Установка для испытаний на радиационную стойкость

 

Установка для испытаний на радиационную стойкость содержит источник рентгеновского излучения, высоковольтный блок питания, пульт управления упомянутым блоком питания, датчик интенсивности рентгеновского излучения с выходом контрольного сигнала, плата подключения испытываемого объекта к установке с контактной панелью, число контактов которой не менее числа выводов испытываемого объекта, управляющее вычислительное устройство с встроенным программным обеспечением, контроллер связи с управляющим вычислительным устройством, блок исследования статических характеристик объекта, блок согласования и коммутации контактов упомянутой платы, имеющий один вход контрольного сигнала датчика интенсивности рентгеновского излучения, по меньшей мере один вход напряжения источника электропитания испытываемого объекта и один выход измеряемых сигналов, а также по меньшей мере два выхода напряжения источника электропитания и два входа измеряемых сигналов, а также входы-выходы сигналов блока исследования статических характеристик. Кроме того, входы-выходы управляющего вычислительного устройства соединены с выходами-входами контроллера связи, другие входы-выходы которого соединены с выходами-входами блока исследования статических характеристик, по меньшей мере один электроизмерительный прибор и один источник электропитания, подключенные к соответствующим выходу и входу блока согласования, причем датчик интенсивности рентгеновского излучения установлен во время тестирования установки на оси рентгеновского излучения на месте платы для испытываемого объекта. Техническим результатом устройства является автоматическое исследование стойкости полупроводниковых приборов и интегральных схем под напряжением в их рабочем состоянии. 14 ил.

Изобретение относится к радиационной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию стационарного ионизирующего рентгеновского излучения (РИ). Под стойкостью понимается способность объекта испытаний - ППП или ИС сохранять в заданных пределах значения параметров в процессе воздействия РИ.

Известен способ и установка для испытаний радиоизделий на стойкость к воздействию ионизирующих изделий (Россия, пат. N 236480, G 01 R 31/26, 31/28, Бюл. N 15, 1995 г.). Этот способ испытаний включает гамма-нейтронное облучение радиоизделий и измерение их параметров после облучения. Облучают радиоизделия статическим гамма-излучением в диапазоне мощностей доз, не приводящих к потере их работоспособности, определяют коэффициент радиационной чувствительности, после чего облучают радиоизделие статическим гамма-нейтронным излучением заданной плотности, затем облучают радиоизделие статическим гамма-нейтронным излучением с плотностью потока нейтронов, обеспечивающих набор требуемого интегрального потока за время облучения, удаляют радиоизделие из зоны облучения, измеряют значения изменений критериального параметра в разные моменты времени.

Для реализации этого способа необходима установка, содержащая источник гамма-нейтронного излучения, измеритель плотности потока нейтронов и часы. Этот способ и устройство не обеспечивают испытаний ППП и ИС на стойкость к воздействию рентгеновского излучения (РИ).

Известен способ и установка для испытаний интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию гамма-излучений (Россия, пат. N 2005308, G 01 R 31/28, 31/26, Бюл. N 47-48, 1993 г.). Этот способ испытаний включает облучение ионизирующим гамма-излучением ИС, определение необходимой для испытаний дозы гамма-излучения, после чего производят отжиг ИС при температуре 400oC в течение одного часа, контролируют выбранные параметры объекта испытаний и получают экспериментальную зависимость вероятности отказа от дозы гамма-излучения.

Для реализации этого способа необходима установка, содержащая источник гамма-излучения, измеритель плотности потока этого излучения, печь для отжига ИС и часы. Этот способ и устройство не обеспечивают испытаний ИС на стойкость к воздействию рентгеновского излучения (РИ).

Наиболее близкой к изобретению является установка для проведения испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию ионизирующего излучения (Журнал "Электроника" [перевод с английского] , том 57, N 23 (704), 1984 г., с. 15-17.). Эта установка содержит источник рентгеновского излучения с энергией 10 кэВ, лазер с длиной волны равной 1,06 мкм, коллиматор рентгеновских лучей, формирователь импульсного лазерного излучения длительностью от 15 до 100 нс и частотой следования 10 имп/с при энергии пучка лазера 350 мДж, что эквивалентно дозам облучения 2 умноженная на десять в двенадцатой степени рад/с. Прототип не обеспечивает автоматизации процесса испытаний ППП и ИС на радиационную стойкость к воздействию рентгеновского излучения под напряжение в их рабочем состоянии.

