Фотоприемник (варианты)


H01L31 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

 

Изобретение относится к оптоэлектронике, голографии, интерферометрии, спектроскопии Фурье и предназначено для электронного измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз световых волн. Фотоприемник, содержащий фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, выполнен из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше min/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше min/2, или больше 0/2 и не кратную 0/2, где min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника, 0 - рабочая длина волны фотоприемника. Технический результат - упрощение оптической схемы, уменьшение габаритов оптических приборов. 2 с.п. ф-лы, 7 ил.

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть)и

Формула изобретения

1. Фотоприемник, содержащий тонкопленочный фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, отличающийся тем, что состоит из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше min/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину меньше min/2, где min - длина волны коротковолновой границы рабочего спектрального диапазона фотоприемника.

2. Фотоприемник, содержащий тонкопленочный фотоэлектрический слой, подложку и подводящие электроды, отличающийся тем, что состоит из элементов, которые в пределах рабочей площади фотоприемника имеют суммарное пропускание больше 10% и суммарное отклонение от равномерного изменения оптической толщины по рабочей площади и по рабочей длине фотоприемника меньше 0/4, а фотоэлектрический слой в пределах рабочей площади фотоприемника имеет оптическую толщину больше 0/2 и не кратную 0/2, где 0 - рабочая длина волны фотоприемника.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к преобразователям энергии электромагнитного излучения в электрическую энергию и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов

Изобретение относится к преобразователям энергии электромагнитного излучения в электрическую энергию и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов

Изобретение относится к фотоэнергетике и может быть использовано в качестве автономного источника электроэнергии

Изобретение относится к устройствам спутника, служащим для преобразования солнечной энергии в электрическую

Изобретение относится к области электрического оборудования, в частности к полупроводниковым приборам, а именно к фотопреобразователям

Изобретение относится к полупроводниковому компоненту, а более конкретно к солнечному элементу по меньшей мере с одним полупроводниковым материалом для подложки моно- или поликристаллической структуры, состоящим по меньшей мере частично из пирита с химическим составом FeS2, который очищают с целью достижения определенной степени чистоты

Изобретение относится к приборам, преобразующим энергию потока электромагнитного светового излучения в электрическую энергию, и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к фотоэлектрическим преобразователям солнечной энергии

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в конструкции измерительной системы (ИС) температуры и/или ультрафиолетового излучения (УФИ)

Изобретение относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, в частности, фотоэлектрических солнечных модулей

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может найти применение для регистрации ионизирующих излучений и заряженных частиц в ядерной физике, а также при создании цифровых диагностических аппаратов, регистрирующих заряженные частицы и гамма-кванты

Изобретение относится к технике регистрации излучений, а именно к алмазным детекторам, предназначенным для преобразования однократных или редко повторяющихся импульсов ионизирующих излучений, в частности мягкого рентгеновского или фотонного излучения в электрические аналоги

Изобретение относится к солнечным электростанциям, предназначенным для преобразования солнечной лучистой энергии в электричество

Изобретение относится к солнечным батареям (СБ), осуществляющим прямое преобразование солнечной энергии в электрическую с помощью полупроводниковых фотопреобразователей (ФП) и используемых преимущественно в системах электропитания космических аппаратов (КА)

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)

Изобретение относится к устройствам, генерирующим электроэнергию путем прямого преобразования солнечной энергии в электрическую с помощью полупроводниковых солнечных элементов (СЭ) с используемым преимущественно в системах электропитания космических аппаратов (КА)

Изобретение относится к электротехнике, в частности к устройствам для генерирования электрической энергии путем преобразования энергии светового излучения в электрическую энергию, и предназначено для использования в конструкциях космических солнечных батарей, содержащих плоские панели с сотовым наполнителем

Изобретение относится к оптоэлектронике, голографии, интерферометрии, спектроскопии Фурье и предназначено для электронного измерения пространственно-временного распределения амплитуд и фаз световых волн

Наверх