Патент ссср 204444

 

О П И С А Н И Е 204444

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТзУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

М HogL 2 /00 во/ /оо

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 16.Ч.1966 (№ 1077033/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опуоликовано 20.Х.1967. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 15.1.1968

Кл.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.382 (088.8) Авторы изобретения

Ю. Д. Чистяков, Д. Н. Гулидов, С. P. Заитов и А. Б. Вайнштей

Московский институт стали и сплавов

Заявитель

ПРЯМОТОЧНЫЙ ИСПАРИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ

llAP0-ГАЗОВЫХ СМЕСЕЙ

Изобретение относится к области:радиоэлектроники и микроэлектроники.

Известны испарители для получения парогазовой смеси, выполненные в виде резервуара, окруженного термостатом. Такие испарители имеют длинные коммуникации между зоной насыщения и зоной разбавления, а также требуют установки дополнительных устройств для дозировки и контроля расхода газа.

10 ,Предложенный прямоточный испаритель в отличие от известных снабжен натекателем в виде конусного сопряжения с регулируемым зазором, помещенным непосредственно в камеру насыщения со спиральными разделитель- 15 ными экранами. Благодаря этому повышается чистота паро-газовых смесей контролируемого химического состава.

На чертеже схематически изображен испаритель для получения паро-газовых смесей.

Испаритель представляет собой цилиндрический корпус, например, из фторопласта, имеющий центральный канал с камерой разбавления 1 для смешения потока газа, насыщенного парами соединения в камере насыщения 2, с потоком чистого газа в строго определенной пропорции заданной парс-газовой смеси. Соотношение, потоков регулируется, например, с помощью винтового механизма, который 30 перемещает фторопластовый конус 4 и изменяет зазор 5.

Испаряемое вещество наливают в камеру насыщения 2, имеющую спиральные разделительные экраны, а поток газоносителя пропускают над ним. Изменение направления потока и лучшее насыщение обеспечиваются с помощью цилиндрического экрана 6, укрепленного на съемной фторопластовой крышке камеры.

Испаритель окружен цилиндрическим корпусом термостата 7, внутри которого циркулирует термостатирующая жидкость. Два иллюминатора позволяют наблюдать «на просвет» за уровнем испаряемой жидкости.

Испаритель, помещенный в рубашку термостата, представляет собой независимое устройство, которое может крепиться либо на верхнем фланце реакционной камеры для получения эпитаксиальных слоев 1куд!! оч ввертывается на резьбе), либо отдельно. Выходной канал соединяется с помощью фторопластового шланга с печью для диффузии нлн др гим устройством.

При необходимости образования нез iBHcliмых потоков различных наро-газовых смесей, н",правленных !i однv реакцiiонную !<аiiерv, несколько !!с!!зр!!теле!! собирают з одну вер204444.Предмет изобретения

Составитель В. В. Шведова

Редактор И. С. Грузова Техред Т. П. Курилко Корректоры: Г. И. Плешакова и С. А. Башлыкова

Заказ 4208,8 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Ссрова, д. 4

Рипографил, пр. Сапунова, 2 тикальную колонну и с помощью перекрытия

K0HvcHbIx уплотнений вводят поочередно нужный компонент в состав паро-газовой смеси для легирования, например, эпитаксиальных слоев при получении многослойных эпитаксиальных структур. Предлагаемая конструкция не требует больших затрат времени на промывку системы после замены легирующей добавки, так как система компактна и в ней отсутствуют большие коммуникации, стенки которых способны сорбировать легирующие добавки (ВС1з и др.), Прямоточный иопаритель для получения парогазовых смесей, выполненный в виде разъемного резервуара, окруженного термостатом, содержащий камеру насыщения и разбавления, отличающийся тем, что, с целью повышения чистотыпаро-газовыхсмесей контролируемого химического состава, он снабжен натекателем в виде конусного сопряжения с регулируемым зазором, помещенным непосредственно в камеру насыщения, имеющую спиральные разделительные экраны,

Патент ссср 204444 Патент ссср 204444 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы
Наверх