Носитель информации для постоянного запоминающего устройства

 

Использование: в вычислительной технике, в запоминающих устройствах для хранения информации, представленной в дискретной и аналоговой формах (совместно или раздельно). Сущность изобретения: для повышения надежности хранения информации основание выполнено из электропроводящего материала, запоминающий слой выполнен из полупроводникового материала, на внешней поверхности которого выполнены выступы, соответствующие запоминаемой информации, электропроводящий материал выполнен из меди, полупроводниковый материал выполнен из InSb, CaAs, Cd3As2. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в запоминающих устройствах /ЗУ/ для хранения информации, представленной в дискретной и аналоговой формах /совместно или раздельно/.

Известны носители информации, применяемые для хранения информации в дискретном виде, состоящие из основания перфокарты, в которой с помощью перфораторов пробиваются отверстия согласно содержанию вносимой информации [1] Недостатками такого носителя информации являются: пробиваемые отверстия ограничены в размерах, что не позволяет получить высокую плотность хранения информации; невозможно получить высокое быстродействие в связи с механическим перемещением перфокарт; механическое перемещение перфокарт снижает надежность функционирования блока памяти, т.к. недостатком любой механической системы, перемещающей носитель информации, является низкая надежность; невозможно записать информацию в аналоговом виде.

Наиболее близким к предлагаемому носителю информации являются носители информации для хранения дискретной и аналоговой информации, которые содержат основание стекло, на котором нанесен фоточувствительный слой активный слой, изменяющий свои оптические свойства при освещении светом и последующей химической обработке. Информация заносится под воздействием светового потока через трафарет на фоточувствительный слой [2] Недостатком этого носителя информации является то, что при длительном хранении информации происходит физико-химические процессы в фоточувствительном слое, вызывающие искажение информации в таком носителе, т.е. с течением времени надежность хранения информации снижается.

Цель изобретения повышение надежности хранения информации.

Поставленная цель достигается тем, что основание носителя информации выполнено из диэлектропроводящего материала, например, меди, а активный слой выполнен из полупроводникового материала, например, InSb, GaAs, Cd3As2 и другие, на внешней поверхности которого выполнены выступы, разность потенциалов на которых соответствует содержанию записываемой информации.

На поверхности носителя с помощью литографии и химического травления создают рельеф, отвечающий записываемой информации /в дискретном и аналоговом виде/. Поскольку состояние рельефа поверхности носителя самопроизвольно не изменяется, то записанная информация длительное время сохраняется и может быть воспроизведена в любое время.

На чертеже представлен участок предлагаемого носителя информации для длительного хранения дискретной и аналоговой информации, который состоит из основания 1, например, меди, на котором расположен активный слой 2, выполненный из полупроводника, например, InSb, GaAs, Cd3As2 и др. На внешней поверхности 3 активного слоя 2 создан рельеф 4 в соответствии с содержанием хранимой информации. Перепад высоты рельефа 4 соответствует заданному перепаду напряжений между верхней и нижней поверхностью выступов, U и зависит от материала носителя 3 /активного слоя/.

Предлагаемый носитель информации работает следующим образом.

На поверхность 1 /фиг. 1/ наносится активный слой 2, например, InSb, GaAs, Cd3As2, поверхности которого 3 с помощью литографии придают рельеф, соответствующий записываемой информации. При считывании информации включают магнитное поле Bo, направленное параллельно поверхности носителя, и пропускают постоянный ток, так, как показано на фиг. 1. При этом под действием силы Лоренца электроны перемещаются к рельефной поверхности, заряжают ее и создают в слое полупроводника электрическое поле Холла Ех. В условиях установившегося режима выполняется равенство электрических сил Fl= Fэ, т.е.

Здесь Vc скорость дрейфа электронов; Co скорость света в вакууме.

Отсюда определяется величина постоянного поля Холла Вследствие создания рельефа поверхности, ее потенциал будет изменяться соответственно высоте h, т.е. от Eh1=V1 до Eh2=V2 и образовывать перепады потенциала , которые отражают хранимую информацию.

Преимущество предлагаемого носителя информации относительно прототипа заключается в том, что здесь нет механического перемещения носителя информации, что обеспечивает высокую надежность. Кроме того, в предлагаемом носителе информации высокая плотность записи и высокое разрешение.

Формула изобретения

1. Носитель информации для постоянного запоминающего устройства, содержащий основание, на котором расположен запоминающий слой, отличающийся тем, что основание выполнено из электропроводящего материала, запоминающий слой выполнен из полупроводникового материала, на внешней поверхности которого выполнены выступы, соответствующие запоминаемой информации.

2. Носитель информации по п.1, отличающийся тем, что электропроводящий материал выполнен из меди, полупроводниковый материал выполнен из InSb, GaAs, Cd3As2.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при конструировании интегральных схем высокой степени интеграции

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения надежных цифровых усройств

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к постоянным запоминающим устройствам, в накопителе которых в качестве логических ячеек используют ячейки упорядоченных поверхностных структур

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике, в частности к постоянным и полупостоянным запоминающим устройствам с коррекцией ошибок

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении МНОП-схем памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в электрически перепрограммируемом постоянном запоминающем устройстве на МНОП- транзисторах, Целью изобретения является повышение надежности матричного накопителя

Изобретение относится к вычислитель- , ной технике, в частности к постоянным запоминающим устройствам (ПЗУ), используемым в цифровых вычислительных устройствах

Изобретение относится к запоминающим устройствам, в частности к полупостоянным ЗУ с коррекцией ошибок

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для вычисления логических функций в отказоустойчивых системах

Изобретение относится к вычислительной технике и может использоваться при медицинском страховании, учете рабочего времени в скользящем графике, телефонии и т

Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти

Изобретение относится к программируемому материалу памяти и к ячейке памяти, содержащей указанный материал памяти, в частности к тонкопленочной ячейке памяти

Изобретение относится к программируемым элементам памяти, к способам и устройству для их считывания, записи и программирования

Изобретение относится к электрически адресуемой энергонезависимой постоянной памяти
Наверх