Способ обработки материалов микролептонным излучением и устройство для его реализации


H05H1 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

 

Использование: в области технологии и техники обработки материалов микролептонным излучением. Технический результат - в изменении физико-химических свойств и технологических характеристик обрабатываемых материалов. Сущность изобретения: ВЧ-генератором подают сигналы с частотой до 1,0 МГц и длиной в зависимости от обрабатываемого материала в накопитель и при достижении требуемой плотности сигналов преобразуют их в поток электронов, который подают в концентратор и далее преобразуют в микролептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал. Для осуществления способа используется устройство, которое снабжено ВЧ-генератором, накопителем, концентратором и электродом, при этом накопитель выполнен в виде контурной емкости с витками и связан с ВЧ-генератором и концентратором, выполненным в виде конической электромагнитной катушки. С помощью электрода микролептонное излучение направляется на обрабатываемый материал. 2 c.п.ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области технологии и техники обработки материалов микролептонным излучением.

Из патентной литературы известен способ плазменной обработки поверхности, включающий зажигание дуги, расположенной под углом к обрабатываемой поверхности и изменение формы дуги путем наложения на нее переменного магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны направлению тока дуги и наложены в прикатодной области разряда, формируемое в виде однополярных треугольных импульсов.

/См. Авторское свидетельство СССР N 1549464, H 05 H 1/00, 1988/.

Известна конструкции ВЧ плазменного генератора, включающего электромагнитную катушку, индуктор или электроды, подключенные к источнику ВЧ-энергии. Различают ВЧ-плазменные генераторы, индукционные, емкостные, факельные, а также СВЧ плазменные генераторы. / См. Плазменные генераторы, физический энциклопедический словарь, Москва, "Советская энциклопедия", 1984, с. 543, рис. 1,2/.

Достигаемый изобретениями технический результат заключается в повышении и изменении физико-химических свойств и технологических характеристик, обрабатываемых микролептонным излучением материалов.

Изобретение поясняется чертежом, где представлена принципиальная схема устройства.

Сущность изобретения.

Способ обработки материалов микролептонным излучением, включающий подачу ВЧ-генератором сигналов с частотой до 1,0 МГц и длиной в зависимости от обрабатываемого материала в накопитель и при достижении требуемой плотности сигналов преобразование в поток электронов, который подают в концентратор и далее преобразуют в микролептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал.

Устройство для обработки материалов микролептонным излучением снабжено ВЧ-генератором, накопителем, концентратором и электродом, при этом накопитель выполнен в виде контурной емкости с витками и связан с ВЧ-генератором и концентратором, выполненным в виде конической электромагнитной катушки, и направляет с помощью электрода микролептонное излучение на обрабатываемый материал.

Существует большой класс микрочастиц, масса которых в миллионы и миллиарды раз меньше электрона, которые в физике называют микролептонами. Микролептоны несут полную информацию о любом объекте, который их излучает. Все физические, химические и другие процессы, протекающие в живой и неживой природе, сопровождаются излучением и увеличением микролептонов.

Концентрация дополнительной /свободной/ энергии приводит к изменению физико-химических характеристик практически всех веществ и материалов.

С ВЧ-генератора сигналы определенной частоты до 1,0 МГц подаются в накопитель и при достижении требуемой плотности преобразуются в поток электронов, который подают в пирамидальный концентратор и далее в микроплептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал. Микролептонное излучение непосредственно контактирует с материалом, уплотняя микролептонное поле обрабатываемого материала.

В устройстве преобразуется и концентрируется энергия посредством организации направленного движения уплотненного потока электронов.

С ВЧ-генератора 1 сигналы определенной частоты и длины подаются в накопитель 2, выполненный в виде контурной емкости с малым количеством витков, и при достижении необходимой величины поток электронов подается в пирамидальный концентратор 3, выполненный в виде конической электромагнитной катушки и направляется в электрод 4, образуя на свободном его конце микролептонный сход - излучение. Микролептонное излучение непосредственно контактирует с материалом 5 /например с керамическим изделием/ и уплотняет микролептонное поле данного изделия.

Изобретение позволяет повысить основные эксплуатационные показатели и физико-химические характеристики веществ и материалов, используемых в различных областях деятельности человека.

Формула изобретения

1. Способ обработки материалов микролептонным излучением, включающий подачу ВЧ-генератором сигналов с частотой до 1,0 МГц и длиной в зависимости от обрабатываемого материала в накопитель и при достижении требуемой плотности сигналов преобразование в поток электронов, который подают в концентратор и далее преобразуют в микролептонное излучение, направляемое на обрабатываемый материал.

2. Устройство для обработки материалов микролептонным излучением, снабженное ВЧ-генератором, накопителем, концентратором и электродом, при этом накопитель выполнен в виде контурной емкости с витками и связан с ВЧ-генератором и концентратором, выполненным в виде конической электромагнитной катушки, и направляющее с помощью электрода микролептонное излучение на обрабатываемый материал.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для получения и управления плазмой при нагреве газовых струй в плазмохимических, металлургических и других процессах

Изобретение относится к устройствам для получения и управления плазмой при нагреве газовых струй в плазмохимических, металлургических и других процессах

Изобретение относится к испытательной технике и предназначено для использования при исследованиях диэлектрической прочности газовой изоляции высоковольтных установок

Изобретение относится к процессам обработки материалов плазменной струей и может быть использовано в машиностроении, судостроении, строительстве и др

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано в газовых лазерах, таких как СО2, азотные и эксимерные лазеры

Изобретение относится к ракетно-космической технике, а именно к установкам для активного воздействия на околоземное космическое пространство

Изобретение относится к ракетно-космической технике, а именно к установкам для активного воздействия на околоземное космическое пространство

Изобретение относится к электротехнике, а именно к устройствам преобразования электрической энергии в тепловую с помощью электродугового разряда и может быть использовано для производства плавленных огнеупорных материалов, а также в металлургии

Изобретение относится к энергетике и может быть использовано для растопки энергетических и водогрейных котлов и стабилизации горения пылеугольного факела

Изобретение относится к лазерной технике

Изобретение относится к лазерной технике

Изобретение относится к физике твердого тела и может быть использовано в акустических системах, а также в целях создания высокотемпературной сверхпроводимости

Изобретение относится к области электротехники, а именно к электромагнитным устройствам развертки пучка, которые используются для облучения различных объектов

Изобретение относится к области технологии и техники обработки материалов микролептонным излучением

Наверх