Техническим результатом изобретения является устранение недостатков прототипа, а именно уменьшение времени испытаний за счет их автоматизации, увеличение достоверности испытаний за счет испытаний ППП и ИС под напряжением - в рабочем режиме.

Этот результат достигается за счет того, что установка для испытаний на радиационную стойкость содержит: источник рентгеновского излучения (ИРИ), высоковольтный блок питания ИРИ (ВБР), пульт управления (ПУ) блоком ВБР, датчик интенсивности рентгеновского излучения (ДРИ), плату подключения испытываемого объекта (ПИО), блок согласования и коммутации (БСК) платы ПИО, управляющее вычислительное устройство (УВУ) с встроенным программным обеспечением, контроллер связи (КС), блок исследования статических характеристик (БИСХ), по меньшей мере один электроизмерительный прибор (ЭП) и один источник электропитания (ИС).

Источник ИРИ имеет вход питающего высокого напряжения и выход рентгеновского излучения. Блок ВБП имеет управляющий вход и выход высокого напряжения. Пульт управления имеет выход управляющего сигнала и кнопки "Пуск" и "Стоп", которые служат для включения и отключения установки. Датчик ДРИ имеет вход рентгеновского излучения (РИ) и выход контрольного сигнала интенсивности этого излучения и установлен во время тестирования на месте платы ПИО. Плата ПИО имеет контактную панель с числом контактов не менее числа выводов испытываемого объекта (ИО), к которым во время испытаний подключены выводы ИО с одной стороны, и выходы блока БСК источников питания и входы измерительных приборов, с другой стороны. Блок БСК имеет вход сигнала ДРИ, входы и выходы напряжений источников электропитания ИЭ, входы и выходы измеряемых сигналов ИО и входы-выходы блока БИСХ. Устройство УВУ имеет встроенное программное обеспечение, входы-выходы сигналов управления и информации в формате интерфейса УВУ. Контроллер связи (КС) имеет входы-выходы сигналов управления и информации БИСХ, а также входы-выходы сигналов КС. Блок БИСХ имеет выходы-входы сигналов связи с контроллером КС и выходы-входы блока БСК.

Вход источника ИРИ соединен с выходом блока БВП, а его излучение направлено в сторону платы ПИО. Управляющий вход блока БВП соединен с выходом пульта ПУ. При тестировании установки на месте платы ПИО на оси рентгеновского излучения установлен датчик ДРИ, а в процессе испытаний исследуемый объект установлен на плате ПИО. Выход датчика ДРИ соединен со входом контрольного сигнала блока БСК. Контакты платы ПИО соединены: один со входами БСК сигналов ИО, а другие с выходами БСК напряжений электропитания. Входы-выходы УВУ соединены с соответствующими выходами-входами КС, другие входы-выходы КС соединены с соответствующими выходами-входами БИСХ. Выходы источников электропитания ИЭ соединены с соответствующими входами блока БСК, а входы электроизмерительных приборов соединены с соответствующими выходами этого блока.

Отличительными признаками изобретения являются: датчик ДРИ, плата ПИО, блок БСК, вычислительное устройство УВУ, контроллер КС, блок БИСХ, источники электропитания ИЭ, электроизмерительные приборы ЭП, электрические связи введенных устройств и пространственное расположение датчика ДРИ Принцип работы установки и ее конструкция поясняются чертежами.

На фиг. 1 приведена структурная схема установки для испытаний на радиационную стойкость.

На фиг. 2 приведена конструкция платы подключения исследуемого объекта к установке (вид сверху).

На фиг. 3 приведена структурная схема блока согласования и коммутации.

На фиг. 4 приведена структурная схема контроллера связи и его соединение с управляющим вычислительным устройством.

На фиг. 5 приведена структурная схема блока исследования статических характеристик исследуемого объекта.

На фиг. 6 приведена принципиальная электрическая схема высоковольтного блока питания источника рентгеновского излучения.

На фиг. 7 приведена принципиальная электрическая схема пульта управления высоковольтным блоком питания источника рентгеновского излучения.

На фиг. 8 (а,б) приведена принципиальная электрическая схема блока исследования статических характеристик исследуемого объекта.

На фиг. 9 приведена структурная схема алгоритма работы установки.

На фиг. 10 (а,б) приведена принципиальная электрическая схема контроллера связи.

На фиг. 11 (а, б) приведена принципиальная электрическая схема блока управления напряжениями (БУНП) испытываемого объекта.

