Способ нанесения проводящего прозрачного покрытия

 

Изобретение может быть использовано для получения прозрачных электродов и прозрачных электронагревательных элементов. Способ нанесения прозрачного проводящего покрытия включает реактивное магнетронное распыление и осаждение металлического индия с добавлением олова в атмосфере газовой смеси инертного газа и кислорода при одновременной ионной стимуляции процесса осаждения. Способ позволяет получать покрытия без предварительного нагрева, что значительно сокращает время нанесения покрытия.

Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к магнетронному распылению электропроводящих покрытий в среде реактивных газов, и может быть использовано для получения прозрачных электродов и прозрачных электрообогревательных элементов.

Известен способ получения проводящих прозрачных покрытий из оксида индия (SU, авт.св. N 950798, кл. C 23 C 14/08 от 09.07.80).

Известный способ осуществляется в сложном составе атмосферы в камере и с низкой скоростью нанесения покрытия, а также требует предварительного охлаждения подложки.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является способ формирования прозрачных электропроводных пленок оксида индия, включающий в себя реактивное магнетронное распыление в атмосфере газовой смеси инертного газа и кислорода при использовании мишени из металлического индия с добавлением олова (JP, заявка 63-54788, кл. C 23 C 14/08 от 14.11.80).

Основным недостатком данного способа является необходимость предварительного нагрева стеклянной подложки.

Задача, на решение которой направлено данное изобретение, заключается в разработке способа, позволяющего получать проводящее прозрачное покрытие из оксида индия с добавлением олова без предварительной подготовки подложки, заключающейся в ее нагреве, или охлаждении, или без последующего высокотемпературного отжига стеклянной подложки с нанесенным на нее проводящим прозрачным покрытием, а также позволяющего значительно сократить время нанесения покрытия.

Поставленная задача решается тем, что способ получения проводящих прозрачных покрытий, включающий реактивное магнетронное распыление и осаждение металлического индия с добавлением олова в атмосфере газовой смеси инертного газа и кислорода, проводится с ионной стимуляцией процесса осаждения покрытия.

Отличительный признак - ионная стимуляция осаждения покрытия - является существенным. Ионная стимуляция осаждения заключается в бомбардировке ионами с кинетической энергией не менее 50 эВ поверхностных слоев материала покрытия. В этой области энергий бомбардирующих ионов процесс ионной стимуляции приводит к разрыву или восстановлению химических связей, что вызывает десорбцию или химическую реакцию, изменяющую структуру покрытия.

В результате получают высококачественную структуру покрытия оптически прозрачную - в видимом диапазоне светопропускание составляет 85-90%, с удельным поверхностным сопротивлением 50-100 Ом/м.

Осаждение прозрачного электропроводящего покрытия проводят путем распыления металлического индия с добавлением олова в соотношении In - 80-90%, Sn - 10-20% методом реактивного магнетронного распыления в атмосфере газовой смеси инертного газа Ar - 50-75%, O2 - 25-50% и общем давлении в камере 110-3 - 310-3 мм рт.ст., при этом напряжение разряда магнетрона составляет 400-600 В. Одновременная ионная стимуляция процесса осаждения покрытия проводится ионным ускорителем при напряжении разряда 1000-1500 В, токе пучка 50-100 мА и энергии ионов 50-100 эВ. Угол наклона траектории ионов по отношению к поверхности подложки составляет 75-90o. Время нанесения покрытия 4-6 мин, получаемая толщина покрытия 0,06-0,1 мкм.

Формула изобретения

Способ нанесения проводящего прозрачного покрытия, включающий реактивное магнетронное распыление и осаждение металлического индия с добавлением олова в атмосфере газовой смеси инертного газа и кислорода, отличающийся тем, что осаждение покрытия ведут с ионной стимуляцией процесса.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к рентгеновской оптике, в частности, к устройствам для отражения, поворота, деления, фокусировки и монохроматизации потока рентгеновского излучения и может быть использовано для проведения процессов рентгеновкой литографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях технике, где используется рентгеновское излучение

Изобретение относится к области покрытия металлических материалов, а также других материалов металлическими и диэлектрическими материалами и может быть использовано при разработке устройств для вакуумного нанесения покрытий методом магнетронного распыления, а более конкретно магнитных систем планарного магнетрона в установках вакуумного нанесения покрытия на различные подложки, в том числе на полимерные пленки

Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в металлургии в создании термостабилизированных профилей из алюминия особой чистоты
Изобретение относится к технологии изготовления мишеней для катодного распыления материалов и может быть использовано при нанесении покрытий, применяемых в машиностроении, приборостроении, радиоэлектронике и других отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к поверхностной обработке материалов с использованием плазмы аномального тлеющего разряда и предназначено для применения при очистке и термообработке длинномерных металлических изделий, преимущественно проволоки и ленты, а также нанесении на них покрытий

Изобретение относится к технологии получения пленок нитрида алюминия основанной на методе вакуумного реактивного испарения порошка или керамики нитрида алюминия Целью изобретения является улучшение технологичности способа путем уменьшения температуры образования пленки нитрида алюминия при сохранении ее сплошности
Изобретение относится к изготовлению приборов оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов и затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к области изготовления тонкопленочных покрытий, в частности к вакуумному нанесению покрытий с помощью магнетронного распыления на постоянном токе на прозрачные материалы, например стекло или полимерные пленки

Изобретение относится к технике нанесения покрытий в вакууме, а именно к устройствам ионно-плазменного распыления магнетронного типа, и может быть использовано для нанесения пленок, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной, оптической и других отраслях промышленности, в частности, в качестве оптических покрытий и чувствительных слоев газовых сенсоров
Наверх