Пленка гидрированного кремний-оксикарбида (sico:h) и способ ее получения

Использование: изобретение может быть использовано для получения плазменным химическим осаждением из паровой фазы пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной. Сущность изобретения: способ получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) предусматривает проведение химического осаждения из паровой фазы с использованием алкилсилана, содержащего по меньшей мере одну винильную или этинильную группу, вместе с плазмой O₂-содержащего газа. Алкилсилан могут выбирать из группы, состоящей из винилтриметилсилана, винилтриэтилсилана, аллилдиметилсилана, этинилтриметилсилана, этинилтриэтилсилана и их смеси. O₂-содержащий газ могут выбирать из группы, состоящей из O₂, N₂O, О₃, Н₂O₂, CO₂, Н₂О и их смеси. Способ дополнительно может включать стадию отжига осажденной пленки при температуре в интервале от 300 до 500°С в течение 0,5-8 ч. Пленка из гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) полученная заявленным способом обладает низкой диэлектрической постоянной. Техническим результатом изобретения является обеспечение способа получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной с использованием технологии химического осаждения из паровой фазы. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 37 ил.

 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к улучшенному способу получения плазменным химическим осаждением из паровой фазы ((CVD)(ХОПФ)) пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной.

Предпосылки создания изобретения

Всегда при снижении размера электронных устройств, используемых в ULSI (ультрабольших интегрированных) схемах возникает проблема увеличенной емкости промежуточных слоев и/или внутренних слоев, вызывающей запаздывания сигналов. Поэтому существует необходимость разработки материала с низкой диэлектрической постоянной (k), имеющего k-значение ниже, чем у обычного диоксида кремния (SiO₂) или у фторированного оксида кремния (SiOF).

Патент США №6147009 раскрывает материал с низкой диэлектрической постоянной, полученный взаимодействием пара предшественника, содержащего атомы Si, С, О и Н, в камере улучшенного плазменного химического осаждения из паровой фазы с параллельными пластинами, причем предшественник является молекулой с кольцевой структурой, такой как 1,3,5,7-тетраметилциклотетрасилоксан (TMCTS, C₄H₁₆O₄Si₄), тетраэтилциклотетрасилоксан (C₈H₂₄O₄Si₄) или декаметилциклопентасилоксан (C₁₀H₃₀O₅Si₅), с или без введенного кислорода. Однако диэлектрическая постоянная раскрытой пленки является еще высокой, в интервале 3,3-4,0. Для дальнейшего снижения диэлектрической постоянной материала, описанного в патенте, патент США №6312793 предлагает материал с низкой k, состоящий из двух или более фаз. Однако, многофазный материал еще имеет k-значение выше 3,2.

Соответственно, авторы настоящего изобретения пытались разработать новый материал, имеющий диэлектрическую постоянную ниже, чем у традиционных материалов.

Краткое описание изобретения

Следовательно, целью настоящего изобретения является обеспечение способа получения улучшенной пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной с использованием технологии химического осаждения из паровой фазы ((CVD)(ХОПФ)).

Другой целью настоящего изобретения является обеспечение (SiCOH)-пленки, имеющей диэлектрическую постоянную (k) ниже, чем у традиционных низкодиэлектрических материалов.

В соответствии с одним аспектом настоящего изобретения предлагается способ получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной, включающий проведение химического осаждения из паровой фазы с использованием, вместе с плазмой O₂-содержащего газа, кремнийорганического или органосиликатного соединения, имеющего, по меньшей мере, одну винильную или этинильную группу или смеси насыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения и ненасыщенного углеводорода.

В соответствии с другим аспектом настоящего изобретения предлагается тонкая SiCOH-пленка с низкой диэлектрической постоянной, имеющая диэлектрическую постоянную (k) 2,6 или ниже, полученная указанным способом.