На фигурах введены обозначения: 1 - источник рентгеновского излучения (ИРИ); 2 - высоковольтный блок источника ИРИ (ВБИ); 3 - пульт управления ВПБ (ПУ); 4 - датчик интенсивности рентгеновского излучения (ДРИ); 5 - плата подключения исследуемого объекта (ПИО) к установке; 6 - блок согласования и коммутации (БСК); 7 - управляющее вычислительное устройство (УВУ); 8 - контроллер связи (КС);
9 - блок исследования статических характеристик испытываемого объекта (БИСХ);
10 - электроизмерительный прибор (ЭП);
11 - источник электропитания испытываемого объекта (ИЭ);
12 - плата для крепления контактной панели (ПКП);
13 - контактная панель (КП);
14 - контактный разъем (штырь) (РШ);
15 - контактный разъем (гнездо) (РГ);
16 - коммутационное поле (КМП);
17 - предварительный усилитель (ПУ);
18 - блок управления напряжениями (БУНП) испытываемого объекта;
19 - внешние разъемы (ВР);
20 - схема сопряжения с интерфейсом (ССИ);
21 - асинхронный приемопередатчик (АПП);
22 - схема опознания контроллера (СОК);
23 - порты контроллера и регистры конфигурации портов (ПКОПК);
24 - схема сброса контроллера (ССК);
25 - цифроаналоговый преобразователь (ЦАП);
26 - аналого-цифровой преобразователь (АЦП);
27 - преобразователь тока в напряжение (ПТН);
28 - цифровой регистр (ЦР);
29 - источник опорного напряжения (ИОН);
30 - интерфейс магистрали (ИМ);
31 - блок управления (БУ).

Описание возможного выполнения блоков и элементов установки
В качестве источника ИРИ 1 может быть применен серийно выпускаемый рентгеновский излучатель, например, типа РЕИС-И, предназначенный для облучения исследуемого объекта квантами с энергией от 10 до 45 кэВ. Диаметр фокусного пятна на аноде ИРИ 1 составляет от 100 до 200 мкм.

В качестве блока ВБП 2 может быть применен блок питания, входящий в состав рентгеновского излучателя РЕИС-И, который может быть выполнен по схеме фиг.6.

Пульт управления ПУ 3 соединен гибким кабелем с ВПБ 2 и может быть собран по схеме фиг.7. Пульт 3 предназначен для управления блоком 2, а следовательно интенсивностью излучения излучателя ИРИ 1.

Датчик ДРИ 4 может быть собран на PIN-диоде и предназначен для измерения мощности дозы излучения ИРИ 1. Принцип действия датчика 4 основан на преобразовании мощности дозы рентгеновского излучения в ток с помощью электронного прибора - P-I-N диода.

Плата 5 подключения исследуемого объекта (ПИО) может иметь конструкцию, показанную на фиг.2, и должна быть выполнена из диэлектрического материала, например стеклотекстолита. В состав этой платы входят контактная плата 12 для крепления контактной панели 13 и контактный разъем 14. Панель 13 имеет контакты по числу не меньше числа выводов испытываемых ППП или ИС.

Блок 6 БСК может быть выполнен со схеме фиг.3 и имеет вход сигнала датчика ДРИ 4, по меньшей мере один выход измеряемых сигналов испытываемого объекта (ИО) для подключения к электроизмерительному прибору и один вход напряжения источника электропитания ИО. Кроме того блок имеет, по меньшей мере два выхода напряжения источника электропитания для подачи питания на ИО, а также два входа для подачи измеряемых сигналов ИО на блок БСК, и входы-выходы сигналов управления с БИСХ 9. Этот блок предназначен для коммутации контактов испытываемого объекта и его согласования с источником питания 11 и электроизмерительным прибором 10.

В качестве управляющего вычислительного устройства (УВУ) 7 может быть применена персональная ЭВМ, например, типа IBM PC/AT полностью совместимая с MS-DOS версии 3.30 и более поздней, которая должна иметь хотя бы один свободный параллельный (LPT) или последовательный (COM) порт для связи с КС 8. С целью ускорения процесса обмена информацией могут использоваться специализированные интерфейсы типа универсального параллельного адаптера (УПА).

Контроллер 8 может быть выполнен по схеме фиг.4, который обеспечивает передачу информации между УВУ 7 и БСК 6. Возможный вариант выполнения принципиальной электрической схемы этого устройства приведен на фиг. 10 (а,б). Контроллер 8 предназначен для сопряжения БИСХ 9 с УВУ 7.

