Хальгогенидное стекло

 

Использование: в электронике. Сущность изобретения: халькогенидное стекло содержит, мас. % : теллур 65 - 70, таллий 10 - 15, мышьяк 2 - 5, индий 12 - 15, бор 2 - 3. Стекло имеет запрещенную зону 0,15 - 0,2 эВ. 1 табл.

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых, преимущественно в электронике.

Известно халькогенидное стекло, содержащее следующие ингредиенты, мас. % : Te 40-80; As 20-60.

Известно халькогенидное стекло, содержащее следующие ингредиенты, мас. % : Te 44-64; Tl 30-50; As 1-12. Запрещенная зона такого стекла составляет 0,3-0,57 эВ.

Цель изобретения - уменьшение запрещенной зоны.

Это достигается тем, что в состав стекла дополнительно вводят In и В при следующем соотношении ингредиентов, мас. % : Te 65-70; Tl 10-15; As 2-5; In 12-15; В 2-3.

В таблице приведены конкретные составы халькогенидного стекла и величина запрещенной зоны.

Предложенное стекло получают в электропечи при температуре 1000^оС. В остальном технология получения предложенного стекла та же, что и известного.

Формула изобретения

ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО, включающее Te, Tl, As, отличающееся тем, что, с целью уменьшения запрещенной зоны, оно дополнительно содержит In и B при следующем соотношении компонентов, мас. % : Te 65 - 70 Tl 10 - 15 As 2 - 5 In 12 - 15 B 2 - 3

РИСУНКИ

Рисунок 1