Краткое описание чертежей

Вышеуказанные и другие цели и признаки настоящего изобретения станут очевидными из последующего его описания в сочетании с прилагающимися чертежами, на которых, соответственно, представлено:

на фигурах 1а и 1b - схемы плазменного реактора, используемого при получении тонкой пленки в соответствии с настоящим изобретением;

на фиг.2 - изменения содержания углерода в пленке, полученной в примере 1 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потока O₂/ВТМС, соответственно;

на фиг.3 - изменения диэлектрических постоянных пленок, полученных в примере 1 и сравнительном примере 1 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков O₂/BTMC и O₂/4MC, соответственно;

на фигурах 4 и 5 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 1, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 6 и 7 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 2 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/(4MC+C₂F₄), соответственно;

на фигурах 8 и 9 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 2, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фиг.10 - изменения содержаний углерода в пленке, полученной в примере 3 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/ТВТМЦТСО, соответственно;

на фиг.11 - изменения диэлектрических постоянных пленок, полученных в примере 3 и сравнительном примере 2 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков O₂/ТВТМЦТСО и O₂/ ТМЦТСО, соответственно;

на фигурах 12 и 13 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 3, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 14 и 15 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 4 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/(ТМЦТСО+С₂Н₄), соответственно;

на фигурах 16 и 17 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 4, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 18 и 19 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 5 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/ДАДМС, соответственно;

на фигурах 20 и 21 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 5, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 22 и 23 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 6 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/ДВТМДСО, соответственно;

на фигурах 24 и 25 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 6, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 26 и 27 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 7 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/ВТМОС, соответственно;

на фигурах 28 и 29 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 7, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 30 и 31 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 8 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/ЭТМС, соответственно;

на фигурах 32 и 33 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 8, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно;

на фигурах 34 и 35 - изменения содержаний углерода и диэлектрических постоянных пленки, полученной в примере 9 настоящего изобретения, в зависимости от соотношения потоков О₂/(ГМДСО+С₂Н₄), соответственно, и

на фигурах 36 и 37 - изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 9, как функции температуры отжига и времени отжига, соответственно.

Подробное описание изобретения

Настоящее изобретение предлагает способ получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной путем проведения химического осаждения из паровой фазы с использованием, вместе с плазмой О₂-содержащего газа, кремнийорганического или органосиликатного соединения, имеющего, по меньшей мере, одну винильную или этинильную группу или смеси насыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения и ненасыщенного углеводорода.

В соответствии с настоящим изобретением способ формирования SiCOH-пленки с низкой диэлектрической постоянной может быть осуществлен с использованием плазменного ХОПФ устройства, например, дистанционного плазменного ХОПФ устройства или прямого плазменного ХОПФ устройства.

Дистанционное плазменное ХОПФ устройство, представленное на фиг.1а, содержит кварцевую трубку (6), антенну (9), согласующий блок (5), источник электроэнергии высокой частоты (10), регулятор массового расхода (7) для подачи кремнийсодержащего предшественника, контейнер предшественника (2) и регулятор массового расхода (8) для подачи реакционного газа. Антенна обмотана вокруг наружной периферии кварцевой трубки (6), которая тем самым соединяет антенну (9) и согласующий блок (5), который соединен с источником электроэнергии высокой частоты (10). Кварцевая трубка (6) соединена с регулятором массового расхода (8) для подачи О₂-содержащего газа по трубе. В дистанционном плазменном ХОПФ устройстве О₂-содержащий газ и кремнийсодержащий предшественник подают в согласующий блок (5) раздельно, причем предшественник подводят через диффузионное кольцо (3). Далее в прямом плазменном ХОПФ устройстве, представленном на фиг.1b, кремнийсодержащий предшественник, подаваемый из контейнера предшественника (2), и О₂-содержащий газ, подаваемый из контейнера реакционного газа (1), смешивают и затем подают в согласующий блок (5).

В соответствии с предпочтительным вариантом настоящего изобретения предлагается способ получения SiCOH-материала с низкой диэлектрической постоянной, включающий проведение химического осаждения из паровой фазы с использованием ненасыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения, имеющего, по меньшей мере, одну винильную или этинильную группу, и плазмы O₂-содержащего газа.

