Способ получения монокристаллов оптического кальцита

 

Использование: указанные кристаллы благодаря высокому двулучепреломлению широко применяются в качестве материала для поляризаторов света, лучеразводящих элементов, быстродействующих лазерных затворов и в других оптических устройствах. Сущность изобретения: монокристаллы оптического кальцита получают гидротермальным методом, включающим нагрев и перекристаллизацию карбоната кальция на затравки из смешанного раствора галогенида лития и галогенида аммония при наличии температурного перепада, в качестве затравок используют пластины кальцита, ориентированные параллельно грани пинакоида (0001), а соотношение концентраций галогенида лития и галогенида аммония в растворе соответственно (25): 1. Получают высококачественное оптическое, наиболее выгодное для изготовления оптических деталей кристаллосырье. 1 табл.

Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата). Указанные кристаллы благодаря высокому двулучепреломлению широко используют в качестве материала для поляризаторов света, лучеразводящих элементов, быстродействующих лазерных затворов и в других оптических устройствах.

Известен способ получения монокристаллов оптического кальцита в гидротермальных условиях из раствора галогенида аммония на затравочные пластины, параллельные граням спайного ромбоэдра (Лютин В.И., Дронов В.В., Бородин В. Л., Хаджи В.Е. Выращивание монокристаллов оптического кальцита в гидротермальных условиях. Материалы VI Международной конференции по росту кристаллов. Расширенные тезисы, Т. 4. Рост из низкотемпературных гидротермальных растворов. Реальная структура. Рост в твердой фазе. - М., 1980 г., стр. 169-170).

Однако ромбоэдрические кристаллы являются невыгодными при изготовлении оптических деталей, т.к. большая часть дорогостоящего кристаллосырья попадает в отходы. Кроме того, выращенные монокристаллы кальцита имеют оптические неоднородности в виде V-образных свилей.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту к описываемому изобретению является способ получения монокристаллов оптического кальцита, включающий перекристаллизацию кристаллического карбоната кальция из смешаного водного раствора, содержащего хлориды лития и аммония, на точечные затравки. В результате были получены кристаллы кальцита пинакоидальной ориентации (Икорникова Н. Ю. Гидротермальный синтез кристаллов в хлоридных системах. - М.: Наука, 1975).

Недостатком данного способа получения кристаллов кальцита является то, что не были получены кондиционные кристаллы, которые можно было бы использовать для изготовления оптических деталей.

Технической задачей предполагаемого изобретения является получение высококачественного оптического, наиболее выгодного для изготовления оптических деталей кристаллосырья.

Поставленная техническая задача решается за счет того, что в известном способе получения монокристаллов оптического кальцита гидротермальным методом, включающем нагрев и перекристаллизацию карбоната кальция на затравки из смешаного водного раствора галогенида лития и галогенида аммония при наличии температурного перепада, в качестве затравок используют пластины кальцита, ориентированные параллельно грани пинакоида (0001), а соотношение концентраций галогенида лития и галогенида аммония в растворе соответственно (2-5): 1.

Сопоставительный анализ заявляемого решения с прототипом показывает, что заявляемый способ получения монокристаллов оптического кальцита отличается от известного тем, что в качестве затравок используют пластины, ориентированные параллельно грани пинакоида (0001), а соотношение концентраций галогенида лития и галогенида аммония в растворе соответственно (2-5):1.

Данная ориентация выращиваемых кристаллов (0001) более экономична при разделке кристалла кальцита на заготовки для поляризационных призм наиболее часто используемых конструкций. Использование в качестве затравок пластин, ориентированных параллельно грани пинакоида (0001), позволяет получить кондиционные кристаллы, не имеющие дефектов, характерных для ромбоэдрических кристаллов. Пинакоидальные кристаллы имеют больший выход пригодного оптического кристаллосырья.

Использование в гидротермальном растворе определенного соотношения концентраций галогенида лития и галогенида аммония соответственно (2-5):1 обуславливает морфологически устойчивый рост кристалла на грани (0001), что дает возможность получить высококачественное оптическое кристаллосырье. Изменение соотношения концентраций этих солей в растворе в ту или иную сторону не обеспечивает морфологически устойчивый рост на грань пинакоида, а тем самым получение высококачественного оптического сырья.

Пример конкретного выполнения способа В нижнюю часть (камеру растворения) коррозионно-стойкого сосуда-вкладыша емкостью 3,5 л помещают шихту в виде обломков кристаллов природного исландского шпата. В верхней части (камере роста) на рамку завешивают затравочные пластины, параллельные граням пинакоида (0001). Диафрагма, выполненная в виде диска с отверстиями, располагается между камерами растворения и роста. В сосуд-вкладыш заливают водные растворы LiCl и NH4Br при соотношении концентраций их в растворе (2-5):1. Коэффициент заполнения сосуда-вкладыша и автоклава порядка 0,86. Сосуд-вкладыш помещают в автоклав 24 л, заполненный дистиллированной водой. Автоклав герметизируют, нагревают и проводят процесс перекристаллизации в режиме: температура камеры роста 260oС, температурный перепад 5oС, давление в автоклаве - 75 МПа, длительность опыта - до 120 суток.

Результаты опытов при различных соотношениях концентраций солей хлористого лития и бромистого аммония в растворе представлены в таблице.

Использование изобретения позволит вырастить кондиционные, оптически однородные кристаллы оптического кальцита с минимальными отходами при использовании их в оптических устройствах.

Формула изобретения

Способ получения монокристаллов оптического кальцита гидротермальным методом, включающий нагрев и перекристаллизацию кристаллического карбоната кальция на затравки из смешанного водного раствора галогенида лития и галогенида аммония при наличии температурного перепада, отличающийся тем, что в качестве затравок используют пластины кальцита, ориентированные параллельно грани пинакоида (0001), а соотношение концентраций галогенида лития и галогенида аммония в растворе соответственно (25): 1.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера

Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике

Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения

Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов тугоплавких веществ, которые могут использоваться в электротехнической и инструментальной промышленности, а также в технике высоких температур

Изобретение относится к составам для химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии, в частности при подготовке поверхности кристаллов CdSb, используемых для ИК-оптических элементах

Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить спектральное пропускание деталей из монокристаллов, прозрачных в вакуумной и ультрафиолетовой областях спектра

Изобретение относится к технологии полупроводников-сложного состава, в частности к получению гетерострук- , тур, оба компонента которых принадлежат к соединениям класса А В С

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе
Наверх