Способ получения сверхгладких поверхностей

 

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к наноэлектронике, сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии. Сущность изобретения: на временную подложку напыляют слой золота вакуумным методом. В качестве временной подложки используют скол монокристалла бромида калия. Затем слой фиксируют эпоксидным клеем на основной подложке, а временную подложку удаляют растворением в воде. Изобретение позволяет расширить диапазон режимов напыления, получить поверхности с различным химическим составом и просто в исполнении.

Изобретение касается вакуумного напыления и может быть использовано в наноэлектронике, сканирующей туннельной (СТМ) и атомно-силовой микроскопии. Такие поверхности могут применяться при получении и исследовании объектов с пониженной размерностью на атомном уровне.

Известен способ эпитаксиального выращивания поверхностей подобной гладкости. Он заключается в том, что в квазиравновесных условиях пленка растет моноатомными слоями. Этот способ требует индивидуального подбора технологии для каждой системы наносимое вещество-подложка, что можно осуществить только на специальном оборудовании. Кроме того, эта технология промышленно развита главным образом для полупроводниковых материалов.

Известен также "Способ и установка для осаждения и выравнивания покрытий". Он заключается в обработке покрытия ионной бомбардировкой с последующим прогревом токами высокой частоты. Такая обработка разрушает первоначальную структуру покрытия и приводит, скорее всего, к аморфной либо поликристаллической структуре. Однако, известный способ требует достаточно сложной аппаратуры и чистых газов, является дорогостоящим.

Известен способ получения гладкой золотой поверхности. Он заключается в вакуумном напылении золота с определенной скоростью на поверхность определенного сорта слюды. Однако слюда, используемая как подложка, часто имеет различные дефекты, которые отражаются на гладкости поверхности. Такой способ недостаточно надежен.

Известен способ выравнивания нанесенного распылением покрытия, наиболее близкий к предлагаемому изобретению по решению технической задачи и принятый в качестве прототипа. Он заключается в том, что нанесенное вакуумным напылением покрытие, выравнивается поверхностной диффузией, если его выдержать при повышенной температуре определенное время.

Недостатками исходного способа являются ограничение по возможным системам веществ (далеко не все вещества имеют необходимую адгезию друг к другу), возможность разрушения структуры поверхности либо повреждению ее при взаимодействии с остаточными газами в вакуумной системе за счет необходимости прогрева при высокой температуре.

Целью изобретения является расширение перечня химических соединений, из которых возможно получать такие поверхности, также получение сверхгладких поверхностей различной структуры и, кроме того, существенное упрощение технологии.

Цель достигается тем, что в известном способе, заключающемся в вакуумном напылении на подложку с последующей обработкой полученного образца, в соответствии с предложенным изобретением вакуумное напыление производит на исходно сверхгладкую поверхность, например скол монокристалла, а обработка заключается в фиксировании полученной пленки дополнительной подложкой, например из стекла, после чего первоначальную подложку смывают растворителем, а освобожденную поверхность используют как сверхгладкую.

Тем самым предлагаемся вместо выравнивания внешней поверхности образца использовать поверхность, образованную границей раздела напыленного слоя с подложкой.

Сущность предлагаемого способа основывается на том, что формирование приподложечного слоя пленки заканчивается при коалесценции отдельных островков. Его структура задается строением подложки, а далее она может смениться на ту, кристаллиты которой наиболее быстро растут. Предлагается использовать именно этот исходно гладкий слой. Кроме того, ориентация пленок будет задаваться подложкой.

Сущность предлагаемого способа поясняется примером его конкретной реализации в лаборатории физической электроники отдела ЭТТ НИИФ СПбГУ.

