Элемент оптической памяти

 

Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO2-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при температуре жидкого азота в ближней ИК-области спектра.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике в качестве запоминающих устройств.

Имеющиеся элементы оптической памяти на основе гетеропереходов АIIBVI и АIIIBV дают эффект оптической памяти до 30-40% в видимой области спектра [1] .

Элемент оптической памяти на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-P-Si, полученной термической перекристаллизацией пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния, имеет в ближней ИК-области спектра 27 мкм эффект оптической памяти ~ 4050% при температуре жидкого азота. Коэффициент оптической памяти составляет ~ 104105.

Элемент оптической памяти изготавливается путем создания гетероструктуры n-InSb-SiO2-P-Si, получаемой напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния при температуре ~300oС с последующей термической перекристаллизацией. К P-Si и к пленке n-InSb припаивают эвтектическим сплавом In-Sn тонкие медные проволочки для измерения тока памяти после выключения освещения при температуре жидкого азота. Измерения дают значения тока памяти ~4050% после выключения освещения в ближней ИК-области спектра.

Литература [1] А. В. Симашкевич. Физические свойства гетеропереходов на основе соединений AIIBVI. Кишинев. Штиица, 1980 г., 162 с.

Формула изобретения

Элемент оптической памяти, содержащий гетероструктуру n-InSb--SiO2-P-Si, отличающийся тем, что данная гетероструктура получена напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложку, которая выполнена из окисленного кремния, при 300oС с последующей термической перекристаллизацией.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способу получения фторспирта формулы H(CFR1CF2)nCH2OH (I), где R1 представляет F или CF3, когда n=1, и R1 представляет F, когда n=2, включающий взаимодействие метанола с тетрафторэтиленом или гексафторпропиленом в присутствии источника свободных радикалов

Изобретение относится к оптическим носителям информации с высокой плотностью записи информации

Изобретение относится к оптическим дискам, которые имеют многочисленные информационные слои

Изобретение относится к оптическим носителям информации

Изобретение относится к носителю информации, содержащему флуоресцентный слой, расположенный на подложке, где несущие информацию структуры обеспечиваются в флуоресцентном слое в его поверхности или от его поверхности и к подложке, и где несущие информацию структуры обеспечиваются по линейному или криволинейному пути, или в строках, или в столбцах таким образом, что несущие информацию структуры образуют матрицу, и где флуоресцентный слой в основном содержит молекулы флуоресцентного красителя, заделанные в прозрачный полимерный материал подложки

Изобретение относится к оптическим накопителям данных

Изобретение относится к накоплению информации

Изобретение относится к накоплению информации

Изобретение относится к средству памяти, содержащему по меньшей мере один набор данных в области памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в оптических запоминающих устройствах

Изобретение относится к оптическому носителю записи, устройству и способу записи для оптического носителя записи, устройству и способу воспроизведения для оптического носителя записи

Изобретение относится к оптическим дискам, которые могут быть изготовлены с использованием одних и тех же технологических параметров

Изобретение относится к области оптических дисков для хранения информации и более точно касается флуоресцентной среды и способа изготовления на ее основе однослойного и многослойного оптического диска типа WORM с флуоресцентным считыванием
Наверх