Способ изготовления магнитных пленок

 

Использование: для изготовления тонких магнитных пленок с заданными свойствами для запоминающих устройств. Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку наносят два магнитных слоя, разделенных немагнитным слоем, и подвергают селективному химическому травлению верхнего слоя, в результате которого одновременно повышается коэрцитивная сила этого слоя и образуются магнитные неоднородности. Магнитостатическое взаимодействие магнитных полей рассеяния от неоднородностей с намагниченностью нижнего слоя ведет к контролируемому увеличению его коэрцитивной силы. 1 ил.

Изобретение относится к области технологии изготовления тонких магнитных пленок с заданными свойствами и может быть использовано при построении запоминающих устройств.

Известны способы повышения коэрцитивной силы магнитомягкого слоя. Один из способов основан на селективном химическом травлении нанесенного на диэлектрическую подложку слоя магнитного материала, сопровождающимся ростом пористости материала, что приводит к увеличению коэрцитивной силы [1] Недостаток этого способа разрушение поверхности рабочего магнитного слоя.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ [2] заключающийся в нанесении на диэлектрическую подложку магнитомягкого и магнитожесткого слоев с формированием в магнитожестком слое магнитных неоднородностей. Магнитостатическое взаимодействие магнитных полей рассеяния от магнитных неоднородностей с магнитомягким слоем приводит к повышению коэрцитивной силы магнитомягкого слоя.

Недостатки этого способа ограниченная возможность контроля за ростом коэрцитивной силы и обязательное использование в качестве одного из слоев высококоэрцитивного материала.

Цель изобретения контролируемое увеличение коэрцитивной силы магнитомягкой пленки.

Способ поясняется чертежом.

Поставленная цель достигается следующим образом. На диэлектрическую подложку 1 последовательно напыляют два магнитных слоя 2, разделенных немагнитным слоем 3. Магнитные слои могут быть получены осаждением одного и того же материала, либо магнитных материалов с различными значениями коэрцитивной силы. Полученная система подвергается химическому травлению, в процессе которого осуществляется контроль за величиной коэрцитивной силы нижнего слоя пленки. При достижении ее необходимого значения травление прекращают.

П р и м е р 1. На диэлектрическую подложку осаждают магнитомягкий слой Fe-Ni-Co, затем немагнитный слой SiO2 и на него наносят слой Fe-Ni-Co распылением той же мишени. Поверхностный слой подвергают селективному химическому травлению, в результате которого одновременно увеличивается коэрцитивная сила этого слоя и появляются магнитные неоднородности. Магнитостатическое взаимодействие полей рассеяния от неоднородностей с намагниченностью нижнего слоя ведет к увеличению его коэрцитивной силы.

П р и м е р 2. На стеклянную подложку ионно-плазменным напылением наносят магнитомягкий слой, содержащий, мас. Fe 15; Ni 64, Со 21, толщиной 70 мм, немагнитный слой Ti толщиной 10 нм, затем магнитожесткий слой СоW толщиной 80 нм и фоторезист. Методом фотолитографии и последующего травления из CoW слоя формируют магнитные неоднородности в виде системы полосок шириной 8 мкм и периодом 30 мкм. Для приведенного конкретного примера увеличение коэрцитивной силы Fe-Ni-Co слоя составляет 8,5 Э (2,5-11 Э).

Использование предлагаемого способа позволяет контролировать величину коэрцитивной силы и при достижении необходимого значения прекратить процесс травления. При изготовлении пленочной системы можно использовать для осаждения слоев один и тот же магнитный материал.

Формула изобретения

Способ изготовления магнитных пленок, включающий нанесение на диэлектрическую подложку двух магнитных слоев и формирование магнитных неоднородностей, отличающийся тем, что между магнитными слоями дополнительно наносят немагнитный слой, а формирование магнитных неоднородностей в одном из магнитных слоев осуществляют после их осаждения методом селективного травления.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к тонкопленочным магнитным материалам на основе органических соединений, предназначенных для элементов функциональной электроники

Изобретение относится к технологии получения ленточных носителеймагнитной записи, Изобретение обеспечивает повьшение качества магнитной ленты, заключающееся в увеличении нагрузки, соответствующей пределу текучестн, уменьшении относительного удлинения под нагрузкой 2Н и остаточного удлинения после снятия нагрузки , за счет того, что получают магнитную ленту отливом пленочной полиэтилентерефталатной основы, двухосной ориентацией, термофиксацией и термообработкой под натяжением 10 - 30 Н/мм при 4-8-кратном удлинении на 20-40%

Изобретение относится к электротехнике , в частности к технологии получения тонких ферромагнитных пленок , и может быть использовано при Изобретение относится к технологии получениях тонких (Ri lOOO А) магнитных пленок (ТМИ) на твердотельных подложках и может быть использовано при создании быстродействующих запоминающих устройств, применяемых в ЭВМ

Изобретение относится к области электротехники, в частности к магниторезистивным считывающим элементам, и может быть использовано в компьютерной технике для считывания информации с магнитных носителей с высокой информационной плотностью, а также в сенсорной технике и автоматике
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью

Изобретение относится к области прикладной сверхпроводимости и может быть использовано при изготовлении механически нагруженных сверхпроводящих обмоток с напряжением проводника больше 100 МПа при работе, а также сверхпроводящих обмоток и устройств, работающих в переменных режимах, например сверхпроводящих магнитов для ускорителей заряженных частиц и сверхпроводящих индуктивных накопителей энергии

Изобретение относится к способу формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала

Изобретение относится к области выращивания монокристаллических пленок

Изобретение относится к испаряющемуся материалу и способу его получения, который может быть использован при изготовлении магнитов с повышенной коэрцитивной силой

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH4OH) или гидразин-гидрата (N2H4·H2O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Изобретение относится к области получения монокристаллических пленок на подложках для магнитных, оптических, магнитооптических и резонансных исследований. Шихту наплавляют в платиновый тигель, компоненты берут в соотношении, мас.%: Fe2O3 - 5,37, В2О3 - 51,23, PbO - 29,31, PbF2 - 13,73. После этого тигель с раствором-расплавом помещают в ростовую печь, нагревают до 900-950°С и выдерживают с перемешиванием при этой температуре в течение суток. Затем температуру быстро снижают до 820-830°С, опускают в раствор-расплав закрепленный на кристаллодержателе диамагнитный кристалл GaBO3 и выдерживают в течение 0,5-3 часа с перемешиванием. Затем температуру медленно понижают со скоростью 3-40°С/ч до 800°С и извлекают кристаллодержатель из печи. Изобретение позволяет получать монокристаллическую пленку FeBO3 на диамагнитной подложке GaBO3. 3 ил., 3 пр.
Наверх