Установка для плазмохимического травления

 

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: установка содержит рабочую камеру, смеситель травителя, вакуумную систему и очистное устройство. Очистное устройство состоит из реакционной камеры, расположенной между длумя ВЧ-генераторами, один из которых соединен с выходом вакуумной системы, а другой с источником кислорода. 2 ил.

Изобретение относится к электронной отрасли промышленности и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов.

Известны устройства для травления, имеющие камеру, в которой смонтирован улавливатель продуктов травления [1] В известном устройстве улавливатель обеспечивает очистку газа лишь от твердых частиц.

Известны установки для травления, содержащие рабочую камеру, резервуар с травителем, трубопроводы и очистные фильтры [2] Недостатком известных установок является то, что отработанный газ (фреон) ионизируется частично, остальное неотработанный фреон выбрасывается в атмосферу (в лучшем случае частично утилизируется).

Цель изобретения предотвращение загрязнения атмосферного воздуха за счет нейтрализации продуктов реакции.

Цель достигается тем, что очистное устройство выполнено в виде блока нейтрализации фреона, состоящего из реакционной камеры, расположенной между двумя ВЧ-генераторами, один из которых соединен с выходом вакуумной системы, а другой источником кислорода. Благодаря наличию блока нейтрализации фреона происходит полная ионизация фреона в закрытой камере.

На фиг.1 и 2 изображена установка для травления.

Установка для плазмохимического травления содержит реакционную камеру 1, в которой осуществляется травление пластин 2, смеситель 3, СВЧ генератор 4, вакуумный агрегат 5, дроссельную заслонку 6 и блок нейтрализации фреона 7, который включает в себя ВЧ-генератор 8, ВЧ-генератор 9 и реакционную камеру 10. Генератор 8 соединен с выходом вакуумного агрегата 5, а генератор 9 с источником кислорода 11.

Установка работает следующим образом.

В реакционной камере 1 размещают обрабатываемые пластины 2, закрепляя их на одном из электродов (заземленном). С помощью вакуумного агрегата 5 производят откачку воздуха из камеры 1 до необходимого остаточного давления (0,1-1 Па). После чего через смеситель 3 в камеру 1 подается газовая смесь, необходимая для процесса и состоящая в основном из фреона и газообразного азота, процентное соотношение их задается параметрами техпроцесса и зависит, в основном, от скорости, глубины травления, селективности и анизотропии процесса.

Дроссельной заслонкой 6 регулируют и поддерживают необходимое рабочее давление в камере 1. При достижении в камере рабочего давления включают СВЧ-генератор 4. Происходит процесс травления. После процесса травления образуются продукты реакции, которые при определенных условиях разрушают озоновый слой атмосферы. Чтобы избежать этого в установку включен блок нейтрализации фреона 7, который работает одновременно с другими узлами установки травления. Продукты реакции, проходящие через ВЧ-генератор 8, ионизируются и поступают в реакционную камеру-2 10, в которую подается ионизированный ВЧ-генератором кислород. В реакционной камере-2 10 осуществляется принудительное соединение ионизированного кислорода (озона) с продуктами реакции травления. Вследствие этого происходит их нейтрализации. На выходе улавливаются продукты реакции, не взаимодействующие с озоном. Далее отработанный газ может быть подвергнут утилизации или обработке в зависимости от его состава.

При использовании хлорсодержащих фреонов необходимо увеличивать количество подаваемого кислорода и мощность ВЧ-генератора. При использовании фторсодержащих газов на выходе ставятся фильтры с активированным углем.

Установка для плазмохимического травления нейтрализует продукты реакции фреонов, что предупреждает загрязнение атмосферного воздуха.

Формула изобретения

УСТАНОВКА ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ, содержащая рабочую камеру, смеситель травителя, вакуумную систему и очистное устройство, отличающаяся тем, что, с целью предотвращения загрязнения атмосферного воздуха за счет нейтрализации продуктов реакции, очистное устройство выполнено в виде блока нейтрализации фреона, состоящего из реакционной камеры, расположенной между двумя ВЧ-генераторами, один из которых соединен с выходом вакуумной системы, а другой с источником кислорода.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии производства изделий электронной техники, в частности к способам плазменного травления тонких пленок микроэлектроники, и может быть использовано в производстве БИС и СБИС

Изобретение относится к производству микроэлектронных приборов, в частности к устройствам для реализации процессов плазмохимической обработки полупроводниковых пластин, а более конкретно, к плазмохимическим реакторам баррельного типа для травления и удаления функциональных слоев с поверхности микроэлектронных структур на пластинах и их очистки от органических и неорганических загрязнений

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковом производстве для селективного, прецизионного травления кремний-металлсодержащих слоев

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для полирования полупроводниковых частиц

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
Наверх