Маска для напыления пленочных элементов на подложку

 

Использование: электронная техника, изготовление микросхем Сущность изобретения: для увеличения воспроизводимости геометрии пленочных элементов отверстия на высоте 5-100 мкм от плоскости маски, накладываемой на подложку, выполнены размером, на 50 - 2000 мкм превышающим заданный размер отверстий. С целью дополнительного увеличения воспроизводимости геометрии пленочных элементов стенки отверстий выполнены с наклоном 15 - 85 к плоскости маски. 1 зяф-лыЗиа

Комитет Российской Федерации ио патентам и товарным знакам (р) ДЩ (щ 20 (Я) С 23 14 04 (21) 4935415/21 (22) 120591 (46) 30.11ч3 Бюл. Мд 43И

P1) Государственное научно-производственное предприятие Исток . (У2} Иовдальский BA„ Рыбкин ВН (73) Иовдальский Виктор Анатольевич; Рыбюе Владимир Никонович (64) МАСКА ДЛЯ. НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ

3JIEMEHT0B HA ПОДЛОЖКУ (57) Использование: электронная техника, изготов2 ление микросхем Суцность изобретения: для увеличения воспроизводимости геометрии пленочных элементов отверстия на высоте 5 — 100 мкм от плоскости маски, накладываемой на подложку, выполнены размером, на 50 — 2000 мкм превышающим заданный размер отверстий. C целью дополнительного увеличения воспроизводимости геометрии пленочных элементов стенки отверстий выполнены с наклоном 15 - 85 к плоскости маски. 1 зл.ф-лы, 3 ил.

2003735

Изобретение относится к электронной технике, в частности к инструментам для изготовления микроэлектронных схем, содержащих пленочные элементы.

Известна свободная бислойная металлическая маска, содержащая металлическую основу, например бериллиевую бронзу БРБ-2 толщиной 100 ь.км, и слой, определяющий геометрию напыляемых пленочных элентов, например, состоящий из гальванически осажденного. никеля толщиной 10 мкм-(11.

Недостатком при использовании данной маски является набегающее подиагонали подложек рассовмещение пленочных .элементов относительно фотошаблона, вызванное несоответствием термических коэффициентов линейного расширения, При использовании бислойных масок на основе: бериллиевой бронзы с никелевым слоем и поликоровых подложек размером

48 х 60 х 0,5 мм величине такого рассовмещения может достигать примерно 70-90 мкм.

Наиболее близкой к изобретению является маска, представляющая собой подложку из диэлектрического материала, идентичного материалу подложки, на которой изготавливаются пленочные элементы со сквозными отверстиями, повторяющими конфигурацию напыляемых элементов (2), Недостатком данной маски для напыления является большая толщина края отварстий в маске, вызывающая экранирование, что снижает ьоспроизводимость геометрии пленочных элементов, напыляемых через маску (уменьшение толщины напыляемых элементов у краев и в .углах отверстий в маске).

Цель изобретения — повышение качест»

as маски..

Дель Достигается тем, что в маске для напыления пленочных элементов на подложку, содержащей пластину из материала, идентичного материалу подложки, и имеющей отверстия заданного размера, выполненные в соответствии с конфигурацией пленочных элементов, на расстоянии 5-100 мкм от плоскости пластины, прилегающей к поверхности подложки, отверстия имеют размер, превышающий заданный размер отверстий на 50-2000 мкм, а стенки отверстий заданного размера могут быть выполнены под углом 15. 85О к плоскости пластины.

Изготовление масок с уменьшенным размером элементообразующих кромок снижает экранирование стенками отверстий в маске и дает возможность увеличить воспроизводимость геометрии пленочных элементов путем повышения равномерности толщины напыляемых пленочных элементов.

Ограничение высоты расположения расширения отверстий от плоскости маски менее 5 мкм определяется соображениями прочности, а более 100 мкм — увеличением экранирования. Ограничение расширения

"0 отверстий маски менее 50 мкм объясняется увеличением явления экранирования края. ми отверстий, а более 2000 мкм — прочностью стенок отверстий маски.

На фиг. 1 изображена маска-прототип в

"5 разрезе, где 1- маска,2-отверстие в маске, 3- кромка отверстия, определяющая конфигурацию напыляемых пленочных элементов; на фиг. 2 — маска, выполненная по предлагаемому способу, по фиг. 1, в разре20 зе; на фиг. 3 — маска, выполненная по предлагаемому способу по пп. 1 и 2, где нумерация соответствует нумерации на фиг. °

1 и 2, а 4 — наклонная стенка отверстия.

Пример. Маска 1 для напыления

25 пленочных элементов микрополосковой платы гибридной интегральной схеми СВЧ на подложки, например поликоровые, размером 48 х 60 х 0,5 мм выполнена из пол- . икора размером 48 х 60 х 0,5 мм и имеет

30 отверстия 2, кромки 3 которых определяют кснфигурацию напыляемых элементов, например танталовых пленочных резисторов.

На высоте 50 мкм от плоскости маски, накладываемой при напылении на подлож35 ку, отверстия в маске расширяются на 300 мкм (по 150 мкм на каждую сторону), Это обеспечивает достаточную прочность края маски у отверстий и исключает экранировку при напылении, Стенки отверстий могут быть выполнены наклонными, например, под углом 60 к горизонтальной плоскости маски, прижимаемой к подложке, что дополнительно снижает эффект экранирования краями отверстия

"5 маски.

Предлагаемая маска для напыления пленочных элементов позволяет по сравнению с прототипом увеличить воспроизводимость геометрии пленочных элементов за -0 счет повышения равномерности толщины напыляемых пленочных элементов. Кроме .того, в ряде случаев селективно удаляются напыляемые слои с маски.

55 (56} 1, Технология тонких пленок. Т.1/Под. ред. Л; Майссела, P. Глэква. — М.: Сов. радио, 1977, с, 561-564.

2. Научно-технический отчет М 1798215, НПО "Исток" по НИР "Припой", 1988.

2303735

Формула изобретения

1. МАСКА ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ flflEHQ×НЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПОДЛОЖКУ, содержащая пластину из материала, идентичного материалу подложки, и имеющая отверстия заданного размера, выполненные в соответствии с конфигурацией пленочных элементов, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества маски. на расстоянии 5 - 100 мкм от плоскости пластины, прилегающей к поверхности подложки, отверстия имеют размер, превышающий заданный размер отверстий на 50 - 2000 мкм.

2. Маска по п,1, отличающаяся тем, что стенки отверстий заданного размера выполнены под углом 15 - 85 к плоскости 0 пластины.