Светодиод с оптическим элементом

Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано при изготовлении различного вида излучателей на основе светоизлучающих диодов (светодиодов). Технический результат изобретения заключается в создании светодиода, обеспечивающего формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока. Сущность изобретения заключается в том, что в светодиоде, содержащем светоизлучающий кристалл, покрытый выполненным из светопрозрачного материала оптическим элементом, который имеет асферическую форму наружной поверхности, полученную вращением вокруг оси симметрии светодиода кривой f(x), построенной с учетом оптических свойств светоизлучающего кристалла и материала оптического элемента. Указанная поверхность является световыводящей, при этом кривая f(x) в системе координат, точка начала которой совпадает с геометрическим центром активной области светоизлучающего кристалла, имеет начальную точку А0, расположенную на оси ординат на расстоянии, соответствующем характеристическому размеру светодиода, в качестве которого использовано заданное значение высоты оптического элемента или заданное значение его диаметра, и образована множеством точек Ai (i=1, 2..., n), за координаты каждой из которых приняты координаты точки пересечения прямой, исходящей из точки начала координат под углом αвхi к оси ординат, с прямой, исходящей из предыдущей точки Ai-1 под углом Gi к оси абсцисс, приведенной в точку Ai-1, при этом угол αвхi - это угол, под которым распространяется iвх луч света, принадлежащий множеству лучей, испускаемых светоизлучающим кристаллом, который выбирается из диапазона углов от 0 до 90 град. Угол Gi определяется исходя из приведенной зависимости. Угол αвыхi найден путем предварительного построения диаграммы направленности ДНвх излучения, испускаемого светоизлучающим кристаллом. Координаты точек Аi проверены на модели светодиода, содержащей оптический элемент, профиль которого образован множеством точек Аi, а также светоизлучающий кристалл, за диаграмму направленности излучения которого принята диаграмма направленности ДНвх и который рассматривается как распределенный источник света, имеющий трехмерную излучающую область, размеры и вид которой соответствуют размерам и виду излучающей области используемого в светодиоде светоизлучающего кристалла. Точки испускания лучей в светоизлучающем кристалле рассматриваемой модели смещены относительно точки начала координат в пределах его излучающей области, при этом координаты точек Аi проверены путем сравнения отображенных в одной и той же системе координат диаграммы направленности ДНвых и диаграммы направленности ДНмод излучения, испускаемого моделью светодиода. В случае совпадения указанных диаграмм направленности координаты точек Аi являются координатами точек, образующих кривую f(x), а в случае несовпадения указанных диаграмм направленности вновь находят и проверяют координаты точек Аi, задавая в качестве диаграммы направленности ДНвых иную диаграмму направленности ДНвыхj, точки которой расположены соответственно выше или ниже точек диаграммы направленности ДНвых в зависимости от того, ниже или выше располагались в ходе проведенной проверки точки диаграммы направленности ДНмод относительно точек диаграммы направленности ДНвых. 3 ил.

 

Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано при изготовлении различного вида излучателей на основе светоизлучающих диодов (светодиодов).

Известны конструкции светодиодов, в которых используются оптические элементы, форма, размеры и материал которых выбирают таким образом, чтобы они обеспечивали формирование заданных световых характеристик устройства.

Так, например, известен светодиод [RU 2207663], включающий полупроводниковые светоизлучающие кристаллы, покрытые оптическим элементом, содержащим конусообразный отражатель бокового излучения и собирающую излучение линзу, представляющую собой полусферу с цилиндрическим основанием.

Форма и геометрические размеры отражателя и линзы подобраны таким образом, что оптический элемент обеспечивает повышение эффективности использования бокового излучения кристаллов, за счет чего увеличивается мощность излучения светодиода.

Известен светодиод с оптическим элементом [RU 2055420], который выбран авторами изобретения в качестве ближайшего аналога.

