Способ металлизации подложки из диэлектрического материала

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может использоваться для получения металлического покрытия на подложках из ситалла или поликора. Техническим результатом изобретения является повышение адгезии между подложкой и нанесенным покрытием путем вакуумной металлизации. Металлизацию подложки осуществляют в следующей последовательности: очищенную и покрытую резистивным адгезионным слоем подложку помещают в вакуумной камере с давлением 4,810-6-5,110-6 мм рт. ст. и путем испарения напыляют на подложку слой ванадия до сопротивления 190-210 Ом/кв., затем одновременно напыляют ванадий и медь в течение 15-25 сек., а после этого раздельно и последовательно напыляют медь и никель до толщины 1-1,5 мкм и 0,04-0,05 мкм соответственно.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для нанесения металлического покрытия на подложки из диэлектрического материала, преимущественно из ситалла или поликора.

При изготовлении микросборок по тонкопленочной технологии дли коммутации печатных схем применяются подложки из диэлектрического материала, например из ситалла или поликора с металлическим покрытием.

Для получения печатных проводников на этих подложках производят вытравливание ненужных участков химическим способом.

Одним из важных параметров данных коммутационных подложек является адгезия печатных проводников, т.е. способность удерживатся на поверхности при приложении механических нагрузок.

Известен способ металлизации подложки из фторопласта (I), включающий очистку подложки, размещение подложки в реакционной камере с испарителем, нанесение на поверхность адгезионного слоя, наращивание меди.

Известный способ сложен т.к. требует применение плазмы ВЧ- разряда и водородной атмосферы.

Наиболее близким к предлагаемому способу (прототип) является способ нанесения проводящих пленок

методом термического испарения металлов в вакууме с трех электронных испарителей (2).

Задачей предложенного способа металлизации подложек из диэлектрического материала является повышение адгезии между подложкой и металлизацией.

Указанная задача достигается за счет того, что в способе металлизации подложки из диэлектрического материала, включающем очистку подложки, нанесение на нее адгезионного слоя, размещение подложки в вакуумной камере с испарителями, процесс проводят при вакууме (4,8-5,1)(10-6 мм рт.от. путем напыления ванадия до удельного сопротивления (190-210) ом/ѕ затем одновре -менно напыляют ванадий и медь в течение (15-25) сек, после этого раздельно и последовательно напыляют медь и никель до необходимой толщины.

Признаки, отличающие предложенный способ, характеризуют одновременное напыление ванадия и меди в течение времени (15-20) сек.

В результате одновременного напыления ванадия и меди происходит взаимоперемешивание молекул ванадия и меди и получается единая структура с новыми свойствами повышающими адгезию.

Технологический процесс металлизации подложек из диэлектрического материала производится в следующей последовательности.

Подложки из ситалла или поликора покрытые резистивным адгезионным слоем закрепляют на внутренней поверхности барабанного подложкодержателя. Первый, второй и третий испарители загружают соответственно ванадием, медью и никелем. Внутри колпака установки создают вакуум (4,810-6-5,110-6) мм рт. ст.

На установку подают напряжение, открывают заслонку испарителя ванадия, включают испаритель ванадия и начинают напыление до удельного сопротивления (190-210) ом/ѕ Затем открывают заслонку испарителя меди, включают испаритель меди и продолжают процесс напыления в течение времени 15-25 сек одновременно ванадия и меди. По истечении указанного времени выключают испаритель ванадия и продолжают напыление меди по необходимой толщины (1-1,5) мкм, после чего выключают испаритель меди, открывают заслонку испарителя никеля, включают испаритель никеля и напыляют никель до необходимой толщины (0,04-0,05)мкм, на этом процесс металлизации заканчивают.

В процессе металлизации при раздельном напылении ванадия и меди, адгезия составляет (0,5-0,6) кг/мм2 а при металлизации предлагаемым способом, т.е. одновременном напылении ванадия и меди, адгезия составляет (0,8-0,8) кг/мм2.

При использовании предложенного способа металлизации подложек можно применять установку вакуумного напыления УВН-73.