Блок БИСХ 9 может быть выполнен по структурной и принципиальной электрической схемам фиг. 5 и 8. Этот блок предназначен для исследования статических электрических характеристик и параметров полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС).

В качестве измерительного прибора 10 и источника питания 11 могут быть применены стандартные электроизмерительные приборы (осциллографы, цифровые и импульсные вольтметры и т.п.) и вторичные источники питания, которые обеспечивают требуемые для испытания объекта напряжения и токи.

Плата 12 для крепления контактной панели 13 должна выполняться из диэлектрического материала, например стеклотекстолита. На диэлектрической панели 13 закрепляются металлические контакты по числу не менее числа выводов испытываемого объекта.

В качестве контактного разъема 14 может быть применен низкочастотный разъем (штырь).

В качестве контактного разъема 15 может быть применен такой же разъем (гнездо).

Коммутационное поле 16 обеспечивает задание режимов питания, сигналов управления исследуемым объектом, а также передачу сигналов состояния с произвольных выходов исследуемого объекта (см. принципиальную схему блока БСК на фиг. 11 а,б).

В качестве предварительного усилителя (ПУ) 17 может быть применен усилитель КР544УД (D2), которое служит для согласования высоковольтных источников импульсных сигналов с коаксиальным кабелем.

Блок управления БУНП 18 может быть выполнен по схеме фиг.11 (а,б) на переключателях S1 и S2, а также индикаторах напряжения на основе стандартных световодов VD2 и VD3, включенных в коллекторные цепи транзисторов VT1 и VT2 типа KT315. Переключатель S1 предназначен для подачи напряжения питания, а S2 - для его отключения. Индикаторы напряжений обеспечивают контроль за наличием питания на объекте испытаний.

Контактный разъем 19 обеспечивает передачу уровней тока и напряжения, необходимых для исследуемого объекта, например напряжения питания уровней логического нуля и единицы.

Схема ССИ 20 может быть выполнена по принципиальной электрической схеме, приведенной на фиг. 11 (а,б), на основе буферного формирователя КР1533АП5 (элемент D20), дешифратора КР1533ИД7 (элемент D13) и мультиплексорах КР1533КП15 (элементы D24 - D31 и Д7). Эта схема предназначена для обмена данными и управление портами через параллельный интерфейс УВУ 7.

Асинхронный приемопередатчик АПП 21 может быть выполнен по схеме фиг.11 (а,б) на основе микроконтроллера КР1816ВЕ31 (элемент D1) и служит для обмена данными и управления портами через последовательный интерфейс УВУ 7.

Схема СОК 22 может быть выполнена как показано на фиг. 11( а,б) на основе адресного дешифратора, функцию которого выполняет постоянное запоминающее устройство КР556РТ4А (элемент D22) и формирователя байта опознания на основе микросхемы КР1533АП5 (элемент D23). Эта схема служит для проверки типа контроллера КС 8 к устройству УВУ 7.

Порты и регистры ПКРКП 23 выполнены, например, по схеме фиг. 11 (а,б) на основе регистров КР1533ИР23 (элементы D14 - D20) и служит для управления режимами работы КС 8 и промежуточного хранения данных.

Схема ССК 24 может быть выполнена, например, как показано на фиг. 11 (а, б), на основе микросхемы КР1533ЛН1 (элемент D9), кнопки сброса S1 и времязадающей цепи C1, R5, R6 и предназначена для сброса регистров состояния и перевода портов КС 8 в режим ввода данных.

Преобразователи 25 ЦАП и 26 АЦП в составе БИСХ 9 выполняются по известным схемам таких преобразователей, например на микросхемах 594ПА1 (элемент D6 на фиг. 7) и 1113ПВ1 (элемент D13).

Преобразователь 27 тока в напряжение может быть выполнен на основе микросхемы операционного усилителя AD620 (элемент D16).

Цифровой регистр 28 выполнен, например, на микросхемах К555ТМ8 и К555ТМ9 (элементы D4 и D5).

Источник ИОН 29 может быть выполнен на основе микросхемы операционного усилителя КР140Д608 (элемент D14).

Интерфейс магистрали ИМ 30 может быть выполнен на основе буферных элементов К555ЛН5 (элементы D8 и D9).

Блок БУ 31 выполнен на основе адресных селекторов 556РТ4 и 588РР16 вместе с логическими элементами К555ЛА3 (элементы D1, D2, D3).

