Селективное оптическое покрытие

 

Сущность изобретения: селективное оптическое покрытие содержит смесь гексаборидов нескольких редкоземельных элементов или гексаборидов редкоземельных и щелочноземельных элементов хМе Вб+уМе Вб, где х 1-4, у 1-4 или их твердых растворов Мех Меп1-хВб, где х 0,5-1. Получают Заданное спектральное положение полосы пропускания света. 5 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (И) 00

I (sl)s С 03 С 17/22

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4919225/33 (22) 28,01.91 (46) 15.07.93. Бюл, hL 26 (71) Житомирский сельскохозяйственный институт (72) В.И, Бессараба, А.M. Васильев, Е.M.Äóäник и В.Б.Филиппов (56) Заявка Японии М 77-30525, кл. С 03 С

17/22, опубл. 1977.

Патент Франции М 1395395, кл. G 02 В, опубл. 1964.

Изобретение относится к оптической промышленности и может быть использовано при изготовлении оптических фильтров.

Целью изобретения является получение заданного спектрального положения полосы пропускания света.

Поставленная цель достигается тем, что для получения оптического покрытия приготавливают сложные гексабориды металлов в виде смесей хМе Be+ УМе Be или их твер1, II дых растворов Ме хМе х-1Âe, Полученные

I вещества подвергаются электронно-лучевому, катодному, магнетронному и другим видам вакуумного распыления с осаждением до толщины 0,2-0,7 мкм на нагретые до

500 — 700 С оптически прозрачные подложки с последующим отжигом при температуре осаждения или больше ее на 50-100 С в течение 0,5 — 1 ч. В зависимости от состава, т,е. от содержания того или иного компонента, электронная структура соединения претерпевает изменения, что сказывается на кинематических параметрах носителей заряда и, в свою очередь, на спектральных характеристиках образцов.

{54) СЕЛЕКТИВНОЕ ОПТИЧЕСКОЕ ПОКРЫТИЕ (57) Сущность изобретения: селективное оптическое покрытие содержит смесь гексаборидов нескольких редкоземельных элементов или гексаборидов редкоземельных и щелочноземел ь н ых элементов .хМе Be+yMe" Вб, где х = 1-4, у = 1-4 или их твердых растворов

Мйх Ме 1-хВе, где х = 0,5-1. Получают заI II данное спектральное положение полосы пропускания света. 5 ил.

На фиг.1 представлены зависимости отражения R от волнового числа k тонких пле- Я нок сложных гексаборидов РЗМ и ЩЗМ

Lao,7Pãî,çBe (1), Lao,îÑà0,1В6 (2), 4 LaBe +

+1NdB6 (3) в видимой, ультрафиолетовой и инфракрасной областях, полученные электронно-лучевым распылением соответствующих материалов-при температуре подложки

600 С и отожженных при этой температуре в течение 0,5 ч. Как видно из спектров, спектральное положение минимума отражения QQ света и, соответственно, максимума его пропускания зависит от состава компонент различных пар, например, (а и Pr, 1 а и Са, La u

Md и от относительного их содержания.

Зависимости спектральных характеристик для определенных пар РЗМ и ЩЗМ от содержания компонент имеют монотонный характер.

На фиг.2-3 представлены спектры отражения пленок, полученных электронно-лучевым испарением смесей xLaBe + у YBe(4La Be+ ИВв(1), 3La Be+ 2YBs (2), 2La Be

+ 3 т В6 (3), 1LaBe + 4УВв (4) и твердых растворов LaxY>-хВ6, где х - 1 (1), х = 0,9 (2), х-0,8 (3), х - 0,7(4); х-0,5 (5). Полученная из

1827368 данных спектров зависимость волнового числа k экстремума спектральных характеристик от содержания компонент х (фиг.4) показывает, что, меняя соотношение компонент в составе смеси или твердого растворе, можно изменять положение экстремумов, т.е. максимума прапускания и минимума отражения, изменяя наперед известным способом полосу пропускания получаемого покрытия, На фиг,5 представлена зависимость отражения Й от волнового числа к света для тонкой пленки сложного гексаборида, представляющего собой твердый раствор

Lap,эВао,4Вб, в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, полученной электроннолучевым испарением соответствующего соединения на подложку при температуре

600 С и отожженной при этой же температуре в вакууме в течение 0,5 ч.

Как видно иэ рисунка, спектральное положение экстремума R из-за присутствия в составе пленки редко- и щелочноэемельных ионов смещено по отношению к положению

Ймин s спектрах соответствующих компонентов, Возможность регулирования .оптического спектра покрытия необходима при их использовании s растениеводстве, а именно, при и редпосевном облучении семян (для улучшения их посевных качеств и повышения урожайности растений) и использовании в тепличном освещении.

Использование предлагаемых оптических покрытий позволяет по сравнению с

10 существующими образцами изменять свойства оптических селективных фильтров в заданном направлении.

Ф о р мула и з обре те н и я

Селективное оптическое покрытие, 15 включающее гексаборид редкоземельного . элемента, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения заданного спектрального . положения полосы пропускания света, оно дополнительно содержит гексаборид друго20 го редкоземельного элемента или щелочноземельного элемента, при этом смесь или ее твердый раствор имеют соответственно состав хМе Вэ+уМе Вб, где х-1 — 4, у-1-4, или Me xMe 1 хВв, где х - 0,5-1,0.

I в

1827368

/О

1827368

/О Я

Редактор

Заказ 2344 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

@5

Л2 lЮс.сс

ФиаУ

Составитель 8. Бессараба

Техред М.Моргентал Корректор Н. Король