Способ абразивной обработки полупроводниковых материалов группы а @ в @

 

Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, к обработке арсенида галлия и других материалов группы . Сущность изобретения: в смазочно-охлаждающую жидкость при обработке дополнительно вводят водорастворимую присадку, химически превращающую в водорастворимые нетоксичные соединения газообразные токсичные продукты, выделяющиеся при обработке. При резке и шлифовании арсенида галлия в качестве водорастворимой присадки используют перманганат калия или смеси веществ. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 01 (21/304

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (р.

1 (21) 5005480/25 (22) 21. t 0.91 (46) 30.07,93. Бюл. ¹ 28 (76) В.В. Рогов (56) Бочкин О,И. и др. Механическая обработка полупроводниковых материалов. M.;

Высшая школа, 1983. с. 20 — 21.

Запорожский В,П. и др. Обработка полупроводникдвых материалов. M. Высшая школа, 1988,. с. 38 — 62. (54) СПОСОБ АБРАЗИВНОЙ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОЙ,НИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

ГРУППЫ А В

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при резке и шлифовании полупроводниковых материалов группы

А В, таких как арсенид галлия, фосфид индия, Целью изобретения является повышение безопасных условий труда.

Поставленная цель достигается тем, что в способе абразивной обработки полупроводниковых материалов группы А В в приш v сутствии смазочно-охлаждающей жидкости с водорастворимой добавкой, в качестве водорастворимой добавки используют вещество, химически связывающее выделяющиеся газообразные продукты в водорастворимые нетоксичные соединения.

При обработке арсенида галлия в качестве водорастворимой добавки используют перманганат калия при добавлении его в сма„„ Ы „„1831730 А3 (57) Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, к обработке арсенида галлия и других материалов группы А В . Сущность изобретения: в смазочI I I но-охлаждающую жидкость при обработке дополнительно вводят водорастворимую присадку, химически превращающую в водорастворимые нетоксичные соединения газообразные токсичные продукты, выделяющиеся при обработке, При резке и шлифовании .арсенида галлия в качестве . водорастворимой присадки используют перманганат калия или смеси веществ. 1 з.п. ф-лы. зочно-охлаждающую жидкость в количестве

0,5 — 3,0%.

Поскольку СОЖ поступает непосредственно в зону контакта абразивного инструмента с полупроводниковым материалом, наличие вещества, взаи. здействующего с газообразными токсичными соединениями, позволяет снизить уровень выделения вредных веществ с атмосферу, т.е. улучшает условия труда. Так, при резке или шлифовании арсенида галлия выделяется арсин, который химически взаимодействует с раствором перманганата калия с образованием водорастворимой соли мышьяка.

В качестве добавок можно использовать бихромат калия, углекислый калий и т.п, Пример. На станка-резке "Алмаз-6M" проводят резку монокристалла арсенида галлия на пластины с помощью алмазного

1831730

Составитель В.Рогов

Техред M.Ìoðãåíòàë

Корректор Л.Пилипенко

Редактор

Заказ 2553 Тираж, Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 круга с внутренней режущей кромкой АСР

60/53. Готовят СОЖ в виде 0,5-3,0 -ного раствора перманганата калия. СОЖ с помощью помпы подают на режущую кромку круга, вращающегося с частотой 1800-2000 об/мин. Скорость подачи S — 10 мкм/мин.

Измерение содержания арсина в воздухе производственного помещения показало, что его содержание значительно ниже предельно допустимой концентрации. Введение добавки в СОЖ не ухудшает качество обработки, а снижает выделение арсина в воздушную среду, т.е. обеспечивает достижение поставленной цели.

Эффективность способа заключается в возможности повышения срока службы фильтрующих элементов вытяжных систем, улавливающих вредные вещества типа арсина, в улучшении условий труда обслуживающего персонала на оборудовании резки и шлифования полупроводниковых материалов группы А В .

Формула изобретения

1. Способ абразивной обработки полупроводниковых материалов группы А В в присутствии смазочно-охлаждающей жидкооти с водорастворимой добавкой, о т л ич а ю шийся тем, что в качестве водорастворимой добавки используют вещество, химически связывающее выделяющиеся газообразные продукты в водорастворимые нетоксичные соединения.

2. Способ по и. 1, отличающийся

"5 тем, что при обработке арсенида галлия в качестве водорастворимой добавки используют перманганат калия при добавлении его в смазочно-охлаждающую жидкость в количестве 0,5-3,0 .

Способ абразивной обработки полупроводниковых материалов группы а @ в @ Способ абразивной обработки полупроводниковых материалов группы а @ в @ 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а точнее, к односторонней шлифовке полупроводниковых пластин

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано в электронной промышленности для утонения полупроводниковых кристаллов без повреждения годных активных и пассивных элементов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве высокочастотных интегральных схем и приборов на стадии утонения подложки с нерабочей стороны до толщины 30 мкм и более
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при механическом утонении полупроводниковых структур при производстве полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии

Изобретение относится к механической обработке твердых хрупких тел и может быть использовано для формирования фаски на круглых полупроводниковых пластинах и кристаллах
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов
Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы)

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)
Наверх