Способ кристаллизации синтетического берилла

 

Изобретение может быть использовано для получения синтетических драгоценных камней. Кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав. Дно камеры 4 кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубки 5. По завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе 1 кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры 4 кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе 1 кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм. В полость камеры 4 кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700oC, после чего давление азота в колбе 1 кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм. Расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке 5 и, растекаясь по дну камеры 4 кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oC, кристаллизуется, упрощается процесс кристаллизации. 1 ил.

Изобретение относится к способам получения синтетических драгоценных камней.

Известен способ кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав (Г. Смит "Драгоценные камни", издание второе переработанное, М., "Мир", 1984 г., стр. 197).

К недостаткам известного способа можно отнести его значительную сложность, обусловленную большим количеством операций.

Задачей изобретения является упрощение процесса кристаллизации.

Решение поставленной задачи достигается тем, что в способе кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав, дно камеры кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным, внутренний диаметр керамической трубки, по завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм, в полость камеры кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700oC, после чего давление азота в колбе кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм, расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке и, растекаясь по дну камеры кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oC, кристаллизуется.

Изобретение поясняется графическими материалами, где изображен кристаллизатор в разрезе.

Кристаллизатор содержит колбу 1, на которую нанесен слой футеровки 2. Колба 1 сообщается с камерой 4 кристаллизатора посредством керамической трубки 5. В колбе 1 находится расплав берилла.

Реализация способа заключается в следующем.

Дно камеры 4 кристаллизатора покрывают слоем асбеста толщиной 2 - 4 мм, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубки 5. По завершении процесса варки расплава 3 необходимо плавно снять давление азота в колбе 1, демонтировать глухой фланец с камеры 4 кристаллизатора и поднять давление в колбе до 0,5 - 0,75 атм.

В полость камеры 4 кристаллизатора заливается расплав алюминия и устанавливается температура 670 - 700oC. После чего давление азота в колбе 1 поднимается до 1,5 - 2 атм.

Под давлением расплав берилла поднимается по керамической трубке 5 и, растекаясь по дну камеры 4 кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oC, происходит кристаллизация. Давление внутри камеры 4 способствует росту кристалла по вертикали.

В полость камеры 4 заливается расплав алюминия и устанавливается температура 670 - 700oC. Расплав алюминия создает давление на дно камеры 4, способствуя растеканию поступающего по трубке 5 раствора, снижает избыточную температуру поступающего раствора и создает для него состояние невесомости.

Таким образом, соблюдая постоянную температуру расплава алюминия в полости камеры 4 кристаллизатора в диапазоне 670 - 700oC, создаются условия для роста кристалла.

Формула изобретения

Способ кристаллизации синтетического берилла, при котором кристаллизацию расплава проводят в кристаллизаторе, помещенном в автоклав, отличающийся тем, что дно камеры кристаллизатора покрывают слоем асбеста, оставляя свободным внутренний диаметр керамической трубы, по завершении процесса варки расплава берилла плавно снижают давление азота в колбе кристаллизатора, демонтируют глухой фланец с камеры кристаллизатора и поднимают давление азота в колбе кристаллизатора до 0,5 - 0,75 атм, в полость камеры кристаллизатора заливают расплав алюминия и устанавливают температуру 670 - 700oС, после чего давление азота в колбе кристаллизатора поднимают до 1,5 - 2 атм, расплав берилла поднимается под давлением по керамической трубке и, растекаясь по дну камеры кристаллизатора под слоем алюминия с температурой 670 - 700oС, кристаллизуется.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к сплавам на основе алюминия, предназначенным для применения в качестве легких конструкционных материалов

Лигатура // 1539227
Изобретение относится к черной металлургии

Изобретение относится к области обработки камней, а более точно к способу обработки ювелирного камня

Изобретение относится к области камнеобрабатывающей и ювелирной промышленности, в частности к обработке драгоценного камня и получения его формы, преимущественно алмаза, с закреплением в оправе

Изобретение относится к конструкции оправ ювелирного изделия

Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные изделия, иммитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист

Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные украшения, имитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист

Изобретение относится к изделиям ювелирной промышленности, а именно к видам огранки алмазов в бриллианты

Изобретение относится к изделиям ювелирной промышленности, а именно к видам огранки алмазов в бриллианты
Наверх