Способ получения бета-карбида кремния

 

Изобретение предназначено для химической и горноперерабатывающей промышленности и может быть использовано при получении керамических жаростойких и абразивных изделий. Хемогенную калиевую породу шунгита III и/или II разновидностей с величиной глиноземо-железистого модуля (Аl2О3 + FeO + Fe2О3)/C не более 0,2, где С, Аl2О3, FeO, Fe2О3 - содержание углерода и оксидов алюминия и железа в шунгитовой породе, нагревают в вакуумной электропечи до 1900-2100 К со скоростью 200-300 К/ч при давлении 300-1100 Па. Выдерживают при этой температуре 1 ч. Получают 80-98% бета-карбида кремния. Способ прост, экономичен за счет использования дешевого и доступного сырья. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области производства керамических, износостойких, жаростойких и абразивных изделий, в частности к области получения сырьевых материалов для производства указанных изделий, и может быть использовано при получении карбида кремния -модификаций.

Карбид кремния -модификации в небольших количествах образуется при обычном способе получения карбида кремния в электрических печах сопротивления путем нагрева смеси кремнезема и кокса. При этом температура в керне составляет 2400-2500 град.С. Карбид кремния -модификации образуется в небольших количествах в виде мечевидных или игольчатых кристаллов только на периферии керна (Францевич А. Н., Карбид кремния, Киев, Наукова думка, 1966, с.607). Извлечение -карбида кремния из керна чрезвычайно затруднено.

Известен способ получения -карбида кремния разложением хлоридов кремния на подогретой углеродной подложке (Патент США N 3011912, 05.12.1961). Процесс осуществляют при температуре 1400-1500 град.С с использованием смеси водорода с парами метилтрихлорсилана (CH3SiCl). Этот способ отличается низкой производительностью и требует соблюдения строгих мер по обеспечению взрывобезопасности и защиты окружающей среды.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемым результатам является известный способ получения -карбида кремния, включающий высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего материала (Заявка Великобритании N 2162504, 05.02.1986). Недостатком этого известного способа является применение дорогостоящего сырья и низкая производительность процесса.

Целью изобретения является повышение производительности процесса и снижение затрат на производство -карбида кремния.

Указанная цель достигается тем, что в известном способе, включающем высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего материала используют только хемогенные калиевые породы шунгита III или II разновидностей с величиной глиноземо-железистого модуля - (Al2O3 + FeO + Fe2O3)/C не более 0,2, где C, Al2O3, FeO, Fe2O3 - содержание углерода и оксидов алюминия и железа в шунгитовой породе.

Указанная цель достигается также тем, что нагрев шунгита ведут при давлении 300-1100 Па до температуры 1900-2100 К со скоростью 200-300 К в час.

Сущность изобретения заключается в следующем. Хемогенная калиевая порода III-й и II-й разновидностей шунгита содержит максимальное количество углерода (не менее 20% по массе) и имеет равномерное распределение по объему породы мелкодисперсной (зерна крупностью 0,2-5 мкм) кремнеземистой составляющей, что обеспечивает высокую удельную поверхность контактов частиц углерода и кремнезема и максимальную степень завершения реакций карбидообразования в процессе высокотемпературного нагрева шунгита. На основе опытов установлено, что абразивные свойства частиц карбида кремния ухудшаются с ростом глиноземо-железистого модуля (Al2O + FeO + Fe2O3)/C в составе шунгита, использованного для получения этого карбида, что связано с негативным влиянием на эти свойства соединений на основе оксида алюминия. При значениях указанного модуля менее 0,2 это влияние несущественно.

При использовании хемогенной калиевой породы III-й и/или II-й разновидностей шунгита и его нагреве со скоростью 200-300 К в час до температуры 1900-2100 К при давлении 300-1100 Па образуется до 80-98% карбида -модификации. Указанные пределы скорости нагрева обеспечивают равномерный прогрев шунгита по всем объему при максимальной производительности процесса. При температурах 1900-2100 К интенсивно идут реакции карбидообразования. Выход за эти пределы вызывает либо прекращение карбидообразования, либо начало диссоциации карбида кремния. Давление в печи в пределах 300-1100 Па обеспечивает удаление монооксида углерода из рабочего пространства печи, что ускоряет реакции карбидообразования. Выход за указанные пределы давления вызывает либо перерасход электроэнергии (нижний предел), либо снижает скорость реакций (верхний предел).

Изобретение иллюстрируется следующим примером.