Для исследования на СТМ объектов атомных размеров понадобилось проводящие и устойчивые поверхности. В качестве материала поверхности было выбрано золото. Наиболее подходящий метод получения поверхностей достаточного размера это вакуумное напыление. Однако при вакуумном напылении золота на подложки при комнатной температуре поверхность получается холмистая и не обеспечивает достаточного разрешения наших объектов. Использование способов, известных из литературы /приведены выше/ не привело к достаточно надежным результатам. Мы воспользовались описанным способом. В качестве гладкой подложки был использован скол монокристалла KBr. Сколы, содержащие большое количество ступенек, зрительно отбраковывались. В вакууме около 10-2 Па на это скол при комнатной температуре за несколько секунд напылялся с навески ан вольфрамовой проволоке, разогреваемой прямым накалом, слой золота около 1 мкм. Образцы вынимались на воздух и наклеивались напыленным слоем эпоксидным клеем ЭПО на дополнительную подложку, вырезанную из стекла /фотопластинка/. После застывания клея соль смывалась дистиллированной водой.

Как показали эксперименты на сканирующем туннельном микроскопе, полученная "реплика" скола монокристалла KBr являлась практически атомно-гладкой, кроме того, так как пленка была получена на ориентирующей подложке, являлась практически монокристальной, что подтверждает одна система Кикучилиний на электронограмме.

Были проведены эксперименты по применению таких поверхностей для создания и исследования структур нанометровых размеров в сканирующем туннельном микроскопе.

Изображения, полученные на сканирующем туннельном микроскопе, показывают степень гладкости исходной поверхности.

По сравнению с аналогами наш способ имеет следующие преимущества: широкий диапазон режимов напыления; возможность получения монокристальной поверхности; возможность получения поверхностей с различным химическим составом; для получения сверхгладкой поверхности достаточно оборудования для вакуумного напыления; обработка образцов производится при атмосферном давлении.

С технико-экономической стороны главными достоинством предложенного изобретения являются простота реализации данного способа в условиях неспециализированной физической лаборатории, т.е. простота и малая стоимость необходимой аппаратуры и материалов.

Формула изобретения

Способ получения сверхгладких поверхностей, включающий вакуумное напыление золотого слоя на подложку и его последующую обработку, отличающийся тем, что вакуумное напыление проводят на временную подложку, в качестве которой используют скол монокристалла бромида калия, после чего слой фиксируют эпоксидным клеем на подложке, а временную подложку удаляют растворением в дистиллированной воде.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с двухслойным маскированием

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности, к способам изготовления шаблонов для печатных плат
Изобретение относится к технологии микроэлектронных устройств

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и может быть использовано в производстве электро- и радиоаппаратуры

Изобретение относится к установкам для монтажа электронных компонентов, в частности, бескорпусных компонентов (чипов), на поверхность печатной платы

Изобретение относится к технологии металлизации диэлектриков и может быть использовано в микроэлектронике для получения печатных плат и аналогичных изделий

Изобретение относится к области получения пленок и может быть использовано в медицине, оптике, микроэлектронике

Изобретение относится к технологии нанесения вакуумно-поазменных покрытий и может использоваться в микроэлектронике, машиностроении

Изобретение относится к технике изготовления пьезоэлектрических резонаторов путем покрытия кристаллических пластин вакуумным испарением металлов при управлении и регулировании их осаждением

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к способам вакуумной металлизации поверхности и синтеза неорганических пленок в пучково-плазменном разряде
Изобретение относится к покрытиям в виде конденсируемых пленок и может быть использовано в вакуумной, криогенной и космической технике, в микро- и оптоэлектронике, в инфракрасной (ИК) и волоконной оптике

Изобретение относится к технологии нанесения металлических покрытий и может быть использовано в микроэлектронике

Изобретение относится к области вакуумной и газоразрядной электриники, в частности, к технологии нанесения тонких пленок, и может быть использовано для выращивания эпитаксиальных слоев в вакууме для модифицирования различных покрытий в процессе их выращивания и для нанесения тонких пленок

Изобретение относится к области вакуумно-плазменной технологии и может быть применено для формирования покрытия на обрабатываемом изделии

Изобретение относится к получению различных соединений на твердой поверхности
Изобретение относится к нанесению тонкопленочных покрытий в вакууме, в частности защитных, износостойких и декоративных покрытий на изделия из различных материалов
Наверх