Способ выявления неоднородностей

Авторы патента:

C30B33/10 - в растворах или расплавах

C30B29/40 - соединения типа A_IIIB_V

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l9l98l

Союэ Саеетснин

Социалистичеснин

Ресау0лин

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.VI.1965 (№ 1013098/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.1.1967. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 15.III.1967

Кл. 48а, 1/06

МПК С 23Ь

УДК 621.357.7:621.315. .592.3 (088.8) Комитет по делам иэобретеиий и открытий ари Саэетв Мииистраа ссср

Авторы изобретения

Л. Я. Кроль, В. С. Векшина и Л."Г. Еланская

Заявитель

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ

В РАСПРЕДЕЛЕНИИ ПРИМЕСЕЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Способ выявления неоднородностей и распределении примесей в монокристаллах полупроводников путем аиодного травления известен.

Особенностью предложенного способа является то, что травление осуществляют в электролите, состоящем из насыщенного хлористым аммоиием раствора одного объема концентрированной соляной кислоты в трех об.ьемах воды в течение 8 вЂ” 10 л ин при плотности тока 180 вЂ” 220 а/см- . Это дает возможность выявить неоднородности в распределении примесей в кристаллах антимонида галлия.

По описываемому способу травлению подвергали монокристаллы антимонида галлия, ограниченные плоскими поверхностями, или образцы, шлифованные окисью алюминия. Исследуемый образец и пластинку из тантала, служащу10 катодом, по(ружали В электролит, представляющий собой насыщенный хлориcTbIM аммонием раствор одного объема концентрированной соляной кислоты в трех обьемах воды. Травление производили при плотности тока 180 вЂ” 220 лта/слт - в течение dâ€”

10 мин при комнатной температуре, после чего образцы промывали водой.

Предмет изобретения

10 Способ выявления неоднородностей в распределении примесей в моиокристаллах полупроводников путем анодного травления, 0Тличающийся тем, что, с целью определения неоднородностей в кристаллах антимонида

15 галлия, образцы антимонида галлия подвергают травлению в насыщенном хлористым аммонием растворе одного объема концентрированной соляной кислоты в трех объемах воды в течение 8 вЂ” 10 мин при плотности то20 ка 180 вЂ” 220 лта/сле.

Способ получения монокристаллов фосфида бора // 167820

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия // 146049

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов // 129338

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия // 126269

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV

Способ получения монокристаллов a3b5 // 2400574

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм

Способ выращивания полупроводниковых соединений // 2023770

Изобретение относится к технологии производства материалов электронной техники и может найти широкое применение в технологии получения полупроводниковых соединений, преимущественно группы А3В5

Способ получения широкозонного окна в лазерной гетероструктуре на основе соединений a3b5 и их твердых растворов // 2032776

Изобретение относится к технологии п/п приборов

Магнитный полупроводниковый материал // 2465378

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов

Способ полировки кристаллов хлорида серебра // 2311499

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике

Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия // 2319798

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам приготовления атомно-гладких поверхностей полупроводников

Способ обработки оптических элементов из селенида цинка // 2338014

Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО 2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн

Способ предэпитаксиальной обработки подложек из оксидов // 2010044

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам обработки подложек из оксидов, в частности из фианита, и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур, преимущественно с соединениями ВТСП (высокотемпературных сверхпроводников)

Способ травления монокристаллов метаниобата лития // 2039134

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающему возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов метаниобата лития, используемых в электронной технике

Способ травления монокристаллов танталата лития // 2040601

Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов танталата лития, используемых в электронной технике