Установка (фиг. 1) для испытаний на радиационную стойкость полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) содержит источник рентгеновского излучения (ИРИ) 1, высоковольтный блок питания (ВБП) 2 этого источника, пульт 3 управления (ПУ) высоковольтным блоком питания (ВБП) 2, датчик 4 интенсивности рентгеновского излучения (ДРИ), плату 5 подключения исследуемого объекта (ПИО) к установке, блок 6 согласования и коммутации (БСК), управляющее вычислительное устройство 7 (УВУ), контроллер 8 связи (КС), блок 9 исследования статических характеристик испытываемого объекта (БИСХ), электроизмерительный прибор 10 (ЭП) и источник 11 электропитания испытываемого объекта (ЭП).

Плата 12 (фиг.2) для подключения испытываемого объекта к установке выполнена прямоугольной формы из стеклотекстолита и содержит диэлектрическую контактную панель 13 с 48-ю контактами, к которым для испытаний подключается испытываемый объект. Каждый контакт панели 13 соединен с отдельным выводом контактного разъема 14 типа ГРПМ-61 (штырь), который закреплен на плате 12. Блок 6 согласования и коммутации (БСК) выполнен в соответствии со структурной схемой фиг. 11 (а,б) на микросхемах типа 1526ТР2, Б1432УЕ1 и 544УД2. Этот блок обеспечивает согласование испытываемого объекта с установкой, источником питания 11 и электроимерительным прибором 10. Работу блока БСК 6 можно проследить по схеме фиг.3. Блок 6 имеет вход подачи напряжений источника электропитания и выход измеряемых сигналов исследуемого объекта, а также вход сигнала ДРИ 4 и входы-выходы блока БИСХ 9.

В качестве управляющего вычислительного устройства (УВУ) 7 использована персональная ЭВМ типа IBM PC/AT, совместимая с MS-DOS версии 3.3, имеющая свободный параллельный порт (LPT) с интерфейсом Centronics. Контроллер связи 8 выполнен по схемам фиг. 4 и 10 (а,б) и обеспечивает подключение персональной ЭВМ к установке и собран на микросхемах серии 1533, 1816, 573 и 556.

В качестве измерительного прибора 10 применен осциллограф типа C9-13, а источника 11 электропитания - прибор Б3-21.

Вход электропитания источника ИРИ 1 соединен с выходом блока ВБП 2, управляющий вход которого соединен с выходом пульта 3. В поле излучения источника ИРИ 1 установлена плата 6 (ПИО), на которую за выводы крепится испытываемый объект (ИО). При тестировании установки на месте платы 5 устанавливается датчик ДРИ 4. Выход ДРИ 4 соединен с входом его сигнала в БСК 6. Контактный разъем 14 (типа ГРПМ-61, гнездо) соединен с контактным разъемом 15 (типа ГРПМ-61, гнездо), установленный на БСК 6, обеспечивает электрические соединения этих блоков для подачи напряжений на исследуемый объект и снятия преобразованных объектом напряжений - измеряемых сигналов. Из блока БСК 6 измеряемые сигналы ИО поступают на вход прибора ЭП 10, на вход блока 67 подключен выход источника 11 ИЭ. Входы-выходы блока БСК 6 соединены с выходами-входами блока БИСХ 9. Выходы-входы цифровых сигналов устройства УВУ 7 соединены с соответствующими входами-выходами цифровых сигналов КС 8, в свою очередь его вторые входы-выходы цифровых сигналов соединены с соответствующими выходами-входами БИСХ 9.

При тестировании установки перед раскрывом источника ИРИ 1 на месте платы ПИО 5 установлен датчик ДРИ 4. При испытании на контактную панель 13 установлен исследуемый объект (ИО) с обеспечением контакта его выводов с контактами панели.

В режиме тестирования - контроля параметров излучения источника ИРИ 1 установка работает следующим образом.

По сигналу кнопки "Пуск" пульта ПУ 3 включается блок питания ВБП 2. Этот блок подает высокое напряжение на источник ИРИ 1, который начинает испускать рентгеновское излучение с энергиями квантов до 45 килоэлектровольт. Датчик ДРИ 4 размещают на оси пучка излучения источника ИРИ 1. PIN-диод ДРИ 4 при поглощении энергии рентгеновского излучения преобразует мощность дозы рентгеновского излучения в ток. Этот сигнал поступает на вход прибора ЭП 10 через блок БСК 6.