Данный светодиод содержит светоизлучающий кристалл, покрытый выполненным из светопрозрачного материала оптическим элементом, часть наружной поверхности которого представляет собой плоскость и является световыводящей поверхностью, а другая часть является не выводящей излучение поверхностью и имеет асферическую форму, образованную вращением вокруг оси симметрии кривой f(x), уравнение которой удовлетворяет условиям полного внутреннего отражения света, излучаемого кристаллом, в любой точке данной поверхности. При этом кривая f(x) получена с учетом оптических свойств кристалла и оптического элемента, а именно с учетом значений их показателей преломления.

В рассматриваемом устройстве оптический элемент собирает и выводит через световыводящую поверхность практически все излучение, испускаемое кристаллом, что обуславливает повышение выходной мощности излучения светодиода.

Однако с помощью данного устройства не удается получить требуемое распределение светового потока в заданном пространственном угле.

Задачей заявляемого изобретения является создание светодиода, обеспечивающего формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока.

Сущность изобретения заключается в том, что в светодиоде, содержащем светоизлучающий кристалл, покрытый выполненным из светопрозрачного материала оптическим элементом, который имеет асферическую форму наружной поверхности, полученную вращением вокруг оси симметрии светодиода кривой f(x), построенной с учетом оптических свойств светоизлучающего кристалла и материала оптического элемента, согласно изобретению указанная поверхность является световыводящей, при этом кривая f(x) в системе координат, точка начала которой совпадает с геометрическим центром активной области светоизлучающего кристалла, имеет начальную точку А0, расположенную на оси ординат на расстоянии, соответствующем характеристическому размеру светодиода, в качестве которого использовано заданное значение высоты оптического элемента или заданное значение его диаметра, и образована множеством точек Ai (i=1, 2..., n), за координаты каждой из которых приняты координаты точки пересечения прямой, исходящей из точки начала координат под углом αвхi к оси ординат, с прямой, исходящей из предыдущей точки Аi-1 под углом Gi к оси абсцисс, приведенной в точку Ai-1, при этом угол αвхi - это угол, под которым распространяется iвх луч света, принадлежащий множеству лучей, испускаемых светоизлучающим кристаллом, который выбирается из диапазона углов от 0 до 90 град, а угол Gi определяется, исходя из зависимости

где n21 - относительный показатель преломления на границе раздела "оптический элемент - внешняя среда", определяемый как отношение показателя преломления внешней среды n2 к показателю преломления материала оптического элемента n1,

αвыхi - угол, под которым распространяется iвых луч света, принадлежащий множеству лучей, испускаемых светодиодом, который лежит в диапазоне углов от 0 до 90 град, причем αвыхi найден путем предварительного построения диаграммы направленности ДНвх излучения, испускаемого используемым в светодиоде светоизлучающим кристаллом, которая определена на основании экспериментальных данных, а также отображения в той же системе координат диаграммы направленности ДНвых излучения, которую требуется получить от светодиода, и последующего графического нахождения для каждого выбранного угла αвхi такого угла αвыхi, при котором величины светового потока на диаграммах ДНвх и ДНвых равны, после чего определенные указанным выше образом координаты точек Ai проверены на модели светодиода, содержащей оптический элемент, профиль которого образован множеством точек Ai, а также светоизлучающий кристалл, за диаграмму направленности излучения которого принята диаграмма направленности ДНвх и который рассматривается как распределенный источник света, имеющий трехмерную излучающую область, размеры и вид которой соответствуют размерам и виду излучающей области используемого в светодиоде светоизлучающего кристалла, которые предварительно определены на основании экспериментальных данных, причем точки испускания лучей в светоизлучающем кристалле рассматриваемой модели смещены относительно точки начала координат в пределах его излучающей области, при этом координаты точек Ai проверены путем сравнения отображенных в одной и той же системе координат диаграммы направленности ДНвых и диаграммы направленности ДНмод излучения, испускаемого моделью светодиода, полученной на основании произведенного моделирования измерения диаграммы направленности его светового потока, причем в случае совпадения указанных диаграмм направленности координаты точек Ai являются координатами точек, образующих кривую f(x), а в случае несовпадения указанных диаграмм направленности вновь находят и проверяют координаты точек Ai указанным выше образом, задавая в качестве диаграммы направленности ДНвых иную диаграмму направленности ДНвыхj, точки которой расположены соответственно выше или ниже точек диаграммы направленности ДНвых в зависимости от того, ниже или выше располагались в ходе проведенной проверки точки диаграммы направленности ДНмод относительно точек диаграммы направленности ДНвых.

