Способ оценки катодного механизма инициирования пробоя в вакууме

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности. Технический результат состоит в повышении эффективности оценки механизмов инициирования пробоя в вакууме. Для достижения технического результата инициирование пробоя в вакууме осуществляют на основе предварительной обработки катода высоковольтными импульсами с длительностью, равной времени запаздывания начала пробоя. Измерение напряжения пробоя осуществляют до и после импульсной обработки катода. 1 ил.

 

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности при достижении предельных значений электрической прочности электровакуумных приборов и конструкций, а также в научных исследованиях при изучении механизмов вакуумного пробоя.

Известен способ оценки катодного механизма инициирования пробоя в вакууме в стационарном режиме, выбранный в качестве прототипа [1]. Способ включает подачу напряжения постоянного тока на вакуумный промежуток, измерение приложенного напряжения и предпробойного тока, построение вольтамперной характеристики, определение по ее наклону коэффициента усиления напряженности электрического поля β на микронеоднородностях поверхности катода, измерение напряжения Uпр первого после оценки параметра β пробоя, вычисление по геометрии промежутка и напряжению первого пробоя электрической прочности E0 и проверку выполнения критерия катодного инициирования

Если микронапряженность электрического поля E=β E0 равна критической Екр, то имеет место катодное инициирование вакуумного пробоя.

Недостаток способа заключается в том, что при предельных значениях электрической прочности выполнение измерений тока и напряжения в предпробойном режиме постоянного тока сопряжено с большой вероятностью инициирования пробоя, существенно усложняющего определение параметра β , характеризующего состояние катодной поверхности и искажающего его значение.

Задача, на решение которой направлено изобретение, состоит в повышении эффективности способа за счет исключения операций, связанных с проведением измерений в предпробойном режиме при предельных значениях электрической прочности.

Это достигается тем, что в известном способе оценки катодного механизма инициирования, включающем измерение напряжения пробоя в режиме постоянного тока, применяют обработку катода высоковольтными импульсами длительностью, равной времени запаздывания пробоя, а измерения напряжения пробоя осуществляют до и после импульсной обработки, после чего проверяют выполнение критерия

где Кβ =β 0и - относительное изменение параметра β в результате импульсной обработки, определяемое по известной зависимости Кβ (tи);

β 0, β и - значения параметра β соответственно до и после импульсной обработки;

KU=Uи/U0 - относительное изменение электрической прочности в результате импульсной обработки;

Uи - напряжение первого по окончании импульсной обработки пробоя;

U0 - установившееся значение напряжения пробоя до начала импульсной обработки.

Введение операции обработки катода высоковольтными импульсами длительностью, равной времени запаздывания пробоя, обеспечивает реализацию оптимальных режимов импульсной обработки катода, повышающих электрическую прочность вакуумной изоляции и приводящих к достижению ее предельных значений. Осуществление операции измерения напряжения пробоя в режиме постоянного тока до и после импульсного воздействия позволяет определять относительное изменение электрической прочности в результате импульсной обработки. Относительное изменение параметра β , соответствующее импульсной обработке, определяется по известной зависимости Кβ (tи). Проверка выполнения критерия Кβ /КU=1 позволяет сделать вывод о применимости механизма катодного инициирования пробоя.

Зависимость Кβ (tи) относительного изменения коэффициента усиления поля β на микронеоднородностях поверхности катода как функция длительности кондиционирующих импульсов, равной времени запаздывания пробоя, tи=tз построена в результате анализа экспериментальных данных по времени запаздывания, полученных в работах [2-8].

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлены экспериментальные значения относительного повышения электрической прочности в результате обработки импульсами длительностью, равной времени запаздывания пробоя, совместно с кривой Кβ (tи) относительного изменения параметра β , характеризующего состояние катодной поверхности.

Способ оценки катодного механизма инициирования пробоя в вакууме осуществляют следующим образом. Реализуют оптимальный режим кондиционирования электродов вакуумного промежутка в режиме постоянного тока и определяют установившееся значение напряжения пробоя, затем применяют обработку катода высоковольтными импульсами длительностью, равной времени запаздывания пробоя, и измеряют напряжение первого после импульсной обработки пробоя в режиме постоянного тока. Далее, по окончании импульсной обработки вычисляют относительное повышение электрической прочности КU, из кривой Кβ (tи) определяют относительное уменьшение параметра β , соответствующее обработке катода импульсами данной длительности, и проверяют выполнение критерия (2).

Согласно заявляемому способу обработка катода осуществлена высоковольтными импульсами амплитудой до 60 кВ и длительностью 10≤ tи8000 нс и измерено напряжения пробоя в режиме постоянного тока до и после ее осуществления. Экспериментальные результаты представлены чертежом, из которого следует, что экспериментальные данные КU совпадают с кривой Кβ (tи), указывая на реализацию механизма катодного инициирования вакуумного пробоя. Обработка поверхности катода импульсами tи=10 нс (n=50), соответствовавшая эффективности KU=1,8, позволила достичь электрической прочности E0=2,1· 108B/м, близкой к предельной, полученной в результате многочасового прогрева (~18 час) и обработки тлеющим разрядом в аргоне в течение часа [9].

Технический результат изобретения заключается в повышении эффективности известного способа оценки катодного механизма инициирования пробоя за счет исключения измерений напряжения и тока в предпробойном режиме.

Источники информации

1. Емельянов А.А., Кассиров Г.М., Филатов А.Л. Прогнозирование электрической прочности вакуумной изоляции в стационарном режиме. // Изв. вузов. Физика, 1976. - № 11. - С.138-140 - прототип.

2. Jьttner B., Rohrbeck W., Wolff H. Time delay of vacuum sparks in the subnanosecond region. // IXth IC PIG: Proc. - Bucharest, 1969, 140.

3. Каляцкий И.И., Кассиров Г.М., Смирнов Г.В. и др. Временные характеристики пробоя сантиметровых вакуумных промежутков. // Журн. техн. физ., 1975. - Т. 45. - № 7. - С.1547-1550.

4. Кассиров Г.М. Влияние материала электродов на время запаздывания разряда при электрическом пробое вакуумного промежутка. // Журн. техн. физ., 1966. - Т. 36. - № 10. - С.1883-1885.

5. Месяц Г.А., Бугаев С.П., Проскуровский Д.И. и др. Исследование инициирования и развития импульсного пробоя коротких вакуумных промежутков в наносекундном диапазоне времени. // Радиотехника и электроника, 1969. - Т. 14. - № 12. - С.2222-2230.

6. Вавилов С.П., Месяц Г.А. Исследование роста тока при импульсном пробое миллиметровых вакуумных промежутков. // Изв. вузов. Физика, 1970. - № 8. - С.90-94.

7. Олендзская Н.Ф., Сальман М.А. Временные характеристики электрического пробоя в вакууме. // Журн. техн. физ., 1970. - Т. 40. - № 2. - С.333-337.

8. Chalmers I.D., Phukan B.D. Breakdown time lags in short vacuum gaps. //Vacuum, 1982. - V. 32. - № 3. - P. 145-150.

9. Чистяков П.Н., Радионовский А.Л., Татаринова Н.В. и др. // ЖТФ, 1969. - Т. 39. - № 6. - С.1075-1079.

Способ оценки катодного механизма инициирования пробоя в вакууме, включающий измерение напряжения пробоя в режиме постоянного тока, отличающийся тем, что применяют обработку катода высоковольтными импульсами длительностью, равной времени запаздывания пробоя, а измерения напряжения пробоя осуществляют до и после импульсной обработки, после чего проверяют выполнение критерия

Кβ/КU=1, где

Кβ=β0и - относительное изменение параметра β в результате импульсной обработки, определяемое по известной зависимости Кβ(tи);

β0, βи - значения параметра β соответственно до и после импульсной обработки;

Kи=Uи/U0 - относительное изменение электрической прочности в результате импульсной обработки;

Uи - напряжение первого по окончании импульсной обработки пробоя;

U0 - установившееся значение напряжения пробоя до начала импульсной обработки.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к технике электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности.

Изобретение относится к области электроники органических материалов и может найти применение в разных областях техники, в частности в электротехнике, в приборах и оборудовании с использованием полевых эмиссионных источников электронов.

Изобретение относится к области электронной техники. .

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к технике индикации, и может быть применено для создания люминесцентных дисплеев для отображения различной информации.

Изобретение относится к технике индикации и может быть использовано при разработке средств отображения на плазменных панелях (ПП) переменного тока. .

Изобретение относится к технике индикации и может быть использовано в дисплеях отображения цветной информации с высоким контрастом и упрощенным процессом ввода информации, при использовании разных видов индикаторных элементов отображения.

