Способ получения высокочистого изотопно-обогащенного силана

 

Изобретение относится к неорганической химии и касается разработки способа получения высокочистого силана, обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения Si в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из моноизотопного SiO2. Высокочистый изотопно-обогащенный силан получают по реакции восстановления изотопно-обогащенного тетрафторида кремния гидридом кальция при 180-200°С. Восстановление ведут статическим методом в закрытой системе при давлении не менее 30 атм. Полученный силан очищают от фторсодержащих примесей пропусканием его через реактор с гидридом кальция. Затем силан очищают от примесей углеводородов предпочтительно ректификацией. Техническим результатом способа является повышение выхода и чистоты силана. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению кремнийсодержащих материалов, и касается разработки способа получения высокочистого силана, обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30, используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из моноизотопного SiO2.

Известен способ получения силана по реакции восстановления тетрафторида кремния гидридом кальция при температуре 360-390оС в расплаве эвтектичесой смеси хлоридов калия и лития (см. патент РФ № 2077483).

Недостатком этого способа, с одной стороны, является трудоемкость процесса, заключающаяся в сложности осушки гигроскопичной эвтектики и регулярной ее регенерации для удаления нерастворимого фторида кальция, а с другой стороны - высокая температура реакции, при которой получаемый силан частично разлагается.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ получения высокочистого изотопно-обогащенного силана по реакции восстановления изотопно-обогащенного тетрафторида кремния гидридом кальция с последующей очисткой от фторсодержащих примесей и примесей углеводородов, причем очистку от фторсодержащих примесей проводят пропусканием полученного силана через реактор с гидридом кальция. Упомянутый способ осуществляют пропусканием потока изотопно-обогащенного тетрафторида кремния в смеси с инертным газом через реактор с гидридом кальция (Буланов А.Д. и др. Получение и глубокая очистка SiF4 и 28SiH4. - Неорганические материалы. 2002, т.38, №3, с.356-361).

Способ обеспечивает выход силана около 90% и относительно высокое содержание примесей углеводородов - 10-2 мол.%.

Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является повышение выхода и чистоты силана.

Эта задача решается за счет того, что в способе получения высокочистого изотопно-обогащенного силана по реакции восстановления изотпно-обогащенного тетрафторида кремния гидридом кальция с последующей очисткой от фторсодержащих примесей и примесей углеводородов, причем очистку от фторсодержащих примесей проводят пропусканием полученного силана через реактор с гидридом кальция согласно изобретению реакцию восстановления тетрафторида кремния гидридом кальция осуществляют при 180-200оС и восстановление ведут статическим методом в закрытой системе при давлении не менее 30 атм.

Предпочтительно очистку от примесей углеводородов проводить ректификацией.

Новым в способе является то, что реакцию воостановления тетрафторида кремния гидридом кальция осуществляют при 180-200оС статическим методом в закрытой системе при давлении не менее 30 атм. Это обеспечивает повышение выхода силана до 95% и получение более чистого силана по содержанию примесей углеводородов (см. таблицу). Получение более чистого силана на стадии синтеза обусловливает более низкие его потери на стадии ректификационной очистки.

Температура восстановления, выбранная в интервале 180-200оС, обеспечивает наиболее полное превращение тетрафторида кремния в силан. При температуре ниже 180оС происходит неполное превращение тетрафторида кремния в силан, выход составляет примерно 70%, а при температуре выше 200оС получаемый силан частично разлагается, что приводит к уменьшению его выхода и соответственно к безвозвратным потерям моноизотопного продукта.

Давление не менее 30 атм было подобрано экспериментальным путем и, как показали опыты, является оптимальным для повышения выхода и чистоты силана.

Проведение процесса при давлении менее 30 атм приводит к неполному превращению тетрафторида кремния в силан, порядка 65%, что вызывает необходимость проведения дополнительного гидрирования - конверсии непрореагировавшего тетрафторида кремния в силан в другом процессе.

Упомянутые признаки являются существенными, так как каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи.

Проведение процесса при повышенном давлении позволяет использовать реакторы меньшего объема и производить загрузку гидрида кальция в инертной осушенной атмосфере, чтобы предотвратить его возможное окисление. В способе-прототипе загрузка гидрида кальция в реактор производится на атмосфере ввиду большего его размера. Таким образом упрощается техника загрузки. Проведение процесса статическим методом в закрытой системе исключает необходимость использования газовой смеси фторида кремния с инертным газом, как одним из источников примесей углеводородов в силане. Поэтому содержание примесей углеводородов в получаемом силане ниже.