Типичные примеры ненасыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения, имеющего, по меньшей мере, одну винильную или этинильную группу, включают винилтриметилсилан, винилтриэтилсилан, винилтриметоксисилан, винилтриэтоксисилан, 1,3,5-тривинил-1,3,5-триметилциклотрисилоксан, 1,3,5,7-тетравинил-1,3,5,7-тетраметилциклотетрасилоксан, 1,3-дивинилтетраметилдисилоксан, гексавинилдисилоксан, аллилдиметилсилан, аллилдиметоксисилан, этинилтриметилсилан, этинилтриэтилсилан и их смесь.

Ненасыщенное кремнийорганическое или органосиликатное соединение может быть получено in situ с использованием кремнийорганического соединения или органосиликата, имеющего один или более галоидных заместителей.

В другом предпочтительном варианте настоящего изобретения предлагается способ получения SiCOH-материала с низкой диэлектрической постоянной, включающий проведение химического осаждения из паровой фазы с использованием смеси насыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения и ненасыщенного углеводорода с плазмой O₂-содержащего газа. Соотношение смешения насыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения и ненасыщенного углеводорода предпочтительно находится в интервале от 1:0,1 до 1:10. Если соотношение смешения составляет менее 0,1, диэлектрическая постоянная пленки становится слишком высокой, тогда как физические характеристики пленки становятся неудовлетворительными, если соотношение составляет выше 10.

В вышеуказанном варианте насыщенное кремнийорганическое или органосиликатное соединение или ненасыщенный углеводород могут иметь один или более галоидных заместителей.

Типичные примеры насыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения включают триметилсилан, триэтилсилан, триметоксисилан, триэтоксисилан, тетраметилсилан, тетраэтилсилан, тетраметоксисилан, тетраэтоксисилан, гексаметилциклотрисилоксан, тетраметилциклотетрасилоксан, тетраэтилциклотетрасилоксан, октаметилциклотетрасилоксан, гексаметилдисилоксан, бис-триметилсилилметан и их смесь.

Типичными примерами ненасыщенного углеводорода являются

H₂С=СН₂, F₂C=CF₂, H₂C=CF₂, HFC=CFH, F₂C=C=CF₂, H₂C=C=CF₂, HFC=C=CFH, HC≡CH, FC≡CH, FC≡CF, Cl₂C=CCl₂, H₂C=CCl₂, HClC=CClH, Cl₂C=C=CCl₂, H₂C=C=CCl₂, HClC=C=CClH, ClC≡CH, ClC≡CC1, Br₂С=CBr₂, Н₂С=CBr₂, HBrC=CBrH, Br₂C=C=CBr₂, Н₂С=С=CBr₂, HBrC=C=CBrH, BrC≡CH, BrC≡CBr, I₂С=CI₂, H₂C=CI₂, HIC=CIH, I₂C=C=CI₂, H₂C=C=CI₂, HIC=C=CIH, IC≡CH и IC≡CI и предпочтительными являются Н₂С=СН₂ или F₂C=CF₂.

O₂-содержащий газ, который может быть использован в настоящем изобретении, выбирают из группы, состоящей из O₂, N₂O, О₃, Н₂O₂, CO₂, Н₂O и их смеси.

Способ настоящего изобретения может дополнительно включать стадию отжига осажденной пленки, которая может быть выполнена при температуре в интервале от 100 до 800°С в течение периода времени в интервале от 0,5 до 8 ч, предпочтительно при 450°С в течение 1 ч, с получением термостойкой SiCOH-пленки с низкой диэлектрической постоянной. Стадия отжига может также включать быструю термообработку, которая может быть проведена при температуре в интервале от 100 до 900°С в течение примерно 1 мин, и стадию термоудара, осуществляемую в течение 10 секунд.

Такой SiCOH-материал с низкой диэлектрической постоянной, полученный в соответствии со способом настоящего изобретения, имеет диэлектрическую постоянную (k) 2,8 или ниже; и, кроме того, термостойкая SiCOH-пленка, образованная после отжига, имеет исключительно низкую диэлектрическую постоянную (k) в интервале 1,6-2,6, причем диэлектрическая постоянная (k) является регулируемой путем регулирования переменных способа.

Настоящее изобретение дополнительно описывается и иллюстрируется в примерах, приведенных ниже, которые, однако, не предназначены для ограничения объема настоящего изобретения.