При совпадении полученного значения эквивалентной мощности поглощенной дозы с заданным датчик ДРИ 4 заменяется на испытываемый объект, обеспечивают электрическую связь выводов объекта с контактами панели 13 и производят оценку радиационной стойкости испытываемого объекта - ППП или ИС.

Программное обеспечение УВУ 7 (программа MEASURER в режиме DOZIMETRY) обеспечивает вывод информации о значении эквивалентной мощности поглощенной дозы в PIN-диоде датчика ДРИ 4 на дисплей УВУ 7.

При необходимости корректируют интенсивность излучения и повторяют калибровку установки с помощью датчика ДРИ 4.

Алгоритм работы оператора на установке для испытаний на радиационную стойкость ППП и ИС приведен на фиг.9.

Перед измерениями производят тестирование всех узлов и блоков установки и предварительную установку уровня интенсивности рентгеновского излучения (дозиметрию) с помощью программы MEASURER в режиме DOZIMETRY.

Испытания на радиационную стойкость ППП и ИС производят в соответствии с алгоритмом фиг.9, но вместо ДРИ на панели 13 размещают исследуемый объект и обеспечивают электрическую связь выводов объекта с контактами панели.

Программа MEASURER в режиме DOZIMETRY обеспечивает вывод информации с ИО о его реакции на воздействие рентгеновского излучения на дисплей персональной ЭВМ и определение уровня стойкости ППП или ИС к рентгеновскому излучению.

На основании описания конструкции устройства и его работы считаем доказанным, что достигнут технический результат изобретения: уменьшение времени испытаний за счет их автоматизации и увеличение достоверности испытаний за счет испытаний ППП и ИС под напряжением - в рабочем режиме.


Формула изобретения

Установка для испытаний на радиационную стойкость, содержащая источник рентгеновских излучений со входом питающего напряжения и выходом рентгеновского излучения, высоковольтный блок питания источника рентгеновского излучения с управляющим входом и выходом высокого напряжения, который соединен со входами источника рентгеновского излучения, пульт управления упомянутым блоком питания, выход которого соединен с управляющим входом высоковольтного блока питания, отличающаяся тем, что в нее введены датчик интенсивности рентгеновского излучения с выходом контрольного сигнала, по меньшей мере один электроизмерительный прибор и один источник электропитания испытываемого объекта, плата с контактной панелью для подключения испытываемого объекта к установке, число контактов которой не меньше числа выводов испытываемого объекта, управляющее вычислительное устройство (УВУ) с встроенной программой MEASURER и входами-выходами управляющих сигналов, обеспечивающими функционирование программы, с помощью которой перед измерениями производят тестирование всех узлов и блоков установки и предварительную установку уровня интенсивности рентгеновского излучения - дозиметрию, кроме того, программа обеспечивает вывод информации о значении эквивалентной мощности поглощенной дозы излучения в датчике и информации с испытываемого объекта о его реакции на воздействие рентгеновского излучения на дисплей УВУ и определение уровня стойкости испытываемого объекта к рентгеновскому излучению, контроллер связи УВУ со входами-выходами управляющих сигналов, блок исследования статических характеристик со входами-выходами управляющих и коммутирующих сигналов, блок согласования и коммутации контактов упомянутой платы, имеющий вход контрольного сигнала датчика интенсивности рентгеновского излучения, по меньшей мере один вход напряжения источника электропитания и один выход измеряемых сигналов, по меньшей мере два выхода напряжения источника электропитания и два входа измеряемых сигналов и входы-выходы сигналов блока исследования статических характеристик, причем входы-выходы УВУ соединены с выходами-входами контроллера связи, другие входы-выходы которого соединены с выходами-входами блока исследования статических характеристик, один вход блока согласования и коммутации соединен с соответствующим выходом датчика интенсивности рентгеновского излучения, одни входы-выходы этого блока соединены с выходами-входами блока исследования статических характеристик, а другие его входы-выходы с выходами-входами платы для подключения исследуемого объекта к установке, электроизмерительный прибор и источник электропитания испытываемого образца подключены к соответствующим выходу и входу блока согласования и коммутации, причем датчик интенсивности рентгеновского излучения во время тестирования установки установлен на оси рентгеновского излучения на месте платы для испытываемого объекта.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к области тестирования и измерения параметров полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технике измерения параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном контроле качества и для оценки их температурных запасов

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов
Наверх