Способ получения карбида кремния

 

Изобретение предназначено для химической промышленности и может быть использовано при получении абразивных и огнеупорных материалов. В вакуумную печь помещают шунгит в графитовых тиглях. Нагревают до 1600-1800°С со скоростью нагрева 200-300°С/ч при остаточном давлении 0,25-1,3 кПа. Выдерживают при этой температуре 1-2 ч, охлаждают с сохранением указанного остаточного давления. Расход электроэнергии 18,4 кВтч на 1кг SiС. Абразивная способность зерен SiC - 0,0925 ед. Способ прост, производителен. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области производства огнеупорных и абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния.

Известен способ производства карбида кремния путем нагрева смеси двуокиси кремния и углеродсодержащего вещества в потоке плазмы [1]. Недостатком этого способа является сложность и высокая энергоемкость процесса, а также ограниченный временной ресурс работоспособности плазматронов.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является известный способ получения карбида кремния, включающий электронагрев природной горной породы - шунгита, содержащей кремнезем и углерод, при температуре 1600-2100o [2]. Недостатком этого известного способа, взятого за прототип, является большая длительность процесса (25 часов) и высокие энергозатраты на получение карбида кремния.

Целью изобретения является устранение указанных недостатков известных способов и повышение качества получаемого продукта. Указанная цель достигается тем, что в известном способе получения карбида кремния, включающем электронагрев природной горной породы - шунгита, содержащей кремнезем и углерод, при температуре 1600-2100oC нагрев ведут в вакуумной печи при остаточном давлении в ее рабочем пространстве 0,25-1,3 кПа.

Указанная цель достигается также тем, что шунгит нагревают до температуры 1600-1800oC со скоростью 200-300 град/час, выдерживают при указанной температуре в течение 1-2 часов, а затем охлаждают с сохранением в печи остаточного давления в пределах 0,25-1,3 кПа.

Сущность изобретения заключается в том, что в процессе нагрева шунгита при пониженном давлении ускоряется протекание следующих реакций карбидообразования: SiO2 + C = SiO + CO SiO + C = SiC + CO SiO + C = Si + CO Si + C = SiC благодаря непрерывному удалению выделяющегося монооксида углерода из рабочего пространства печи. Это позволяет снизить температуру нагрева шунгита и существенно уменьшить длительность процесса. Снижение верхнего температурного предела нагрева до 1800oC предотвращает реакцию диссоциации карбида кремния на кремний и углерод, которая начинается при температуре 1800 oC и уменьшает выход годного карбида кремния, снижая качество получаемого продукта.

Указанные пределы остаточного давления в рабочем пространстве нагревательной вакуумной печи получены опытным путем. Понижение давления в печи ниже 0,25 кПа приводит к перерасходу электроэнергии на создание разряжения в печи и уже не оказывает существенного влияния на ускорение реакций карбидообразования, а при увеличении остаточного давления в печи выше 1,3 кПа начинается заметное окисление нагревательных графитовых элементов, а также углерода шунгита, что снижает ресурс работоспособности печи и выход карбида кремния.

Нагрев шунгита со скоростью 200-300 град/час до температуры 1600-1800oC обеспечивает равномерный прогрев всей нагреваемой массы шунгитов до заданной температуры за минимальное время. Более быстрый нагрев приводит к неравномерному прогреву шунгита по всему объему, а нагрев с меньшей скоростью увеличивает время нагрева и снижает производительность процесса.

Уменьшение времени выдержки шунгита менее 1 часа снижает выход карбида кремния. Выдержка шунгита при температуре 1600-1800oC в течение 2-х часов обеспечивает полное протекание реакций карбидообразования. Увеличение выдержки более 2 часов приводит к перерасходу электроэнергии.

Охлаждение печи при сохранении в ее рабочем пространстве остаточного давления в пределах 0,25-1,3 кПа предотвращает окисление графитовых нагревателей.

Изобретение иллюстрируется следующим примером.

Карбид кремния получали в электровакуумной печи с рабочим объемом 1 м3 с графитовыми нагревателями. В печи размещали 5 графитовых тигля диаметром 560 мм и высотой 1000 мм, заполненных шунгитовой породой (общая масса загрузки 300 кг). Температуру в печи повышали до 1650oC со скоростью нагрева 250 град/час при остаточном давлении в печи 0,8 кПа. После выдержки при указанной температуре в течение 1,5 часов электронагреватели отключали и охлаждали печь при сохранении в ней давления 0,8 кПа. Масса полученного карбида кремния составила 90 кг. Расход электроэнергии составил 18,4 кВтч на 1 кг карбида кремния. Абразивная способность зерен полученного карбида кремния составила 0,0925. При получении карбида кремния по способу - прототипу расход электроэнергии и графитовых нагревателей были в 3-7 раз больше.