Пример 1

SiCOH-пленку осаждают на Pt-подложку с использованием винилтриметилсилана ((VTMS)(BTMC), SiC₅H₁₂) и O₂ в прямом плазменном устройстве, показанном на фиг.1b. Соотношение потоков O₂/BTMC варьируют в интервале от 1 до 13,3 в процессе осаждения пленки. Давление и температура в реакторе составляют 1 мм рт.ст. и 30°С соответственно и прилагаемая энергия плазмы 60 Вт. Осажденную таким образом пленку отжигают в Ar-атмосфере при температуре в интервале 300-500°С с получением пленки с низкой диэлектрической постоянной.

Как показано на фиг.2, соответствующие содержания углерода осажденной пленки и пленки, отожженной при 450°С, становятся ниже с увеличением соотношения потоков О₂/ВТМС. На фиг.3 показано, что пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную в интервале от 1,8 до 2,4, тогда как осажденная пленка без отжига имеет диэлектрическую постоянную в интервале от 2,3 до 2,8. На фигурах 4 и 5 показаны изменения диэлектрической постоянной пленки, полученной в примере 1, при изменениях температуры отжига и времени отжига при соотношении потоков О₂/ВТМС 2 соответственно.

Сравнительный пример 1

Повторяют методику примера 1 с использованием тетраметилсилана ((4MS) (4МС), SiC₄H₁₂) вместо BTMC с получением осажденной пленки. Как показано на фиг.3, полученная таким образом пленка имеет диэлектрическую постоянную в интервале от 3,0 до 3,5, что является выше, чем для осажденной пленки, полученной в примере 1.

Пример 2

Повторяют методику примера 1, за исключением того, что вместо ВТМС используют смесь (1:1) тетраметилсилана ((4MS) (4МС), SiC₄H₁₂) и C₂F₄, с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.6 и фиг.7 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 3,0 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2/5 или ниже. На фиг.8 и фиг.9 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=400°С) при соотношении потоков O₂/(4MS+C₂F₄), равном 4, на диэлектрическую постоянную пленки соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную 2,75 или ниже.

Пример 3

Повторяют методику примера 1 с использованием тетравинилтетраметилциклотетрасилоксана ((TVTMCTSO) (ТВТМЦТСО), Si₄O₄C₁₂H₂₄) вместо ВТМС с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.10 и фиг.11 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 2,4 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2,2 или ниже. На фиг.12 и фиг.13 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=450°С) при соотношении потоков О₂/ТВТМЦТСО, равном 4, на диэлектрическую постоянную пленки, соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную 2,1 или ниже.

Сравнительный пример 2

Повторяют методику примера 1 с использованием тетраметилциклотетрасилоксана ((TMCTSO) (ТМЦТСО), Si₄O₄C₄H₁₆) вместо ВТМС с получением осажденной пленки. Как показано на фиг.11, полученная таким образом пленка имеет диэлектрическую постоянную в интервале от 2,5 до 3/3, что является выше, чем у осажденной пленки, полученной в примере 3.

Пример 4

Повторяют методику примера 1, за исключением того, что вместо ВТМС используют смесь (1:1) тетраметилциклотетрасилоксана ((TMCTSO) (ТМЦТСО), Si₄O₄H₁₆) и С₂Н₄, с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.14 и фиг.15 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 2,3 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2,2 или ниже. На фиг.16 и фиг.17 показано влияние температуры отжига (время отжига=0/5 ч) и времени отжига (температура отжига=400°С) при соотношении потоков О₂/(ТМЦТСО+С₂Н₄), равном 2, на диэлектрическую постоянную пленки соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную 2,05 или ниже.

Пример 5

Повторяют методику примера 1 с использованием диаллилдиметилсилана ((DADMS)(ДАДМС), SiC₈H₁₆) вместо ВТМС с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.18 и фиг.19 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 2,8 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2,4 или ниже. На фиг.20 и фиг.21 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=450°С) при соотношении потоков О₂/ДАДМС, равном 4, на диэлектрическую постоянную пленки, соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную 2,35 или ниже.