Заявляемое изобретение поясняется чертежами, представленными на фиг.1-3, где на фиг.1 представлен общий вид заявляемого светодиода; на фиг.2 представлены диаграммы направленности светоизлучающего кристалла ДНвх и светодиода ДНвых; на фиг. 3 представлен пример графического определения координат точек Ai.

Принципиально важной особенностью заявляемого устройства является то, что световыводящая поверхность используемого в светодиоде оптического элемента имеет асферическую форму, координаты точек Ai профиля которого в первом приближении получены расчетно-экспериментальным путем, причем в процессе нахождения координат входящий в состав светодиода светоизлучающий кристалл рассматривается как точечный неравнояркий источник света, а затем полученные координаты проверены на модели светодиода, причем входящий в состав модели светодиода светоизлучающий кристалл рассматривается как распределенный источник света. При этом за диаграмму направленности светоизлучающего кристалла модели светодиода принимают определенную экспериментально диаграмму направленности ДНвх реального светоизлучающего кристалла, оптический элемент модели светодиода имеет профиль, образованный множеством наиденных точек Ai, а рассматриваемый как распределенный источник света светоизлучающий кристалл модели светодиода имеет трехмерную излучающую область, размеры и форма которой соответствуют определенным экспериментально размерам и форме излучающей области реального светоизлучающего кристалла, причем точки испускания лучей распределены по объему излучающей области светоизлучающего кристалла модели светодиода.

Для того чтобы входящий в состав заявляемого светодиода оптический элемент обеспечивал требуемое распределение светового потока в заданном пространственном угле, координаты точек его профиля определяют, исходя из условия нормировки на один и тот же световой поток диаграммы направленности входящего в состав светодиода светоизлучающего кристалла (ДНвх), определенной экспериментально, и диаграммы направленности (ДНвых), которую требуется получить от светодиода.

В основе такого подхода лежит представление о том (см. фиг.1), что для любого телесного угла (Θвхi), внутри которого распространяется некий световой поток, испускаемый кристаллом и который определяется в выбранной для нахождения точек профиля оптического элемента системе координат плоским углом αвхi, найдется такой телесный угол (Θвыхi), внутри которого распространяется такой же по величине световой поток, испускаемый светодиодом и который определяется в указанной выше системе координат плоским углом αвыхi.

В соответствии с вышесказанным (см. фиг.2) для каждого угла αвхi находят такой угол αвыхi, при котором величины светового потока на диаграммах ДНвх и ДНвых равны. Эту операцию производят для множества лучей, исходящих из точки О начала координат, за которую принят геометрический центр активной области кристалла, под углами αвхi, находящимися в диапазоне [0; 90] градусов.

Далее (см. фиг.3) для каждого луча iвх, исходящего из точки О под углом αвхi и падающего на поверхность оптического элемента в точке Ai, находят (относительно оси абсцисс) такой угол наклона Gi касательной к преломляющей поверхности оптического элемента, что преломленный луч iвых выходит из светодиода под углом αвыхi. При этом исходя из геометрических построений, основанных на законах геометрической оптики, угол Gi должен удовлетворять следующей системе уравнений:

q - это угол падения луча iвх на преломляющую поверхность, имеющую угол наклона Gi в точке Ai, а q' - это угол преломления данного луча указанной преломляющей поверхностью.

Поскольку угол падения q и угол преломления q' связаны законом Снеллиуса:

где n2 - показатель преломления воздуха, a n1 - показатель преломления материала оптического элемента, угол Gi может быть выражен следующим образом:

где n21 - относительный показатель преломления на границе раздела "оптический элемент - внешняя среда", определяемый как отношение показателя преломления внешней среды n2 к показателю преломления материала оптического элемента n1. Если внешней средой является воздух, то n21 равен обратному значению показателя преломления материала оптического элемента.

