Способ изготовления мишени для магнетронного распыления из алюминия особой чистоты

 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в металлургии в создании термостабилизированных профилей из алюминия особой чистоты. Целью изобретения является повышение эксплуатационных характеристик за счет стабилизации структуры. Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления мишени из алюминия особой чистоты, включающем штамповку, мишень охлаждают, например в жидком азоте с градиентом температуры не менее 100oС/см и отжигают при температуре 450-640oС. Сущность изобретения заключается в том, что в процессе охлаждения мишени с градиентом температуры не менее 100oС/см в структуре мишени вначале происходят неравномерные температурные деформации и возникают натяжения, которые в процессе отжига реализуются, способствуя рекристаллизации и, таким образом, стабилизации структуры. 2 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к созданию мишеней для магнетронного распыления улучшенных эксплуатационных характеристик, и может быть использовано в металлургии в создании термостабилизированных профилей из алюминия особой чистоты.

Известно решение по изготовлению мишени для распыления с улучшенными эксплуатационными характеристиками [1] Способ включает осуществление термического удара нагретой предварительно закрепленной на медной подложке мишени охлаждением в жидком азоте, что ведет к растрескиванию мишени, и далее в процессе работы новых трещин не формируется, и процесс напыления стабилен.

Недостатком известного решения является то, что способ применим только для мишеней с напряженной структурой из хрупкого материала, склонного к трещинообразованию.

Более близким по технической сущности является способ изготовления, принятый за прототип, включающий нагрев до температуры 450oС и штамповку [2] Практика эксплуатации мишеней, изготовленных согласно этому способу, показала, что в процессе работы мишень подвергается нагреву до температуры 450oС в течение 9 ч. При этом происходит собирательная рекристаллизация, сопровождающаяся переориентацией зерен, что приводит к изменению потока алюминия в процессе напыления.

Недостатком способа являются низкие эксплуатационные характеристики за счет нестабильности структуры.

Целью изобретения является повышение эксплуатационных характеристик за счет стабилизации структуры.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления мишени из алюминия особой чистоты,включающем нагрев, штамповку, мишень охлаждают, например в жидком азоте с градиентом температуры не менее 100oС/см и отжигают при 450-640oС.

Сущность изобретения заключается в том, что в процессе охлаждения мишени с градиентом температуры не менее 100oС/см с последующим отжигом при 450-640oС в структуре мишени вначале происходят неравномерные температурные деформации, и возникают напряжения, которые в процессе обжига реализуются, способствуя рекристаллизации и стабилизации структуры.

Поиск по источникам научно-технической и патентной литературы показал, что такая совокупность признаков неизвестна, таким образом, заявленное решение отвечает критерию "существенные отличия".

Уровень напряжений в мишени пропорционален градиенту температур, который изменяется во времени и в зависимости от продолжительности охлаждения определяется зависимостью [3] где G вес изделия, кг; F поверхность, м2; tмн и tмк начальная и конечная температура металла, oС; tвс температура внешней среды, oС; С средняя теплоемкость металла, ккал/кгград; коэффициент теплоотдачи, ккал/м2чград.

Верхний предел температуры отжига должен быть на 15-20oС ниже температуры плавления в связи с возможной потерей геометрии при отжиге. Нижний предел 450oС является началом интенсивной собирательной кристаллизации.

Пример. Мишень, изготовленная горячей штамповкой, размером 1х1х1 см охлаждали окунанием в жидком азоте в течение 2 мин.

Изменение градиента температур между поверхностью мишени и ее центром в зависимости от продолжительности охлаждения в жидком азоте, а также расчетный уровень напряжений, возникающих при этом в мишени, представлены в табл.1.

Как видно из данных, представленных в табл.1, наибольший градиент температур и, соответственно, наиболее высокий уровень напряжений имеет место при выдержке 0,5 мин. Однако на практике затруднительно обеспечить столь кратковременную обработку, поэтому выбрано охлаждение продолжительностью 1-4 мин. При охлаждении длительностью более 4 мин температура мишени будет выравниваться, градиент температуры понижаться, достигнет величины менее 100oС/см и уровень напряжений будет недостаточным, чтобы способствовать рекристаллизации в процессе дальнейшего отжига.

Влияние режима отжига на рекристаллизацию охлажденной в жидком азоте мишени оценивали по изменению размера зерна (табл.2).

Таким образом, предлагаемый способ изготовление мишени, позволил получить термостабилизированную структуру, что обеспечивает постоянство структурных характеристик в процессе магнетронного распыления, и, таким образом, повысить стабильность эксплуатационных характеристик.

ЛИТЕРАТУРА 1. Япония, заявка N 62-278261, МКИ С 23 С 14/34.

2. Отчет по теме: разработать опытно-промышленную технологию изготовления "мишеней" для установки Магна 2Н из лантаноидосодержащих сплавов на основе алюминия особой чистоты (АОЧ) марки А5М тема 5-89-377, N г.регистр. 01900060696, Ленинград, 1990.

3. Шличков А.А. Справочник термиста. М. 1961, с.392.


Формула изобретения

Способ изготовления мишени для магнетронного распыления из алюминия особой чистоты, включающий нагрев заготовки и формирование мишени путем штамповки, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационных характеристик путем стабилизации структуры мишени, после штамповки мишень охлаждают с градиентом температуры не менее 100oС/см и отжигают в интервале 450 640oС.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления мишеней для катодного распыления материалов и может быть использовано при нанесении покрытий, применяемых в машиностроении, приборостроении, радиоэлектронике и других отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к поверхностной обработке материалов с использованием плазмы аномального тлеющего разряда и предназначено для применения при очистке и термообработке длинномерных металлических изделий, преимущественно проволоки и ленты, а также нанесении на них покрытий

Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме

Изобретение относится к установкам для нанесения покрытия в вакууме

Изобретение относится к микроэлектронной промышленности, стремительное развитие которой требует резкого увеличения производства полуфабрикатов из алюминия особой чистоты (АОЧ) в виде распыляемых мишеней

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для изготовления магнитного носителя информации (магнитные ленты и диски)

Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки

Изобретение относится к области покрытия металлических материалов, а также других материалов металлическими и диэлектрическими материалами и может быть использовано при разработке устройств для вакуумного нанесения покрытий методом магнетронного распыления, а более конкретно магнитных систем планарного магнетрона в установках вакуумного нанесения покрытия на различные подложки, в том числе на полимерные пленки

Изобретение относится к рентгеновской оптике, в частности, к устройствам для отражения, поворота, деления, фокусировки и монохроматизации потока рентгеновского излучения и может быть использовано для проведения процессов рентгеновкой литографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях технике, где используется рентгеновское излучение
Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к магнетронному распылению электропроводящих покрытий в среде реактивных газов, и может быть использовано для получения прозрачных электродов и прозрачных электрообогревательных элементов

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок
Наверх