Высокочастотный туннельный днод

 

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2I9567

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20Л.1964 (№ 877190/26-25) gë, 21g, 11/02 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14.Ч1.1968, Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 22Х111.19о8

МПК Н Oll

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК

Лвторьу изобретенйя

С. Г. Мадонн и А, М. Зубков

Заявитель т1редприятйе Государственного комитета по электронной технике СССР

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТУННЕЛЪНЪ|Й ДИОД

Предмет изобретения

Известны туннельные диоды на основе моноили поликристаллического арсенида галлия, легированного цинком, с вплавным p — ппереходом, созданным вплавлением олова.

Недостаток изливеcTHbIx T) ííåëüíûõ диодов при работе в таком режиме, когда рабочая точка периодически или длительное время находится на диффузионной ветви вольтамперной характеристики, заключается в том, что величина максимального туннельного тока диода непрерывно уменьшается, что приводит к невозможности создания высокочастотных приборов.

Предлагаемый туннельный диод на основе арсенида галлия отличается от известных диодов тем, что в электродный материал-олово, служащий для создания р — n-перехода прибора, добавлено от 5 до 15% индия.

Предлагаемый туннельный диод, р — и-переход которого выполнен вплавлением сплава олово — индий, содержащего 5 — 15% индия, обладает много большей стабильностью туннельного тока, а также большим частотным пределом.

Согласно изобретению р — и-переход туннельного диода создан вплавлением в моноили поликристаллический арсенид галлия олова, содержащего от 5 до 15% индия.

Высокочастотный T) ííåëbíûé диод на основе моно- или поликристаллического арсенида

15 галлия, легированного цинком, р — и-переход которого создан вплавлением олова, отличаюитийся тем, что, с целью увеличения стабильности туннельного тока и увеличения частотного предела диода, в олово добавлено от 5

20 до 15с/с индия.

Высокочастотный туннельный днод 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к функциональным элементам интегральных схем, и может быть использовано в генераторных схемах, а также в вычислительной, измерительной и усилительной технике

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехнических элементов. Технической задачей является повышение точности определения концентрации наночастиц в аморфных средах любой природы путем уменьшения влияния фоновых токов на результат измерения. Поставленная задача решается тем, что создается измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и слоя исследуемого материала между ними, полученная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду, в которой фоновые токи достигают своего минимального значения и не оказывают существенного влияния на результат измерения, затем измерительная ячейка включается в цепь и снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются значения резонансных потенциалов и соответствующие им значения резонансных токов, далее полученные значения резонансных потенциалов сравниваются с базой данных резонансных потенциалов известных наночастиц и осуществляется идентификация наночастиц в исследуемом материале, затем готовится эталонный образец материала с низкой концентрацией идентифицированных наночастиц, формируется измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и эталонного материала между ними, полученная эталонная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду и включается в цепь, после чего снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются резонансные потенциалы и соответствующие им значения резонансных токов, на основании полученных значений резонансных токов в исследуемом и эталонном образцах, а также известного значения концентрации в эталонном образце рассчитывается концентрация наночастиц в исследуемом образце.
Наверх