Поскольку в качестве исходного параметра задан характеристический размер оптического элемента, то есть его максимальный линейный размер, которым является заданное значение высоты оптического элемента или заданное значение его диаметра, за начальную точку профиля оптического элемента А0 принимают координаты точки, лежащей на оси ординат на расстоянии, соответственно равном высоте или диаметру оптического элемента, от точки начала системы координат О.

Координаты каждой последующей точки профиля оптического элемента Ai в выбранной системе координат определяются как координаты точки пересечения прямой, исходящей из начала координат О под углом αвхi, с прямой, исходящей из предыдущей точки Ai-1 под углом Gi к оси абсцисс, приведенной в точку Ai-1.

Существенно важным является то, что при нахождении координат точек профиля оптического элемента учитываются не только оптические свойства его материала, но и индивидуальный характер свечения светоизлучающего кристалла, который обусловлен материалом и топологией кристалла. Диаграмма направленности ДПвх определяется путем измерения пространственного распределения светового потока в пространственном угле 360 градусов с помощью измерительной системы, включающей оптическую скамью с установленным на ней фотоприемником с соответствующим регистрирующим оборудованием и поворотный стол с расположенным на нем и размещенным в держателе исследуемым кристаллом, покрытым материалом, из которого выполнен оптический элемент.

После нахождения в первом приближении координат точек Ai профиля оптического элемента указанным выше образом осуществляют их проверку на модели светодиода, у которого светоизлучающий кристалл имеет диаграмму направленности излучения такую же, как диаграмма направленности ДНвх, а оптический элемент имеет профиль, образованный множеством точек Ai.

При этом предварительно для каждого конкретного используемого в светодиоде кристалла на основании экспериментальных исследований, проводимых, в частности, с использованием микроскопа, определяют размер и форму его излучающей области, которые зависят от материала и топологии кристалла.

Далее моделируют, в частности, с использованием ЭВМ светоизлучающий кристалл, в котором точки испускания лучей смещены относительно начала системы координат О в пределах светоизлучающей области. Математически эта задача решается через распределение по случайному закону начал множества геометрических лучей в объеме светоизлучающей области (при количестве лучей порядка 1500000 лучей).

Затем моделируют измерение диаграммы направленности ДНмод излучения, испускаемого моделью светодиода. Указанное моделирование осуществляют, в частности, с использованием ЭВМ путем программного формирования системы виртуальных фотоприемников, регистрирующих пространственное распределение светового потока от модели светодиода.

После чего в одной и той же системе координат отображают диаграмму направленности модели светодиода ДНмод и диаграмму направленности ДНвых, которую требуется получить от светодиода.

В случае совпадения указанных диаграмм направленности координаты точек Ai принимают за координаты точек, образующих кривую f(x,), определяющую искомый профиль оптического элемента светодиода.

В случае, если точки диаграммы направленности ДНмод располагаются выше точек диаграммы направленности ДНвых, то есть когда диаграмма направленности, полученная с использованием оптического элемента, точки профиля которого соответствуют точкам Ai, полученным в первом приближении, имеет ширину и/или высоту, превышающую ширину и/или высоту требуемой диаграммы направленности, осуществляют перерасчет точек Ai указанным выше образом и при этом в качестве диаграммы направленности излучения, испускаемого светодиодом, задают не диаграмму направленности ДНвых, которую реально требуется получить от светодиода, а диаграмму направленности ДНвыхj, точки которой расположены ниже точек диаграммы направленности ДНвых.

В случае, если точки диаграммы направленности ДНмод располагаются ниже точек диаграммы направленности ДНвых, то есть когда диаграмма направленности, полученная с использованием оптического элемента, точки профиля которого соответствуют точкам Ai, полученным в первом приближении, имеет ширину и/или высоту, меньшую ширины и/или высоты требуемой диаграммы направленности, осуществляют перерасчет точек Ai указанным выше образом и при этом в качестве диаграммы направленности излучения, испускаемого светодиодом, задают не диаграмму направленности ДНвых, которую реально требуется получить от светодиода, а диаграмму направленности ДНвыхj, точки которой расположены выше точек диаграммы направленности ДНвых.