Для получения -карбида кремния использовали хемогенную калиевую породу шунгита III-й разновидности с содержанием углерода 30,16%, кремнезема 59,6% и значением глиноземо-железистого модуля (Al2O3 + FeO + Fe2O3)/C = 0,19. Шунгит нагревали в вакуумной электропечи до температуры 2050 К со скоростью 260 К в час при давлении 1050 Па и выдерживали при этой температуре 1 час. Содержание -модификации карбида кремния составило в продукте 98% при выходе карбида кремния 0,265 кг/кг шунгита.

Таким образом, применение изобретения позволяет получать высокоабразивный -карбид кремния при значительно более низких энергозатратах и более высоком выходе годного продукта по сравнению с известными способами.

Формула изобретения

1. Способ получения бета-карбида, кремния, включающий высокотемпературный нагрев кремний- и углеродсодержащего материала, отличающийся тем, что в качестве кремний- и углеродсодержащего материала используют хемогенные калиевые породы шунгита III и/или II разновидностей с величиной глиноземо-железистого модуля (Al2O3 + FeO + Fe2O3)/C не более 0,2, где C, Al2O3, FeO, Fe2O3 - содержание углерода и оксидов алюминия и железа в шунгитовой породе.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев шунгита ведут при давлении 300 - 1100 Па до температуры 1900-2100 K со скоростью 200 - 300 K в час.

Другие изменения, связанные с зарегистрированными изобретениями

Изменения:Публикацию о досрочном прекращении действия патента на изобретение считать недействительной

Номер и год публикации бюллетеня: 4-2005

Извещение опубликовано: 20.04.2005        БИ: 11/2005

NF4A Восстановление действия патента Российской Федерации на изобретение

Извещение опубликовано: 10.08.2005        БИ: 22/2005



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к монокристаллическому карбиду кремния SiC и способу его получения, в частности к монокристаллическому SiC, используемому в качестве полупроводниковой подложки для светоизлучающего диода и электронного устройства или т.п., и к способу его получения
Изобретение относится к ядерной технике

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к технологии получения материалов, а именно к технологии получения поликристаллического кремния и его химических соединений - карбида и нитрида - из природных кремнийсодержащих концентратов
Изобретение относится к технологии очистки водных и паромасленных сред от механических и токсичных продуктов, газовоздушных смесей от сажи, абразивных частиц, химических парообразных и газообразных соединений и используется для экологической защиты на промышленных предприятиях, являющихся источником промышленных стоков и выбросов в атмосферу газообразных продуктов
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно способу получения карбида бора B12C3, который может быть использован в качестве поглотителя нейтронов в ядерной энергетике, абразива для шлифовки, а спеченный в виде резцов для обработки твердых материалов, химически стойкого материала в металлургии и химическом аппаратуростроении, высокоомных сопротивлений, полупроводниковых термопар и т.д., а также к новому интеркалированному соединению оксида графита с додекагидро-клозо-додекаборатной кислотой и способу его получения

Изобретение относится к технологии осаждения слоев карбида из газовой фазы для получения карбида кремния стехиометрического состава, высокой чистоты с теоретической плотностью

Изобретение относится к области производства конструкционных изделий на основе графита, в частности силицированного графита, предназначенного для использования в народном хозяйстве в опорных и упорных подшипниках, подшипниках скольжения, торцовых уплотнениях насосов, перекачивающих различные жидкости, в том числе с абразивными частицами, в производстве облицовочных плит в химическом и металлургическом производствах, в производстве стеклянных и минеральных волокон и т.д
Изобретение относится к области химической технологии получения твердофазных наноструктурированных материалов, а именно к способу получения наноструктур (в том числе нанотрубок) из углерода, нитрида углерода, нитрида бора, карбидов металлов и т
Изобретение относится к области композиционных материалов, а точнее к алмазосодержащим композиционным материалам с высокой теплопроводностью и температуропроводностью
Изобретение относится к области производства абразивных материалов и может быть использовано при получении карбида кремния
Изобретение относится к способам получения порошкового материала на основе карбида кремния, который может быть использован для изготовления керамических изделий
Изобретение относится к технологии получения карбида кремния, используемого в керамической промышленности
Изобретение относится к технологии получения порошка карбида кремния, используемого в абразивной, керамической и электротехнической промышленности
Изобретение относится к области металлургии
Изобретение относится к области нанотехнологий
Изобретение относится к неорганической химии, конкретно к получению аморфного и поликристаллического карбида кремния путем термической деструкции соединений, содержащих в своем составе только углерод, кремний и хлор, и может быть использовано для получения порошков, покрытий и объемных матриц
Наверх