Пример 6

Повторяют методику примера 1, за исключением того, что вместо ВТМС используют 1,3-дивинилтетраметилдисилоксан ((DVTMDSO) (ДВТМДСО), Si₂OC₈H₁₈), с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.22 и фиг.23 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 2,9 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2,4 или ниже. На фиг.24 и фиг.25 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=500°С) при соотношении потоков О₂/ДВТМДСО, равном 2, на диэлектрическую постоянную пленки, соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную 2,15 или ниже.

Пример 7

Повторяют методику примера 1 с использованием винилтриметоксисилана ((VTMOS) (BTMOC), SiO₃C₅H₁₂) вместо ВТМС с получением осажденной пленки, которую затем отжигают. На фиг.26 и фиг.27 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную в интервале 2,2-2,75, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную в интервале 1,9-2,55. На фиг.28 и фиг.29 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=450°С) при соотношении потоков О₂/ВТМОС, равном 2, на диэлектрическую постоянную пленки соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную 2,4 или ниже.

Пример 8

Повторяют методику примера 1, за исключением того, что вместо ВТМС используют этинилтриметилсилан ((ETMS) (ЭТМС), SiC₅Н₁₀) с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.30 и фиг.31 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки, соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 2,65 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2,35 или ниже. На фиг.32 и фиг.33 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=350°С) при соотношении потоков O₂/ЭТМС, равном 4, на диэлектрическую постоянную пленки соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5, имеет диэлектрическую постоянную 2,35 или ниже.

Пример 9

Повторяют методику примера 1 с использованием смеси (1:2) гексаметилдисилоксана ((HMDSO) (ГМДСО), Si₂OC₆H₁₈) и СгН4 вместо ВТМС с получением осажденной пленки, которую затем отжигают.

На фиг.34 и фиг.35 показаны содержания углерода и диэлектрические постоянные осажденной пленки и отожженной пленки соответственно. Осажденная пленка имеет диэлектрическую постоянную 3,0 или ниже, и пленка, отожженная при 450°С, имеет диэлектрическую постоянную 2,05 или ниже. На фиг.36 и фиг.37 показано влияние температуры отжига (время отжига=0,5 ч) и времени отжига (температура отжига=450°С) при соотношении потоков О₂/(ГМДСО+С₂Н₄), равном 4, на диэлектрическую постоянную пленки, соответственно. Пленка, отожженная при 300-500°С в течение 0,5 ч, имеет диэлектрическую постоянную в интервале от 1,7 до 1,9.

Как можно видеть из приведенных выше результатов, SiCOH-пленка с низкой диэлектрической постоянной, полученная при проведении ХОПФ с использованием плазмы О₂-содержащего газа и ненасыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения или смеси насыщенного кремнийорганического или органосиликатного соединения и ненасыщенного углеводорода в соответствии с настоящим изобретением, имеет диэлектрическую постоянную 2,6 или ниже, что является исключительно ниже, чем у традиционных материалов с низкой k.

Несмотря на то, что объект изобретения описан и проиллюстрирован только относительно предпочтительного варианта, различные изменения и модификации могут быть сделаны без отступления от основной концепции настоящего изобретения, которая ограничена только объемом прилагаемой формулы изобретения.

1. Способ получения пленки гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H), включающий проведение химического осаждения из паровой фазы с использованием алкилсилана, содержащего по меньшей мере одну винильную или этинильную группу, вместе с плазмой О₂-содержащего газа.

2. Способ по п.1, в котором алкилсилан, содержащий, по меньшей мере, одну винильную или этинильную группу, выбирают из группы, состоящей из винилтриметилсилана, винилтриэтилсилана, аллилдиметилсилана, этинилтриметилсилана, этинилтриэтилсилана и их смеси.

3. Способ по п.1, в котором О₂-содержащий газ выбирают из группы, состоящей из O₂, N₂O, О₃, Н₂О₂, СО₂, Н₂О и их смеси.

4. Способ по п.1, дополнительно включающий стадию отжига осажденной пленки при температуре в интервале от 300 до 500°С в течение 0,5-8 ч.

5. Пленка из гидрированного кремний-оксикарбида (SiCO:H) с низкой диэлектрической постоянной, полученная способом по п.1.