Указанный перерасчет осуществляют необходимое количество раз до тех пор, пока точки диаграммы направленности ДНмод не совпадут с точками диаграммы направленности ДНвых.

Таким образом, заявляемый светодиод благодаря использованию оптического элемента, профиль которого определен описанным выше образом с учетом оптических свойств его материала и оптических характеристик используемого светоизлучающего кристалла, а затем проверен на модели светодиода, в которой светоизлучающий кристалл рассматривается в качестве распределенного источника света и характеристики которой зависят от световых характеристик используемого светоизлучающего кристалла, обеспечивает формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока с очень высокой степенью точности.

Заявляемый светодиод (фиг.1) содержит основание 1, в качестве которого используют, в частности, монтажную плату, на котором установлен светоизлучающий кристалл 2. Кристалл 2 покрыт оптическим элементом 3, изготовленным из светопрозрачного материала, который имеет световыводяшую асферическую наружную поверхность, образованную вращением кривой f(x) вокруг оси симметрии О-О' светодиода, координаты точек которой в системе координат, начало О которой совпадает с геометрическим центром активной области кристалла 2, а ось ординат расположена по оси симметрии кристалла 2, определены описанным выше образом.

При этом для определения угловой координаты Gi каждой из точек Ai предварительно (фиг.2) для каждого αвхi графическим путем находят такой αвыхi, при котором световые потоки на диаграммах направленности ДНвх и ДНвых, изображенных в одной и той же системе координат, равны. После этого определяют значения углов Gi в соответствии с зависимостью (3).

Далее находят координаты точек профиля оптического элемента (фиг.3). Для этого откладывают по оси ординат расстояние, равное заданному значению высоты или диаметра оптического элемента, и получают значение координаты начальной точки А0. Затем находят координаты точки A1, для чего проводят из точки О луч под углом αвхi, а из точки А0 проводят прямую под углом Gi и за координаты точки A1 принимают координаты точки пересечения указанных прямых. Затем находят координаты точки А2, для чего проводят из точки О луч под углом αвх2, а из точки A1 проводят прямую под углом G2 к оси абсцисс, приведенной в точку A1, и за координаты точки А2 принимают координаты точки пересечения указанных прямых. Данную операцию производят для множества (порядка 1500-2000) лучей, испускаемых кристаллом под углами αвхi, лежащими в диапазоне углов от 0 до 90 град.

Полученные точки профиля оптического элемента Ai проверяют описанным выше образом на модели светодиода, после чего получают уточненные координаты точек Ai кривой f(x), определяющей профиль оптического элемента.

Для изготовления светодиода используют полупроводниковый светоизлучающий кристалл 2, например полупроводниковый светоизлучающий кристалл на основе твердых растворов элементов III и V групп периодической системы Менделеева. Кристалл 2 и элементы электрической схемы (не показаны) размещают на основании (монтажной плате) 1 и закрывают оптическим элементом 3, изготовленным из светопрозрачного материала, например из органического или неорганического оптически прозрачного компаунда путем отливки указанного компаунда в заливочную форму.

Устройство работает следующим образом. При подаче электропитания светоизлучающий кристалл 2 излучает световой поток, который испускается светодиодом после прохождения через световыводящую поверхность оптического элемента 3. При этом светодиод обеспечивает получение требуемого светового потока в заданном угле излучения.

Светодиод, содержащий светоизлучающий кристалл, покрытый выполненным из светопрозрачного материала оптическим элементом, который имеет асферическую форму наружной поверхности, полученную вращением вокруг оси симметрии светодиода кривой f(x), построенной с учетом оптических свойств светоизлучающего кристалла и материала оптического элемента, отличающийся тем, что указанная поверхность является световыводящей, при этом кривая f(x) в системе координат, точка начала которой совпадает с геометрическим центром активной области светоизлучающего кристалла, имеет начальную точку А0, расположенную на оси ординат на расстоянии, соответствующем характеристическому размеру светодиода, в качестве которого использовано заданное значение высоты оптического элемента или заданное значение его диаметра, и образована множеством точек Ai (i=1, 2..., n), за координаты каждой из которых приняты координаты точки пересечения прямой, исходящей из точки начала координат под углом αвхi к оси ординат, с прямой, исходящей из предыдущей точки Ai-1 под углом Gi к оси абсцисс, приведенной в точку Ai-1, при этом угол αвхi - это угол, под которым распространяется iвх луч света, принадлежащий множеству лучей, испускаемых светоизлучающим кристаллом, который выбирается из диапазона углов от 0 до 90°, а угол Gi определяется исходя из зависимости

