Газоразрядная индикаторная панель

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения знакографической и видеоинформации. Высокая надежность герметизации ГИП обеспечивается за счет того, что в панели с сформированным по периметру уступом, в котором размещен внешний шов герметизации, ширина стороны уступа t_уст, образованной верхней диэлектрической пластиной, имеющей размеры больше, чем размеры нижней диэлектрической пластины, выбрана согласно выражению t_уст = (1,8÷5) мм²/t, где t - толщина нижней диэлектрической пластины, мм. 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения знакографической и видеоинформации.

Известна газоразрядная индикаторная панель (ГИП), содержащая две диэлектрические пластины, системы анодных и катодных электродов, выполненных из объемных проводников, ограниченные разделительными элементами ячейки индикации, образованные в перекрестьях электродов, шов герметизации, расположенный между диэлектрическими пластинами по периметру панели [патент Великобритании 1496392, Н 1 D, 1977 г.].

Недостатком панели является то, что шов герметизации имеет большую площадь, ограничивая тем самым поле индикации.

При использовании ГИП в наборных экранах нерабочие участки шва герметизации приводят к искажению информации в местах стыковки ГИП. Кроме того, к недостаткам данной ГИП относится низкая механическая прочность панели в месте расположения шва герметизации.

Известна ГИП, содержащая две диэлектрические пластины, анодные и катодные электроды, диэлектрическую матрицу с люминофором в ее отверстиях, внешний шов герметизации [патент США 3701916, 313-108, 1972 г.].

Недостатком данной ГИП является удаленность крайних ячеек от шва герметизации, в связи с чем невозможна стыковка панелей друг с другом для обеспечения отображения информации без потерь шага. В панели не обеспечена высокая механическая прочность в месте расположения шва герметизации.

Наиболее близкой к предлагаемому изобретению является ГИП, содержащая перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя с одинаковым направлением продольных осей диэлектрическими пластинами - нижней и верхней, имеющей большую ширину и длину, причем диэлектрические пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором расположен внешний шов герметизации [патент РФ 2098881, H 01 J 17/49, 1997 г. - прототип].

Недостатком данной конструкции является низкая надежность внешнего шва герметизации.

Задачей данного изобретения является создание ГИП с высокой надежностью внешнего шва герметизации.

Указанный технический эффект при осуществлении изобретения достигается тем, что в известной конструкции ГИП, содержащей перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя с одинаковым направлением продольных осей диэлектрическими пластинами - нижней и верхней, имеющей большую ширину и длину, причем диэлектрические пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором расположен внешний шов герметизации, ширина стороны уступа t_уст, образованной верхней диэлектрической пластиной, выбрана согласно выражению t_уст=(1,8÷5)мм²/t, где t - толщина нижней диэлектрической пластины, мм.

При выполнении данного условия обеспечивается высокая герметичность ГИП с внешним швом, имеющим минимальную толщину.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "новизна".

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых надежность ГИП с внешним швом герметизации достигалась бы за счет оптимального соотношения размеров сторон уступа, образованного расположенными одна над другой диэлектрическими пластинами, верхняя из которых имеет большую длину и ширину.

Таким образом, заявленное изобретение соответствует требованию "изобретательский уровень".

Изобретение поясняется чертежом, на котором представлен один из вариантов ГИП.

ГИП содержит верхнюю диэлектрическую пластину 1 и нижнюю диэлектрическую пластину 2 с толщиной t, ортогональные системы катодов 3 и анодов 4, образующих ячейки индикации 5, ограниченные диэлектрическими барьерами 6, внешний шов герметизации 7, размещенный в уступе, образованном по периметру панели при наложении на нижнюю диэлектрическую пластину верхней диэлектрической пластины, длина и ширина которой больше, чем у нижней пластины.

Панель работает следующим образом.

При подаче импульсов напряжения на соответствующие аноды 4 и катоды 3 в ячейках индикации возникает газовый разряд, отображающий информацию. Для получения свечения ячейки индикации с различной яркостью вводится широтно-импульсная модуляция.

Для обеспечения надежной герметизации ГИП толщина нижней диэлектрической пластины t и ширина стороны уступа t_уст, образованной верхней диэлектрической пластиной, определяется согласно выражению t_уст= (1,8÷5) мм²/t.

Если t_уст будет меньше 1,8/t, то ГИП будет натекать через шов герметизации.

Если t_уст будет больше 5/t, то в этом случае надежность внешнего шва герметизации также будет снижаться, т. к. из-за большой массы герметизирующего материала он будет при герметизации "стекать" с торца меньшей диэлектрической пластины и, как следствие, приведет к негерметичности ГИП.

Пример конкретного выполнения.

ГИП содержит верхнюю диэлектрическую пластину размером 486х486х5 мм и нижнюю диэлектрическую пластину размером 484х484х5 мм. Ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов и катодов, выполненных из проволоки 47 НД, ограничены диэлектрическими барьерами, сформированными на нижней диэлектрической пластине. Высота и ширина барьеров, соответственно, равны 0,24 мм и 0,4 мм. В промежутках между барьерами на внутренней поверхности нижней диэлектрической пластины нанесен люминофор ФГИ - 520 -1 толщиной 0,07 мм и площадью 2,6х2,6 мм². Шов герметизации расположен в уступе, сформированном по периметру панели за счет разности ширины и длины верхней и нижней диэлектрических пластин. Величина t_уст = 1 мм соответствует соотношению (1,8÷5)/5 = (0,36÷1) мм.

ГИП наполнена Ne+30%Хе при давлении 95 мм рт.ст.

Панель надежно работает в течение двух лет эксплуатации. За этот период герметизация ГИП не нарушена. Наработка составляет более 10 000 ч.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет создать ГИП с надежным внешним швом герметизации.

Формула изобретения

Газоразрядная индикаторная панель, содержащая перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя с одинаковым направлением продольных осей диэлектрическими пластинами - нижней и верхней, имеющей большую ширину и длину, причем диэлектрические пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором расположен внешний шов герметизации, отличающаяся тем, что ширина стороны уступа t_уст, образованной верхней диэлектрической пластиной, выбрана согласно выражению t_уст = (1,8÷5) мм²/t, где t - толщина нижней диэлектрической пластины, мм.

РИСУНКИ

Рисунок 1