигликрезолоформальдегидная новолачная смола формулы I— смесь: 1,2-нафтохинондиазид-(2}5-суль фоэфир метилен-бис-(2,4-диоксибенэофенона) формулы II—

1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфир 2,4-диоксиб зофенона формулы П!— или смесь: 1,2-нафтохинондиазид-(2)-5-сульфоэфир

2,4-диоксибенэофенона формулы И

1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфоэфир метилен.бис-(2.4-диоксибенэофенона) формулы И—

1,2-нафтохи нондиазид(2фсульфоэфир 2,2, 4,4 -тетраоксибензофенона формулы !Ч— йли смесь:

1,2-нафтохинондиазид (2} .

5-сульфоэфир 2,4-диоксибензофенона формулы И!—

1,2-нафтохинондиазид(2}5-сул ьфозфир 2,2, 4,4 -тетраоксибенэофенона

1 формулы IV— крем нийорганический блоксополимер лапрола с полиалкилсилоксаном формулы У ксилол

МЦА— йли смесь: ксилол— диглим

МЦА— или смесь: ксияол— диглим— метоксипропанолацетат—

19.45 —.23. 1;

4,4 — 8,24; ен2,06 — 2,2;

1.32-1,35

2.63 — 5.43;

3,3-5,8;

3,3-5,4;

3,3-5,8;

0,015-0,030.

3,4-7,0: остальное

3,4-7,0;

7,0-7,1; остальное

3,4-7,0;

7,0-7,1; остальное. ма и ксилола, или смесь метоксипропанолацетата, ди,лима и ксилола, при следующем соотношении компонентов, мас. :

14 аА л

ГЧ

ГГ\ о

О\ л в о СО

D A4

Ю

СО О

Ю

-О

40 в an

С4

4 Ъ

НЪ .О <Ъ

<Ч о

О Г\ а

-О

О\

Ф Ъ

НЪ

ca)

4/Ъ

Ю о л

D о

СЭ

Ф 4

ЪО

44) <"Ъ о

CO а а а

< 4

СЭ О) сэ а л

ФГЪ

-О

an a

° Ъ о а м а .т

Ю

CI

4 Ч о а

Ф Ъ

4 Э

° О

СО о

ОЪ в а

< 4

О ОЭ о в

-О

ГЧ

1 О

ЭГ

<ч

° °

1 О

О СО о Фч о со о

ОЭ

Ю

Ю

° n

o an

4 \

СЭ

ОЭ

ОЪ а -Г

< 4

С4 С4

1 о л

iR

ОЪ в

СЭ an м сэ

Ф Ъ

<Ч

ОЪ

1 О

<4 о м а чъ о

СЭ

Фч о о в

--С О

<Ч о .э о м о а м

О а

ОЪ

4Ч о

С< л an

О

4 ° сч

О ОЭ

D ВЧ

О °

О,Э Ю о 4п

40 а

<ч

Г \ а

° \ ю о о

° 1

I

1

В

1 1

1 1

1 1

al I 4 Г

Е 1

1 1 В

° -=- -4 аА

O ОЭ сэ а о а о в

Ю о

ОР

СЭ

ФЧ

Г \

- Г

НЪ

СЭ < 4

4\ р о

С4

О) аА в и л

О) С

1 ЪО а !

С) О)

О 4 4

Ю

ОЭ О

СЭ

ГЪ

Э -т

<.Э

< 4

<Р

НЪ <ч

<ч

СЭ ОЭ . о а с=

° Г\

Г4

I <О 1 ! I ! 1

1 4 г- — °

ОЭ

1 <О о ч о а

in o

СЭ о

<Ч

СЭ л

-В О о и ,О <Ч

< 4 ю о

1 I а 1

4 4

r — I ! I

1 1

1 1

I - Г 1

1 1

ОЭ

С4

° О

I <О

И

Гч

СЭ Г4 сэ м

in а о

СЭ л

-т ЧЭ

С4

СЭ

Р <4

<4

О ЧГ сэ м

В л

СЪ

Ф

I 40

О Ъ

CO аА аА .О сэ сэ

СЭ <4 о

О) О

-ю

Фч

Ю

Э

ОЪ

СЭ

Г4 .О а Гч м сэ сэ о! ГЪВ

1 4

4А

О ю м о а с» а

Ю

-Г О

СЭ НГ

<ч

Ю

Э ОЭ

СЭ

Г4

Ю Ч)

О

О чэ сч

1 I

1 I

1 Г 4 1 ч! 1

1 З I

1 g 1

1 I о !

4 4 м сч

О

<О

<ч

Ю ОЭ а Оэ

ОЪ

-т

В1 Я 1 с !

О <Ч

Ф"Ъ Ф Ъ

4 Ъ!

I б сч о

СГГ

<О

33

0g

ZC ОГ

Q Ca 2 е у z у с а Б ч

rv эс

Й о

Вб

Й s уч у с

Hk

° -а 2

7 е

4Z у

1 о ес а 9

r v!

О е с

Iа

Ч

4 С

3 ."

- к

z с

I- В е

Ф- а

1 1 I

1 1 I

1 1 1

1 1 1

I 1 1

1 !<п!! 1 1! I 1

1 I 1

I 1 I

1 Г 3 с

1 !

ВСВ 1 ФЧ !

Щ 1 4! Ф I! — 4

1 1 1

1 1

1 1 1

1 1 I

1 1 В

1 1

° 1 1

1 ° В! I

СЭ !! I 1! I 1 г †.-3

1 1 1

1 1 1

1 I !

1 1 ОЪ

1 I 1

à — В

1 1 1

1 1 1

1 1 1

1 I CO

1 1 1

1 !

1

I

1

1 !

1

I

1 ! з

l 1

7 1 е

z 1 о

1 о

ЭС 1 а е ° с ае с R I.ec

1 Рии е ксс2

ez сс

С4 ОО о - царе

v e Ф.

В)Ч CCCZ еч еее

7 Я 7 н

Н ЭГ

ЭВ 1 с с 1

Э СЕ

z ).z аао

819

4 ЭЭС Y

8сс ос с о о а ц ВВ

3с с

° ч и счч

С)э Я с н ле н az

О О е I эРо

ZZ ВС

Вйс о о асс

Есс

a)22 Ф.

1025425

° с z

w ле

44az о

З 1 лИ о

zz c а

Зсс о о а сб С

SIC

3О QCC счч

uz.Я 1э е е о и е

У 44 ОСГ

v g u

z 3 v 2

7 а< е

8- е с е

9 с с 7 с и е

r Ct ОВ

1

1

1

4 ! !

1

4 !

1

1 ! (I

В

В

1

1

I

I

Ф

1 ! !

1

1

1

I !

4

Ф !

В

I !

I

I

4

1

1

1 ! !

1

1

1 !

Ф

I

I

Ф

1

I

I

I

1

Ф

1

1

1 !

1

1

В

1 !

I

1

15

16 х т о т.

3-Ulo е са

1 1

1 1

1 1

1 ЧЪ 1

I r4

1 1

3 — — Ч

1 1

1

С а!

I СЧ 1

1 1

1 1

1 1

I I

1 1

1 Ф 1

/4 м о

О ГЧ

СЭ

СЭ

LA н\

Г/\

НЪ

СЭ ,О -Ф

ОО

О\

СЗ

СЭ

О\ О

Ф Г

* в

1

lY °

С! о

О

СЗ CI

СЧ

Э о сч

LA о

4О а

Cl

OO О

44

О

СЗ

СЗ И с9

8»

СЭ

an о ъо а

СЭ

С 4 н\

rI

О о о

Г 1 ЧЭ а о

Е Iи

Г Ъ

Ro

Ю в х ф а л

ГГ\ а !

СЧ О

Г" Ъ

СЧ

CI

CI

LA нъ

О Lra м

О О о м .Ф

ОЪ

M Ln

CO

ОЪ

О о

1 I

М 3 н \

С о о л

1 о ох а в в

r x с е

Cl о

CI

СЗ

СЭ

СЧ

Ф о сч, о а м

ОЭ

ЧЗ о

° Т

ОО а о

OO

ЧЗ

Г 4

СЭ о

СЧ

СЗ CI

СЧ л л а

,О

° Г\

ОЭ

О\

° /\

X а»UL/

3. Z Во осео хст1

Е 1! v о

О

СЧ

СО о м

-ЭГ

ОЪ

° Ъ LA о а м

ЧЭ

СЧ

СЭ

Cl О о

Л 1 ЧЭ

О м

СЗ

Oi

СЭ м

СЭ

r4

ОЗ о о

ОЭ

ЗГ ОЭ о

° Cl

ОЗ

ЧЗ С 4

4 4

СЭ о

СЧ

СО

Г

-Ф 1 ъо а е т

X а г а в

Х а z

3- Е

СЭ о о о

Cl

С 4

Irl о о а

ОЭ

CLl

СЗ

ОЭ

41 о

СЧ е с

СЭ С

«1

z u т

x a с

X. t!! е а Г3

0 Il- v

СЭ о о

СЭ

СЧ

СЧ д

О СЧ о а ф

ОЭ

СЭ

CO

° О

С 4

СЗ

СЭ

СЧ

44 в и е оэ

С

СЭ

Г \ л 1 ЧЭ

ОЪ

СЧ м

CI о

СЭ

СЧ

СЗ

Сз м

l- I о и! !

aO !

ОЭ

ГО

СЪ

ГО

r4 м

О о. сч

О о нъ н ъ

ОЭ

ОЪ аА

С 4

СЭ

CI м м о

3 1

Г

ОЭ. О

СЭ

СЭ о

ОЭ

CO ГО

СЧ °

ОЪ о

СЗ ъО

С/\

ОЭ

CA

LA м

СЗ

СЭ

Э

44 Ъ

О СЭ л

1 3

I 1

I 1

LA

ОЭ

ЧЭ

О м

Л 1 ЧЭ н \

Cl

an o

an о о сч

СЭ

CI о

-Т

СЭ

СЭ ъО

ОЭ ОЪ а! !

1" !

ОЭ

° /\

1 ,е с о

С3 м

y u и т о

В е

X: 1мЖ

0 J л сч и (а м

8м и т ет

Ug

zc с- х а о а 3 а о

ЭС И

i с

° с

) л

Гч а н т 3

Л ЭС

XZ о

a cX

4 « а 8 с и

СЛЭ Я

ССС л сл те

a az вон о

g2o

g R с!8" о z ав

« и

Z 4 М т 43 и

« и о еее

° ° z ооо !," "1

z

z о ! о

Y о

8 и

Я I

Гч

Ъч а н

Л I

5 х

2

eX: о

v e

i v

1:. «

1 « т

5 !

i

8 я е у а

I3 о

1 о х о

a cX

31 м и и и! ! ет те м

3 х

1 ГЧ

1 1

1 I

1 1

1 I

1 1

1 СЧ I

1 СЧ 1! ! -1

I 1!

1 1

СЧ I!! — -4

СЭ !

1 п! 1

1 1!

С.Ъ 1

1 1

1 1

3 — — 3

1 1

1 I

1 I

ОО! 1

3 ЭЗ

1 1

1 1

1 1! л! о ОЪ

О ГЧ

О M

M С 4

CI СЭ о

ОЪ . О

M О ° а

1825425

CO о

ОЪ О ъо

--» л an

С 4 СЧ

О ОЗ л

О .О С,Р

Г Ъ си о

/ I ЧЗ т ° 1 ахвсэс в

3-твиха

V «Z O СГ 43

ОС«тоте а

t lC Zо

u aX ran

O«3-Z!

I-ЕИ«о еоgссо

1 1 е u I

2Ф «К е т е 3- 43 С 3 а о! авсэ в во иаоито

О«3 ОЕО

*1-ихт» 1

/4 !

3ФхОЗ„4 х в 3! в о е э IO ст

1 1 Y U

С Йе оно в е/4 ° гîaес

3-, ГЪ V V Х С 3- С

Ik

1 1

cl т g I а е с-э

43 т аоvzo

Е «3-ОВО а-оurx

I в н т б с и ф IO а е

Ф 8 О с е

U тО «а а

R«,iJ т О ее От с z с с

От х в. Оз ц 4 и т т т

18

1825425

Таблица 2

120

2,0

0,1

180

0.05

1.0

210

0,05

1,0

190

0,05

1,0

190

0.05

1.0

200

0.05

1,0

180

1,0

0,05

200

0.05

1.0

1,0

190

0.05

1.0

200

0,05

10 48

1.0

0,05

190

1,0

0,05

180

1,0

200

0,05

1,0

0,05

180

0.05

1,0

200

48

1.0

0,05

190

2,0

0.075

155

0,5

210

210

2,0

0,5

0,2

2,0

155

2,0

0,056

155

0,5

210

2,0

0.10

190

2,5

0,075

155

0,5

210

2.5

0.080

100

190

Пример

Прототип термостойкость пленки фоторезиста, Ос микрошероховатость пленки, нм

30 — 100

Показатель микродефектность, деф. см минимальновоспроизводимый размер элемента, мкм коэффициент оптичесгого поглощения пенки,