Использование предложенного способа металлизации подложек из диэлектрического материала позволило получить подложки с более высокой степенью адгезии между металлизацией и подложкой.

Источники информации:

1. Патент Р.Ф. №2020777 H 05 K 3/38, 1994.

2. И.Г.Блинов, Л.В.Кожитов Оборудование полупроводникового производства Москва, “Машиностроение” 1986 г, стр. 203 (прототип).

Формула изобретения

Способ металлизации подложки из диэлектрического материала, включающий очистку подложки, нанесение на нее адгезионного слоя, размещение подложки в вакуумной камере с испарителями, отличающийся тем, что процесс проводят при вакууме 4,810-6 5,110-6 мм рт. ст. путем напыления ванадия до сопротивления пленки 190210 Ом/, затем одновременно напыляют ванадий и медь в течение 1525 с, а после этого раздельно и последовательно напыляют медь до толщины 1-1,5 мкм и никель до толщины 0,040,05 мкм.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам изготовления печатных плат, применяющихся при сборке радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и космостроения

Изобретение относится к способу защиты поверхности медной фольги от окисления и образования оксидной пленки, и к полученной электролитическим осаждением медной фольге, пригодной для использования в производстве печатных плат, в частности многослойных печатных плат

Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на повышение надежности и качества микросхем на подложке из фторопласта преимущественно СВЧ-диапазона и может быть использовано в производстве микросхем ВЧ- и СВЧ-диапазонов (например фильтров, резонаторов и др.)

Изобретение относится к приборостроению

Изобретение относится к области изделий интегральной электроники, работающих на частотах свыше 100 МГц, в частности к области изготовления СВЧ гибридных интегральных схем (ГИС), содержащих хотя бы один из элементов: полосковые линии, двухпроводные линии, тонкопленочные электроды либо резонаторы, фильтры, выполненные на основе двухпроводных или полосковых линий
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении печатных плат, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и космостроения

Изобретение относится к способам изготовления печатных плат и может быть использовано при изготовлении печатных плат для электронных схем и полупроводниковых приборов. Технический результат - повышение качества рисунка металлизации, улучшение надежности коммутации между сторонами платы, улучшение электрических параметров токопроводящего слоя, повышение производительности способа. Достигается тем, что в непроводящей подложке в заданных координатах топологии печатной платы выполняют сквозные переходные отверстия, далее на поверхность упомянутой подложки с двух сторон и на стенки переходных отверстий в едином процессе наносят адгезионный подслой, токопроводящий слой и слой металлической маски, далее на слой маски с двух сторон подложки и на стенках переходных отверстий наносят растворимый защитный слой, стойкий к химическим травителям, далее формируют рисунок печатной платы путем лазерного испарения с обеих сторон, по крайней мере, защитного слоя и слоя маски на участках, не занятых токопроводящими дорожками, далее удаляют селективным химическим травлением токопроводящий слой и адгезионный подслой на вскрытых лазерным испарением участках, далее удаляют защитный слой с помощью растворителя на не вскрытых лазерным испарением участках (токопроводящих дорожках печатной платы) и в переходных отверстиях, далее удаляют селективным химическим травлением металлический слой маски с токопроводящих дорожек и в переходных отверстиях, наконец, наносят защитный барьерный слой и слой, обеспечивающий паяемость и/или свариваемость поверхности, с двух сторон подложки на токопроводящих дорожках и в переходных отверстиях. 10 з.п. ф-лы, 13 ил., 8 табл., 2 пр.
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении печатных плат, применяемых при изготовлении радиоэлектронной техники. Технический результат - получение печатных плат с использованием безсвинцовых припоев с исключением использования дорогостоящего палладия, повышение надежности и увеличение срока эксплуатации печатных плат. Достигается тем, что для установления электрического контакта между слоями переходные отверстия сверлят до металлического слоя противоположной стороны фольгированного стеклотекстолита и заполняют их медью гальваническим способом одновременно с металлизацией при формировании электрических схем на обеих сторонах стеклотекстолитовой пластины.
Наверх