Повышение выхода силана происходит за счет снижения возможности протекания побочных реакций фторида кремния как с продуктами окисления гидрида кальция, так и с примесями кислорода и воды в инертном газе.

При проведении процесса при повышенном давлении возрастает глубина диффузии и увеличивается коэффициент превращения гидрида кальция во фторид до 20% с 6-9% в способе-прототипе.

Пример

В реактор из нержавеющей стали в боксе из оргстекла, продуваемом осушенным азотом, засыпают измельченный гидрид кальция, реактор закрывают. Затем реактор с гидридом кальция на установке высокого давления откачивают и напускают в него из баллона газообразный изотопно-обогащенный тетрафторид кремния до давления 30 атм. Реактор закрывают и выдерживают при температуре 180-200°С в течение 24 ч. После этого полученный силан вымораживают из реактора в приемный баллон. Для очистки силана от фтора - коррозионно-активной примеси в процессе разложения - силан пропускают через реактор с гидридом кальция при 180-200°С и пониженном давлении из баллона в баллон. Фторсодержащие примеси (SiF4, фторсиланы) дополнительно гидрируются до силана.

Затем очищенный от фторсодержащих примесей силан очищают от примесей углеводородов ректификацией. Содержание примесей углеводородов в силане-ректификате по данным газовой хроматографии менее 5·10­6 мол.%. Выход силана составляет 95%.

Содержание примесей углеводородов в силане, полученном разными методами, представлено в таблице.

Формула изобретения

1. Способ получения высокочистого изотопно-обогащенного силана по реакции восстановления изотопно-обогащенного тетрафторида кремния гидридом кальция с последующей очисткой от фторсодержащих примесей и примесей углеводородов, причем очистку от фторсодержащих примесей проводят пропусканием полученного силана через реактор с гидридом кальция, отличающийся тем, что реакцию восстановления тетрафторида кремния гидридом кальция осуществляют при 180-200С, и восстановление ведут статическим методом в закрытой системе при давлении не менее 30 атм.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что очистку от углеводородов проводят ректификацией.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам получения алкилсиланов

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике
Изобретение относится к способу получения силана, применяемого в полупроводниковой промышленности
Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния

Изобретение относится к химической промышленности, в частности к устройствам для проведения гетерогенных процессов между твердым телом и газом

Изобретение относится к области химической технологии, в частности к получению силанов, и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния, а также полупроводниковых структур методами газовой эпитаксии

Изобретение относится к области металлургии и может быть использовано при получении кремния
Изобретение относится к технологии получения силана из природных кварцитов для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике
Изобретение относится к технологии получения силана для изготовления особо чистого полупроводникового кремния, используемого в силовой электронике, а также кремниевых пластин для производства сверхбольших интегральных схем и для формирования различных кремнийсодержащих слоев и пленочных покрытий в микроэлектронике

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой степени чистоты, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика)
Изобретение относится к способам разделения смесей летучих веществ в процессах химической технологии и может быть использовано для разделения смесей хлорсиланов, гидридов, фторидов, органических продуктов и других продуктов с выделением целевого продукта

Изобретение относится к химическим технологиям, а именно получению моносилана, используемого в производстве «солнечного» кремния

Изобретение относится к способу получения моносилана высокой чистоты и низкой стоимости, пригодного для формирования тонких полупроводниковых и диэлектрических слоев, а также поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (электроника, солнечная энергетика)

Изобретение относится к получению гидридов кремния, в том числе моносилана высокой чистоты, предназначенного для формирования полупроводниковых и диэлектрических слоев, синтеза кремнийорганических соединений, термического осаждения (диссоциации) поликристаллического кремния
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению кремнийсодержащих материалов, и касается разработки способа получения высокочистого силана, в том числе обогащенного изотопами Si28, или Si29, или Si30 , используемого для получения кремния в виде монокристаллов и пленок, а также покрытий из изотопно-обогащенного SiO2
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению моносилана, пригодного для формирования тонкопленочных полупроводниковых изделий, а также для производства поли- и монокристаллического кремния высокой чистоты различного назначения (полупроводниковая техника, солнечная энергетика)
Наверх