Магнитный носитель информации
Магнитный носитель информации, выполненный в виде диэлектрической подложки, нанесенной на нее аморфной ферромагнитной пленки с перпендикулярной магнитной анизотропией, содержащей 40 - 47 мас.% диспрозия и кобальт, и покрытия из моноокиси кремния, отличающийся тем, что аморфная ферромагнитная пленка выполнена с дополнительным содержанием висмута при следующем соотношении компонентов, мас.%: Диспрозий - 40 - 47 Висмут - 1,5 - 5 Кобальт - Остальное
Похожие патенты:
Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике
Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам на цилиндрических магнитных доменах
Элемент памяти // 2029391
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано при изготовлении перепрограммируемых элементов памяти
Формирователь управляющего магнитного поля для накопителей на цилиндрических магнитных доменах // 2028674
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании микросборок на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при конструировании накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах
Способ металлизации кремниевых подложек // 2010032
Способ получения отражающего покрытия // 1805137
Изобретение относится к области металлургии, в частности к составу порошка сплава на основе никеля для пламенного напыления
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок металлов и их окислов вакуумно-термическим испарением и может быть использовано в микроэлектронике, в частности при производстве маскированных фотошаблонных заготовок и тонкопленочных элементов интегральных схем.Цель изобретения - снижение плотности дефектов в конденсируемой пленке за счет уменьшения концентрации реактивных газов в зоне конденсации.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения тонких пленок, включающем испа^рение и конденсацию паров испаряемого материала на подложку в вакууме, испарение проводят в дискретноступенчатом режиме нагревания источника при равномерном повышении его температуры от комнатной до 1100-1500°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, причем нагревание в каждой ступени осущ1еств/тяют в течение 30-60 с,.аинтервал между ступенями нагревания выдерживают в течение 60-300 с.Испарение в дискретно-ступенчатом режиме нагревания источника имеет следующие преимущества по сравнению с известным способом.При периодическом нагревании и охлаждении источника скорость испарения мало изменяется во времени, в то время как при постоянном нагревании источника скорость испарения уменьшается к концу процесса напыления почти вдвое
Способ изготовления проводящих пленок // 362356
Способ получения пленок ферритов // 261859
Изобретение относится к пиротехническому материалу и способу его изготовления, и, в частности, к пиротехническим цепям, пригодным для использования в системах задержки с одинарными или множественными цепями для передачи зажигания и детонации