Изобретение относится к технике индикации и может быть использовано в дисплеях отображения цветной информации с высоким контрастом и упрощенным процессом ввода информации, при использовании разных видов индикаторных элементов отображения.

Изобретение относится к области техники индикации и может быть использовано при построении наборных цветных телевизионных экранов коллективного пользования из модулей на плазменных панелях.

Изобретение относится к области техники индикации и может быть использовано при построении наборных цветных телевизионных экранов коллективного пользования из модулей на плазменных панелях.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к технике индикации, и может быть использовано при разработке средств отображения на цветных плазменных панелях наборного экрана.

Изобретение относится к технике высоких напряжений, в частности к области электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения высоких напряжений в процессе испытания электрической изоляции

Изобретение относится к технике высоких напряжений, а именно к диагностике электрической изоляции в вакууме, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к области разработки способов повышения электрической прочности вакуумных высоковольтных промежутков в вакуумных выключателях, ускорителях и других высоковольтных устройствах

Изобретение относится к области электроники, а именно к вакуумным триодам, позволяющим коммутировать большие токи малыми напряжениями и использующим полевые (холодные) катоды

Изобретение относится к электронным приборам, предназначенным для работы в усилительном и генераторном режимах в диапазоне коротких, метровых и дециметровых волн

Изобретение относится к вакуумной микроэлектронике и может быть использовано при создании тонкопленочных интегральных схем

Изобретение относится к светотехнике и может быть использовано при создании осветительных приборов бытового и промышленного назначения для улучшения их потребительских качеств: получения свечения с заданным комфортным спектром, например разных оттенков теплого и холодного белого, с повышенной равномерностью или требуемой неравномерностью

Изобретение относится к системам получения заряженных частиц больших энергий и предназначено для применения в области ядерной физики и ядерных технологий. Ускоритель заряженных частиц содержит вакуумную камеру в форме участка кольцевой трубы, на торцах которого внутри находятся источник заряженных частиц и мишень. Источник заряженных частиц выполнен в виде соосно расположенных цилиндров с кромками в форме лезвия. Вне вакуумной камеры расположена система, создающая переменное магнитное поле в виде электрических контуров, соединенных с высокочастотным генератором переменного тока, с возможностью получения фокусирующего и одновременно ускоряющего переменного магнитного поля, зависящего от радиуса ρ орбиты заряженных частиц в соответствии с выражением Н~ρ-α, где Н - напряженность магнитного поля частотой 105-107 Гц, α=0,45-0,55. Электрические контуры установлены с возможностью перемещения в продольном и поперечном направлениях. Источник заряженных частиц и мишень установлены с возможностью перемещения по орбите заряженных частиц. Соосно расположенные цилиндры установлены с возможностью перемещения относительно друг друга вдоль образующей. Технический эффект заключается в получении большой плотности мощности потока заряженных частиц на мишени, что расширяет функциональные возможности применения ускорителя в области ядерной физики, например технологии получения трансурановых материалов. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике - светоизлучателям и дисплеям. Эмиссионная светодиодная ячейка выполнена как цилиндр - диэлектрический микроканал, на внутреннюю поверхность которого нанесен электрод - полупроводящий пленочный нанослой, совмещающий в себе катод, анод и коллектор. Полевой эмиттер, вторичный эмиттер и люминофор выполнены как несплошное покрытие нанопорошками, нанесенными на электрод микроканала из общей суспензии в едином технологическом цикле. Полевой и вторичный эмиттеры могут быть одним и тем же материалом. Состав порошков, их количество, доля покрытой поверхности определяются эмпирически в устройстве и подбираются так, чтобы иметь максимальный энергетический эффект. Микроканал ячейки длиной L и внутренним диаметром w, при ее использовании, механически и электрически плотно контактирует своими торцами с электродами, напряжение между которыми V, располагается вдоль линий электрического поля под углом φ. Действующее напряжение для эмиссии электронов и люминесценции оценивается по формуле V(w/L)tgφ. Отличие заявленного варианта заключается в том, что он действует как множество последовательных микроизлучателей. При этом цепь протекания электронного потока и электрического тока замкнута в каждом микроизлучателе, что уменьшает энергетические потери. Технический результат - увеличение КПД преобразования и яркости излучения, упрощение технологии. 3 ил.
Наверх