Компаунд для защиты р-n переходов
Назначение: электронная техника. Сущность изобретения: компаунд дополнительно содержит алмаз синтетический ультрадисперсный и малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. %: роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол - остальное.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике для защиты p-n-переходов от внешних воздействий.
Известны различные лаки, эмали, компаунды, представляющие собой растворы кремнийорганических смол в органических растворителях. Лак К-55 густая прозрачная вязкая масса желтоватого цвета, приготавливаемая из полиорганосилоксановой смолы, отверждение лака происходит после капельного нанесения на полупроводниковый кристалл [1] Лак сульфон раствор полисульфонамида на основе изофталевой кислоты и 3,3-диаминодифенилсульфона в диметилацетамиде или диметилформамиде. Недостатком эмалей, лаков является их плохая теплопроводность. Наиболее близким по технической сущности к заявляемому техническому решению является теплостойкий компаунд роливсан МВ-1 [2] Состав компаунда прототипа, Бис (4 венилфениловый) эфир 5-45 Метакриловый эфир 4-венил-4 (1-оксиэтил) дифенилоксида 27-35 Диметакриловий эфир Бис-4 (1-оксиэтил) фенилового эфира 15-40 Олигоэфиры 5-30 Толуол Остальное Недостатком прототипа является низкая теплопроводность. Целью изобретения является обеспечение теплоотвода, которая достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен алмаз синтетический ультрадисперсный, малеиновый ангидрид при следующем соотношении ингредиентов, мас. роливсан 70-74,7; алмаз синтетический ультрадисперсный 20-25; малеиновый ангидрид 1,5-1,6; толуол остальное. Роливсан МВ-1 выбран в диапазоне 70-74,7% вследствие того, что уменьшение роливсана ниже 70% приводит к дисбалансу связующих, превышение более 74,7% к потере теплоотводящих свойств компаунда. Ультрадисперсный алмаз в количестве, меньшем 20% не даст большого эффекта в повышении коэффициента теплопроводности компаунда, а в количестве, большем 25% во-первых, приведет к ухудшению вязкости, во-вторых, к почти стабильному значению коэффициента теплопроводности при дальнейшем увеличении дозировки ультрадисперсного алмаза. Использование малеинового ангидрида в количестве, меньшем 1,5% приведет к высокой растекаемости компаунда и более длительному отверждению, а в количестве, большем 1,6% снизит жизнеспособность компаунда, не обеспечивая его технологичность в течение 24 ч. Изготовление компаунда продемонстрировано на следующем примере. 1. Компаунд состоит из, Роливсан МВ-1 70Алмаз синтетический ультрадисперсный 25
Малеиновый ангидрид 1,5
Толуол 3,5
2. Нагревается емкость с роливсаном МВ-1 в воздушном термостате или жидкостном ультратермостате УТ-15 при 60-70oC. При этой температуре роливсан МВ-1 выдерживается до получения жидкой гомогенной массы при периодическом взбалтывании. 3. Отбирается необходимое количество роливсана МВ-1 в предварительно взвешенную емкость из стекла, фарфора или нержавеющей стали и взвешивается на весах лабораторных равноплечных 1 кг. 4. Расчетное количество малеинового ангидрида вводится во взвешенное количество роливсана МВ-1. Взвешивается расчетная навеска малеинового ангидрида в емкости из стекла, фарфора или нержавеющей стали. Погрешность взвешивания не более 0,1 г. 5. Добавляется в толуол расчетное количество отвердителя (малеинового ангидрида). Расчет делается из пропорции: 2,8 г толуола на 1 г малеинового ангидрида. Малеиновый ангидрид растворить при комнатной температуре перемешиванием и встряхиванием. 6. Добавить в растворенный в толуоле малеиновый ангидрид расчетное количество алмаза синтетического ультрадисперсного (25% от общего состава композиции) и перемешать. 7. Влить приготовленный раствор малеинового ангидрида с алмазом синтетическим ультрадисперсным в соответствующее количество роливсана МВ-1, взятого по п.3 и охлажденного до комнатной температуры. Полученную композицию тщательно перемешать стеклянной палочкой при комнатной температуре. Жизнеспособность приготовленного компаунда составляет не менее 24 ч.
Формула изобретения
Алмаз синтетический ультрадисперсный 20 25
Малеиновый ангидрид 1,5 1,6
Толуол Остальное
Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изгОт товлении больших интегральных схем; Целью изобретения является повышениетехнологичности и надежности
Бескорпусной полупроводниковый прибор // 1647702
Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к конструкции полупроводниковых приборов в бескорпусном исполнении
Интегральная микросхема // 1583995
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводниковых интегральных микросхем пресс-композиций
Устройство для герметизации изделий // 1191988
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к конструкциям металлических выводных рамок для полупроводниковых приборов, герметизируемых пластмассой и может быть широко использовано при массовом производстве
Многокристальный модуль // 2091906
Изобретение относится к радиоэлектронной и цифровой электронно-вычислительной технике, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании многокристальных модулей на основе полупроводниковых подложек
Корпус для интегральной микросхемы // 2083026
Корпус интегральной схемы свч-диапазона // 2079931
Корпус интегральной схемы свч-диапазона // 2079931
Корпус интегральной схемы свч-диапазона // 2079931
Свч-транзисторная микросборка // 2101803