Способ химико-механического полирования полупроводниковых пластин и стеклянных заготовок

 

Сущность изобретения: химико-механическое полирование проводят, как обычно. В качестве полировальника используют нетканый иглопробивной материал, состоящий из полиэтилентерефтальных волокон и пропитанный полиуретаном.

(19) R (11) (5Ц 5 Н01L21 304

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К ПАТЕНТУ

Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам (21) 5041937/25 (22) 14.05.92 (46) 30.10.93 Бюл. Мя 39-40 (71) Центральный научно-исследовательский институт пленочных материалов и искусственной кожи (72) Валеев АФ„Илларионова ВА; Сидоренко И3. (73) Центральный научно-исследовательский институт пленочных материалов и искусственной кожи (54) СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И СТЕКЛЯННЫХ ЗАГОТОВОК (57) Сущность изобретения: химико-механическое полирование проводят, как обычно. В качестве полировальника используют нетканый игпопробивной материал, состоящий из полиэтипентерефтальных волокон и пропитанный полиуретаном.

2002338

50

Изобретение относится к технологии обработки материалов электронной техники и может быть использовано для химикомеханической полировки полупроводниковых пластин, фотошаблонных заготовок и стекол для кинескопов.

Известен способ химико-механического полирования полупроводниковых пластин и стеклянных заготовок, включающий укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их кантактираванием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник с предварительной его пропиткой, При таком способе наблюдается недостаточная долговечность материала в процессе. полирования, низкая скорость съема и малый выход годных пластин.

Цель изобретения — повышение процента выхода годных пластин, скорости их съема и увеличение долговечности материала(палировальника) при расширении ассортимента полируемого материала.

Цель достигается тем, что в способе хи. мико-механического полирования полупроводниковых пластин и стеклянных заготовок, включающем укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на палировальник с предварительной его пропиткай, в качестве полировальника используют материал, состоящий из смеси малоусадочных полиэтилентерефталатных волокон при их содержании от 30 до

100 и высокоусадочн ых полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до

70%, пропитанный полиуретаном при ега содержании s материале от 15 до 65 .

Пример 1. Укрепляют пластину кремния на держателе, полировальный материал — на притире, В качестве полировального материала используют нетканый иглопробивной материал, состоящий из смеси малоусадочных полиэтилентерефталатных

Формула изобретения

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО

ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПЛАСТИН И СТЕКЛЯННЫХ ЗАГОТОВОК, включающий укрепление палируемого материала на держателе и полиравальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непре рывном нанесении полировального состава на палировальник, отличающийся волокон при их содержании от 30 до 100 u высокоусадочных полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до 70%.

Нетканый иглопрабивной материал пропитывают палиуретаном до его содержания в материале от 15 до 65 Далее держатель с полируемым материалом взаимодействует с притиром, на котором укреплен материал

10 (палировальник), при этом взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировал ьник с предварительной его пропиткой.

В качестве малоусадачных полиэтилен15 терефталатных волокон использованы волокна, полученные из расплава полимера, синтезированного путем паликонденсации этиленгликоля с терефталевой кислотой, в качестве высокоусадочных полиэтиленте20 рефталатных BolloKGH — BQJIGKHB, полученные из расплава полимера, синтезированного путем паликанденсации этиленгликоля с терефталевой кислотой, содержащей 4-8% изофталевой кислоты, Полиуретан синтезирован на основе палиэтиленбутиленгликольадипината, 4,4 -дифенилметандиизоцианата и этиленгликоля.

При этом долговечность материала составляет от 160 да 240 циклов. Скорость сьема пластин кремния 18-2,4 мкмlмин, а процесс выхода годных пластин достигает 60700 .

Il р и м е р 2, То н<е, что в примере 1. На держателе закрепляют стеклянную заготовку. При этом долговечность материала составляет от 200 до 270 циклов, скорость съема стеклянных заготовок от 2,5 до 4,0 мкм/мин, процент выхода годных пластин от 50 до 65 .

Предлагаемый способ позволяет улучшить показатели процесса химико-механического полирования материалов по сравнению с известным в 10 — 12 раз. (56} Никифорова-Денисова С.Н. Механическая и химическая. обработка. M.: Высшая школа, 1989, с. 40. тем, что в качестве полировальника используют нетканый иглопробивной материал, состоящий из смеси малоусадочных полиэтилентерефталатных волокон при их содержании 30 - 100 и высокоусадачных полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до 70, пропитанный полиуретаном при его содержании в материале

15 - 65 .

Способ химико-механического полирования полупроводниковых пластин и стеклянных заготовок Способ химико-механического полирования полупроводниковых пластин и стеклянных заготовок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а точнее, к односторонней шлифовке полупроводниковых пластин

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано в электронной промышленности для утонения полупроводниковых кристаллов без повреждения годных активных и пассивных элементов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве высокочастотных интегральных схем и приборов на стадии утонения подложки с нерабочей стороны до толщины 30 мкм и более
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при механическом утонении полупроводниковых структур при производстве полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов
Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы)

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)
Наверх