Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката

 

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность способа состоит в выборе ориентации затравочного кристалла, обеспечивающей выращивание методом Чохральского монокристаллов лангангаллиевого силиката вдоль направления <01.1>. Эта ориентация позволяет вырезать пластины под углом 90° от оси роста, обеспечивая минимальные потери материала и близкий к нулю температурный коэффициент частоты.

Предлагаемый способ относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах.

Известен способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского, включающий загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, последующее его расплавление, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава. (K.Shimamura et.al. "Growth and characterization of lanthanum gallium silicate La3Ga5SiO14 single crystals for piezoelectric applications". J. of Crystal Growth, 1996, v. 163, p.388-392). В известном способе в качестве затравочного кристалла используют алюмоитриевый гранат Y3Al5O12, имеющий ориентацию <111>, при этом выращенные кристаллы ЛГС имеют ориентацию <001>.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявленному способу является способ выращивания лантангаллиевого силиката методом Чохральского, включающий загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, соответствующего составу La3Ga5SiO14, создание защитной атмосферы, последующее расплавление материала, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориентированного кристалла из расплава (С.А.Сахаров и др. Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях сдвига. - Зарубежная электроника, М., 1986 г.). В известном способе в качестве затравочного ориентированного кристалла используют кристаллы ЛГС, ориентированные вдоль направления <0001>. Выращенные известным способом кристаллы имеют ориентацию <0001>.

Недостатком известных способов является тот факт, что данная ориентация затравочного кристалла не позволяет в дальнейшем эффективно использовать выращенные кристаллы для получения пластин ЛГС, ориентированных с близким к нулю значением температурного коэффициента частоты (ТКЧ). Кроме того, использование выращенных известным способом кристаллов связано с большими потерями материала при изготовлении пластин ввиду того, что пластины вырезают под большим углом от оси роста.

В рамках данной заявки решается задача выращивания кристаллов ЛГС такой ориентации, чтобы полученные из них пластины были ориентированы с близким к нулю значением ТКЧ, при этом потери материала были минимальными.

Поставленная задача решается тем, что в известном способе выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского, включающим загрузку в тигель (предварительно синтезированного материала), соответствующего составу La3Ga5SiO14, создание защитной атмосферы, последующее расплавление материала, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориентированного кристалла из расплава, в качестве затравочного ориентированного кристалла используют кристалл лантангаллиевого силиката, ориентированного в направлении <01.1>3o.

Авторами экспериментально было установлено, что при ориентации затравочного кристалла ЛГС вдоль направления <01.1> кристаллы растут в направлении <01.1>, что позволяет вырезать из выращенных кристаллов пластины под углом 90o от оси роста, обеспечивая при этом минимальные потери материала и близкий к нулю температурный коэффициент частоты. Данная ориентация затравочного кристалла ЛГС позволяет выращивать кристаллы, ориентированные вдоль направления <01.1>.

Пример. В данном способе выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката предварительно приготавливают исходный материал (шихту) методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), при этом в качестве исходных компонентов берут оксид лантана чистотой 99.99% , оксид кремния чистотой 99,99%, оксид галлия чистотой 99,99% и галлий металлический чистотой 99,999%. Исходная шихта, полученная этим методом, соответствует составу La3Ga5SiO14. Шихту загружают в тигель диаметром 120 мм в количестве 6,5 кг. Тигель выполнен из иридия чистотой 99,99%. Затем тигель с шихтой помещают в камеру установки выращивания кристаллов. Камеру откачивают до давления 10-4 мм рт.ст. и напускают смесь аргона с воздухом до давления 1,2 атм. Воздух предварительно подвергают осушке жидким азотом в азотной ловушке. Концентрация воздуха в смеси с аргоном составляет 10 об.%. Чистота аргона 99,998%. Нагрев тигля осуществляют токами высокой частоты до полного расплавления шихты. Контролируемое масс-спектрометрическим анализом суммарное содержание примесей в расплаве не превышает 510-4 мас.%. Полученный расплав выдерживают в течение 8 часов перед контактированием затравочного ориентированного кристалла вдоль направления <01.1> кристалла ЛГС с поверхностью расплава, давление смеси аргона с воздухом в камере роста снижают до давления 1,05 атм. Затем устанавливают частоту вращения затравочного кристалла равной 28 об/мин, приводят затравочный кристалл в контакт с поверхностью расплава и осуществляют вытягивание ориентированного кристалла ЛГС из расплава со скоростью, изменяющейся в процессе роста от 2,5 до 1,5 мм в час. Полученный кристалл имеет ориентацию <01.1>, массу 3,65 кг и диаметр по вписанной окружности на цилиндрической части 82 мм. Контроль в луче He-Ne лазера не показал наличия рассеивающих центров.

Данный способ позволяет получить ориентированные вдоль направления <01.1> монокристаллы лантангаллиевого силиката. Эта ориентация позволяет вырезать пластины ЛГС под углом 90o к оси роста, обеспечивая минимальные потери материала и близкий к нулю температурный коэффициент частоты.

Формула изобретения

Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского, включающий загрузку в тигель материала, соответствующего составу La3Ga5SiO14, создание защитной атмосферы, последующее расплавление материала, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориентированного кристалла из расплава, отличающийся тем, что в качестве затравочного ориентированного кристалла используют кристалл лантангаллиевого силиката, ориентированного в направлении < 01.1> 3o.

PC4A - Регистрация договора об уступке патента Российской Федерации на изобретение

Номер и год публикации бюллетеня: 32-2001

(73) Патентообладатель:ОАО "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" (RU)

Договор № 13048 зарегистрирован 10.09.2001

Извещение опубликовано: 20.11.2001        



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката
Изобретение относится к способу получения в гидротермальных условиях монокристаллов K2(NbO)2 Si4O12 и может быть использовано в нелинейной оптике

Изобретение относится к облагораживанию минералов, в частности бесцветных разновидностей полупрозрачного благородного серпентинита, а также улучшению цвета серпентинита с бледной серо-зеленой окраской

Изобретение относится к способу получения окрашенных кристаллов берилла для использования в ювелирной промышленности
Изобретение относится к области химической промышленности и может быть использовано для получения тонкодисперсных кристаллических материалов, в частности, модифицирующих наполнителей полимеров, бумаги, красок, лаков, резин, функциональной керамики и других композиционных материалов

Изобретение относится к способам выращивания высокочистых монокристаллов изумруда флюсовым методом на затравку, используемым как для ювелирных целей, так и для создания твердотельных лазеров

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано в ростовых установках с гибкой подвеской затравки для предотвращения раскачки монокристалла
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах

Наверх