где n21 - относительный показатель преломления на границе раздела «оптический элемент-внешняя среда», определяемый как отношение показателя преломления внешней среды n2 к показателю преломления материала оптического элемента n1,

αвыхi - угол, под которым распространяется iвых луч света, принадлежащий множеству лучей, испускаемых светодиодом, который лежит в диапазоне углов от 0 до 90°, причем αвыхi найден путем предварительного построения диаграммы направленности ДНвх излучения, испускаемого используемым в светодиоде светоизлучающим кристаллом, которая определена на основании экспериментальных данных, а также отображения в той же системе координат диаграммы направленности ДНвых излучения, которую требуется получить от светодиода, и последующего графического нахождения для каждого выбранного угла αвхi такого угла αвыхi, при котором величины светового потока на диаграммах ДНвх и ДНвых равны, после чего определенные указанным выше образом координаты точек Аi проверены на модели светодиода, содержащей оптический элемент, профиль которого образован множеством точек Аi, а также светоизлучающий кристалл, за диаграмму направленности излучения которого принята диаграмма направленности ДНвх и который рассматривается как распределенный источник света, имеющий трехмерную излучающую область, размеры и вид которой соответствуют размерам и виду излучающей области используемого в светодиоде светоизлучающего кристалла, которые предварительно определены на основании экспериментальных данных, причем точки испускания лучей в светоизлучающем кристалле рассматриваемой модели смещены относительно точки начала системы координат в пределах его излучающей области, при этом координаты точек Аi проверены путем сравнения отображенных в одной и той же системе координат диаграммы направленности ДНвых и диаграммы направленности ДНмод излучения, испускаемого моделью светодиода, полученной на основании произведенного моделирования измерения диаграммы направленности его светового потока, причем в случае совпадения указанных диаграмм направленности координаты точек Аi являются координатами точек, образующих кривую f(x), а в случае несовпадения указанных диаграмм направленности вновь находят и проверяют координаты точек Аi указанным выше образом, задавая в качестве диаграммы направленности ДНвых иную диаграмму направленности ДНвыхj, точки которой расположены соответственно выше или ниже точек диаграммы направленности ДНвых в зависимости от того, ниже или выше располагались в ходе проведенной проверки точки диаграммы направленности ДНмод относительно точек диаграммы направленности ДНвых.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано при изготовлении различного вида излучателей на основе светоизлучающих диодов (светодиодов).

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, конкретнее к светодиодам на основе широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV. .

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, конкретнее к светодиодам на основе широкозонных нитридных соединений типа AIIIBV. .

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к источникам, излучающим с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи.

Изобретение относится к конструктивным элементам полупроводниковых приборов, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенных для светового излучения, в частности, к железнодорожным светодиодным светофорам.

Изобретение относится к измерительной технике. .

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, а именно к светоизлучающим диодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (А IIIN).

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к светодиодным устройствам, и может найти применение в производстве светодиодных устройств, используемых в коммунальном хозяйстве, рекламе, автомобильной промышленности, энергетике, железнодорожном транспорте и в других отраслях промышленности

Изобретение относится к области полупроводниковых излучающих приборов, конкретнее к светодиодам на основе широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV

Изобретение относится к устройству светодиодных источников света, предназначенных для локального освещения рабочих поверхностей

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к диодным источникам и приемникам, излучающим и принимающим излучение с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи

Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к эффективным, мощным и компактным полупроводниковым инжекционным излучателям, в том числе светодиодам

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы
Наверх