Таким образом, применение изобретения позволяет получать карбид кремния высокого качества при значительно меньших энерго- и материальных затратах с более высокой производительностью печей.

Источники информации 1. Патент США N 3485591, кл. 23-208, 05.06.1970 г.

2. А.c. СССР N 431743, МКИ С 01 В 31/36, С 01 В 31/02, 25.08.1972.

Формула изобретения

1. Способ получения карбида кремния, включающий электронагрев природной горной породы - шунгита, содержащей кремнезем и углерод, при 1600 - 1800oС, отличающийся тем, что нагрев шунгита ведут в вакуумной печи при остаточном давлении в ее рабочем пространстве 0,25 - 1,3 кПа.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что шунгит нагревают до 1600 - 1800oС со скоростью 200 - 300oС/ч, выдерживают при указанной температуре в течение 1 - 2 ч, а затем охлаждают с сохранением в печи остаточного давления в пределах 0,25 - 1,3 кПа.

Другие изменения, связанные с зарегистрированными изобретениями

Изменения:Публикацию о досрочном прекращении действия патента на изобретение считать недействительной

Номер и год публикации бюллетеня: 1-2005

Извещение опубликовано: 20.04.2005        БИ: 11/2005

NF4A Восстановление действия патента Российской Федерации на изобретение

Извещение опубликовано: 10.08.2005        БИ: 22/2005



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к монокристаллическому карбиду кремния SiC и способу его получения, в частности к монокристаллическому SiC, используемому в качестве полупроводниковой подложки для светоизлучающего диода и электронного устройства или т.п., и к способу его получения
Изобретение относится к ядерной технике

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к технологии получения материалов, а именно к технологии получения поликристаллического кремния и его химических соединений - карбида и нитрида - из природных кремнийсодержащих концентратов
Изобретение относится к технологии очистки водных и паромасленных сред от механических и токсичных продуктов, газовоздушных смесей от сажи, абразивных частиц, химических парообразных и газообразных соединений и используется для экологической защиты на промышленных предприятиях, являющихся источником промышленных стоков и выбросов в атмосферу газообразных продуктов
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно способу получения карбида бора B12C3, который может быть использован в качестве поглотителя нейтронов в ядерной энергетике, абразива для шлифовки, а спеченный в виде резцов для обработки твердых материалов, химически стойкого материала в металлургии и химическом аппаратуростроении, высокоомных сопротивлений, полупроводниковых термопар и т.д., а также к новому интеркалированному соединению оксида графита с додекагидро-клозо-додекаборатной кислотой и способу его получения

Изобретение относится к технологии осаждения слоев карбида из газовой фазы для получения карбида кремния стехиометрического состава, высокой чистоты с теоретической плотностью
Изобретение относится к области производства керамических, износостойких, жаростойких и абразивных изделий, в частности к области получения сырьевых материалов для производства указанных изделий, и может быть использовано при получении карбида кремния -модификаций

Изобретение относится к области производства конструкционных изделий на основе графита, в частности силицированного графита, предназначенного для использования в народном хозяйстве в опорных и упорных подшипниках, подшипниках скольжения, торцовых уплотнениях насосов, перекачивающих различные жидкости, в том числе с абразивными частицами, в производстве облицовочных плит в химическом и металлургическом производствах, в производстве стеклянных и минеральных волокон и т.д
Изобретение относится к области химической технологии получения твердофазных наноструктурированных материалов, а именно к способу получения наноструктур (в том числе нанотрубок) из углерода, нитрида углерода, нитрида бора, карбидов металлов и т
Изобретение относится к области композиционных материалов, а точнее к алмазосодержащим композиционным материалам с высокой теплопроводностью и температуропроводностью
Изобретение относится к области производства абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния
Изобретение относится к способам получения порошкового материала на основе карбида кремния, который может быть использован для изготовления керамических изделий
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния, используемого в керамической промышленности
Изобретение относится к технологии получения порошка карбида кремния, используемого в абразивной, керамической и электротехнической промышленности
Изобретение относится к области металлургии
Изобретение относится к области нанотехнологий
Наверх