Резистивно-проводящий материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов. Задача изобретения - разработка резистивного материала с широким диапазоном удельных сопротивлений, в частности 0,08 - 1000 Ом/, с повышенной до 600oC теплостойкостью и регулируемым знаком температурного коэффициента сопротивления (ТКС) при уменьшении стоимости затрат на изготовление материала. Задача решается тем, что в резистивном материале, содержащем резистивную фазу на основе боридов и силицидов никеля и молибдена и бессвинцовое стеклосвязующее, содержание резистивной фазы составляет 60 - 80 мас.% при следующем элементном соотношении в ней исходных компонентов, мас.%: Ni 40 - 88; Mo 4 - 35; B 6,5 - 10; Si 1,5 - 15. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических или диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов.

Известен резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе никеля и силицида никеля, а также свинцовоборосиликатное стеклосвязующее с добавками оксидов Ba, Ca, Cd и Zn [1].

Недостатком известного материала является узкий диапазон удельных сопротивлений Rs = 0,04 - 0,68 Ом/ и ограниченная теплостойкость композиции из-за применения свинцовоборосиликатного стекла.

Наиболее близким из известных к изобретению является резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе боридов и силицидов никеля и молибдена и стеклосвязующее [2].

Недостатками известного материала являются относительно узкий диапазон удельных сопротивлений Rs = 0,5 - 50 Ом/, относительно высокая стоимость исходных компонентов и отсутствие возможности получения другого типа температурной зависимости сопротивления от температуры (ТКС) - как положительной, так и отрицательной.

Задачей, решаемой изобретением, является разработка резистивного материала с широким диапазоном удельных сопротивлений, в частности от 0,08 до 1000 Ом/, с повышенной до 600oC теплостойкостью и регулируемым знаком ТКС при уменьшении стоимости затрат на изготовление материала.

Указанная задача решается тем, что в резистивном материале, содержащем резистивную фазу на основе боридов и силицидов никеля и молибдена и бессвинцовое стеклосвязующее, содержание резистивной фазы составляет 60 - 80 мас.% при следующем элементном соотношении в ней исходных компонентов, мас.%: Ni - 40 - 88 Mo - 4 - 35 B - 6,5 - 10 Si - 1,5 - 15 Указанная задача решается также тем, что резистивный материал дополнительно содержит высокодисперсные порошки металлов: железа, и/или хрома, и/или алюминия в количестве 1 - 50% от суммарной массы резистивной фазы и стеклосвязующего.

Указанная задача решается также тем, что резистивный материал, содержащий бориды и силициды никеля и молибдена и стеклосвязующее, дополнительно содержит высокодисперсную смесь металла из ряда: ниобий, титан, хром, цирконий и неодим, с кремнием и бором, при содержании этой смеси 1 - 10 мас.% от массы резистивной фазы и следующем соотношении компонентов указанной смеси, мас.%: кремний 0,5 - 1,5; бор 0,5 - 2,0; металл - остальное.

Предлагаемый резистивно-проводящий материал получают следующим образом: никель, молибден, бор и кремний, взятые в следующем количестве, мас.%: Ni 40 - 88; Mo 4 - 35; B 6,5 - 10; Si 1,5 - 5, подвергают совместному измельчению в шаровой планетарной мельнице в замкнутом объеме без доступа воздуха в течение от нескольких до 15 - 20 ч до получения гомогенной порошковой смеси с дисперсностью частиц 0,5 - 5 мкм. Затем полученную порошковую смесь совмещают с бессвинцовым стеклосвязующим (например, SiO2-BaO-B2O3- Al2O3) и подвергают измельчению-перемешиванию в течение 2 - 3 ч в замкнутом объеме без доступа воздуха на планетарной шаровой мельнице.

При получении резистивных элементов с низкими удельными сопротивлениями к полученной вышеописанным способом смеси резистивной фазы со стеклосвязующим добавляют необходимое количество высокодисперсного порошка металлов: железа, и/или хрома, и/или алюминия (в количестве 1 - 50% от суммарной массы резистивной фазы и стеклосвязующего), подвергают эту смесь аналогичной обработке в шаровой планетарной мельнице (в течение 0,5 - 1 ч).

Аналогично получают резистивно-проводящий материал, дополнительно содержащий высокодисперсную смесь металла, кремния и бора (в количестве 1 - 10% от массы резистивной фазы).

Ниже приведены конкретные примеры предлагаемого резистивно-проводящего материала в мас.%.

Пример 1.

Ni-54, B-6,5, Mo-29, Si-10,5 - 85 Стеклосвязующее - 15 Удельное сопротивление резистивных элементов с использованием резистивно-проводящего материала предлагаемого состава 0,9 Ом/, ТКС = +16010-6 1/oC, теплостойкость до 600oC.

Пример 2.

Ni-70, B-7, Mo-15, Si-8 - 50 Al - 40 Стеклосвязующее - 10
Удельное сопротивление 0,09 Ом/, ТКС = +340010-6 1/oC, теплостойкость до 600oC.

Пример 3.

Ni-70, B-6,5, Mo-15, Si-8,5 - 80
Cr-80; Si-1,5; B-0,5 - 3
Стеклосвязующее - 17
Удельное сопротивление 160 Ом/, ТКС = +65010-6 1/oC, теплостойкость до 600oC.

Пример 4.

Ni-54, B-6,5, Mo-29, Si-10,5 - 60
Zr-80; Si-1,5; B-0,5 - 10
Стеклосвязующее - 30
Удельное сопротивление 1000 Ом/, ТКС = -145010-6 1/oC, теплостойкость до 600oC.

Все значения ТКС определены для диапазона температур от 20 до 300oC. Все композиции формировались в одинаковых условиях.


Формула изобретения

1. Резистивно-проводящий материал, содержащий резистивную фазу на основе боридов и силицидов никеля и молибдена и бессвинцовое стеклосвязующее, отличающийся тем, что содержание резистивной фазы в материале составляет 60 - 80 мас. % при следующем элементном соотношении в ней исходных компонентов, мас. %:
Ni - 40 - 88
Mo - 4 - 35
B - 6,5 - 10
Si - 1,5 - 15
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит высокодисперсные порошки металлов: железа, и/или хрома, и/или алюминия в количестве 1 - 50% от суммарной массы резистивной фазы и стеклосвязующего.

3. Материал по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит высокодисперсную смесь металла из ряда: ниобий, титан, хром, цирконий и неодим, с кремнием и бором, в количестве 1 - 10 мас.% этой смеси от массы резистивной фазы при следующем соотношении компонентов указанной смеси, мас.%:
Кремний - 0,5 - 1,5
Бор - 0,5 - 2,0
Металл - Остальноеп



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для защиты изоляции высоковольтного оборудования электрических сетей и станций от атмосферных и кратковременных коммутационных перенапряжений

Изобретение относится к электротехнике

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, в частности, для изготовления позисторов

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для защиты изоляции оборудования электрических сетей и станций, электронного оборудования промышленного и бытового назначения от атмосферных и кратковременных коммутационных перенапряжений

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам защиты электрических сетей и установок от перенапряжений

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений

Изобретение относится к резисторам, а именно тонкопленочным терморезисторам
Наверх