Тонкопленочный электролюминесцентный индикатор

 

Использование: изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность: изобретение направлено на устранение кристаллизации буферных диэлектрических пленок, расположенных между пленкой люминофора и диэлектрическими пленками - верхней и нижней при высокотемпературных обработках. В качестве буферных диэлектрических слоев используются стеклянные пленки SiO2-Al2O3-B2O3-BaO следующего состава по массе: SiO2 50,8%; Al2O3 9,4%, B2O3 21,8%, BaO 18,0%.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов и экранов.

Известен тонкопленочный электролюминесцентный индикатор, в котором между пленкой люминофора и нижней и верхней пленкой диэлектрика размещен буферный слой из диэлектрика двуокиси кремния, толщиной 30-50 нм [1] Это позволяет уменьшить деградацию индикатора в процессе работы, а также повысить электрическую прочность электролюминесцентных ячеек индикатора. Недостатком такого индикатора является то, что коэффициент линейного термического расширения пленок двуокиси кремния SiO2 чрезвычайно мал (510-7 1/град.) и значительно меньше КЛТР стеклянных подложек. Поэтому при осаждении этих пленок из-за разности КЛТР образуются в пленках микропоры, микротрещины и разрывы, что уменьшает процент выхода годных приборов.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому решению является решение [2] в котором в качестве буферных слоев используются пленки нитрида кремния, имеющие КЛТР, близкий к КЛТР используемых стекол-подложек.

Недостатком известного решения [2] является высокая кристаллизационная способность пленок Si3N4: при температурных обработках при (600-700)oС (обычных при производстве индикаторов) происходит кристаллизация пленок, что приводит к снижению электрической прочности и уменьшению срока службы индикаторных ячеек.

Задача изобретения устранение кристаллизации буферных слоев при сохранении минимальной разности КЛТР буферных слоев и КЛТР подложек из стекла.

Эта задача решается тем, что в качестве буферного слоя используются пленки некристаллизующегося стекла состава SiO2-Al2O3-B2O3-BaO (50,8% -9,4%-21,8% -18,0% ). Пленки из этого стекла имеют КЛТР, близкий к КЛТР стеклянных подложек (3,5-4,5)10-6 1/град. и не кристаллизуются вплоть до температуры плавления (750 С). Указанные процентные отношения являются оптимальными с точки зрения КЛТР и кристаллизационной способности пленок стекла. При содержании в пленке двуокиси кремния больше 50,8% уменьшается КЛТР и одновременно увеличивается температура плавления стекла, что затрудняет процесс нанесения пленок, что нежелательно. При уменьшении содержания двуокиси кремния пленки стекла начинают кристаллизоваться при температурных обработках, что также является нежелательным. Аналогичная картина наблюдается и при изменении содержания оксида алюминия. Отрицательно сказывается на качестве изготовления индикаторов как увеличение содержания оксидов бора и бария (это приводит к снижению температуры плавления менее 700oС), так и уменьшение содержания оксидов бора и бария, которое приводит к росту кристаллизационной способности пленок.

Пример: На основе предложенного технического решения были изготовлены электролюминесцентные индикаторы, имеющие следующую структуру электролюминесцентных ячеек: пленки люминоформа ZnS:Mn осаждались на пленки танталата бария BaTa2O6, сверху также осаждали пленки танталаты бария. Между пленками танталата бария и пленками люминофора располагались буферные слои тонких пленок стекла SiO2-Al2O2-B2O3-BaO толщиной 20-50 нм. Пленки стекла в процессе термообработки при температуре 700oС не кристаллизовались и на поверхности пленок не образовалось пор и микротрещин.

Формула изобретения

Тонкопленочный электролюминесцентный индикатор, имеющий между пленками люминофора и диэлектрическими пленками дополнительно тонкие буферные диэлектрические слои, отличающийся тем, что в качестве дополнительных буферных слоев используются пленки стекла SiO2 Al2O3 - B2O3 BaO, мас.

SiO2 50,8 Al2O3 9,4 B2O3 21,8 ВаO 18



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электролюминесцентным излучателям и может быть использовано при визуальном отображении информации

Изобретение относится к приборостроению , в частности к устройствам визуального отображения информации

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для отображения информации в устройствах индикации

Изобретение относится к области вьиислительной техники и используется для отображения информации в устройствах индикации

Изобретение относится к электролюминесцентным источникам света, а именно к электролюминесцентным индикаторам, выполненным на их основе

Изобретение относится к электролюминесцентным индикаторным панелям, в частности обеспечивающим уменьшение отражения окружающего света для улучшения видимости панелей при солнечном свете

Изобретение относится к электролюминесцентным индикаторным панелям, в частности, обеспечивающим уменьшение отражения окружающего света для увеличения видимости панели при солнечном свете

Изобретение относится к области светотехники, элементной базы микроэлектроники, электронного материаловедения

Изобретение относится к области электронной техники

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов

Изобретение относится к оптоэлектронному устройству (100), содержащему, по крайней мере, одну оптоэлектронную активную область (101), которая содержит, по крайней мере, задний электрод (102) и передний электрод (103), между которыми помещен органический оптоэлектронный материал (104), причем упомянутый задний электрод (102) является отражающим, а перед упомянутым передним электродом (103) расположен защитный слой (105)

Изобретение относится к системе для изготовления электролюминесцентных устройств. Технический результат – создание светильников сложной конфигурации, которые не поддаются расслаиванию под механическим, температурным и длительным ультрафиолетовым воздействием, технологичных для размещения на поверхностях со сложной топологией. Достигается тем, что в способе изготовления конформной электролюминесцентной системы электропроводящий базовый пленочный слой монтажной панели (16) наносят на подложку (12). Пленочный слой диэлектрика (18) наносят на пленочный слой монтажной панели (16), затем пленочный слой люминофора (20) наносят на пленочный слой диэлектрика (18). На пленочный слой люминофора (20) наносят светопропускающий электропроводящий пленочный слой электрода (22). На пленочный слой электрода (22) может быть нанесена токопроводящая шина (24). Предпочтительно, для пленочных слоев монтажной панели (16), диэлектрика (18), люминофора (20), электрода (22) и токовой шины (24) применяют растворы на водной основе, которые наносят путем напыления конформных покрытий. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 13 ил.
Наверх