Термоэлектрогенератор

 

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Имеющиеся термоэлектрогенераторы на основе тонкопленочных структур n-InSb дают значение удельной термоЭДС ~800 мкВ/К [1].

Сущность изобретения Термоэлектрогенератор на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-p-Si, полученной путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией пленки n-InSb, позволяет получать значения удельной термоЭДС 40-50 мВ/К как в области температуры жидкого азота, так и при комнатной температуре за счет барьерной термоЭДС, обусловленной дислокациями несоответствия и значительной разностью работ выхода контактирующих материалов.

Сведения, подтверждающие возможность изобретения Гетероструктуру n-InSb-SiO2-p-Si приготавливают путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-InSb при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией. К p-Si и перекристаллизованной пленке n-InSb эвтектическим сплавом In-Sn припаивают тонкие медные проволочки для измерения ЭДС при создании разности температур на гетероструктуре. При разности температур около 10 К значения ЭДС достигают 0,4-0,5 В, что соответствует удельной термоЭДС ~40-50 мВ/К.

Источник изобретения 1. Патент SU 2130216, опубл. 10.05.1999, Бюл. 13.

Формула изобретения

Термоэлектрогенератор, содержащий гетероструктуру n-InSb-SiO2-р-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-In-Sb при температуре около 300oС с последующей термической перекристаллизацией.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области термоэлектричества

Изобретение относится к получению термоэлектрического материала на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом горячей экструзии

Изобретение относится к области полупроводниковых материалов с модифицированными электрическими свойствами. Способ получения низкотемпературного термоэлетрика на основе сплава Bi88Sb12 с добавками гадолиния включает помещение навески сплава Bi88Sb12 и металлического гадолиния в количестве 0,01-0,1 ат.% в стеклянную ампулу, из которой откачивают воздух до 10-3 мм рт. ст. и запаивают, размещение ампулы в печи, ее нагрев до температуры плавления сплава до полного растворения гадолиния, зонное выравнивание со скоростью 2 см/ч и выращивание монокристалла на затравку заданной ориентации методом зонной перекристаллизации при четном проходе со скоростью 0,5 мм/ч. Полученный термоэлектрик состоит из монокристалла Bi88Sb11 с распределенными в межслоевом пространстве наночастицами гадолиния, приводящими к увеличению соотношения подвижностей электронов и дырок без изменения концентрации носителей заряда, что в конечном итоге приводит к увеличению модуля дифференциальной термоэдс и соответственно термоэлектрической эффективности до 70% при 110 К для добавок гадолиния 0,1 ат.%. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх