Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия и способ его формирования

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей, а именно в получении антибликового покрытия. В способе получения покрытия исключены высокотемпературные обработки и экологически вредные операции. Это достигается за счет того, что антибликовое покрытие формируют из диэлектрической композиции, включающей оксид кремния в количестве 2÷5 вес.% и фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол в количестве 95÷98 вес.%, которую наносят слоем 2÷5 мкм и экспонируют. Техническим результатом изобретения является получение механически прочного антибликового покрытия с высокими светотехническими параметрами экологически чистым способом, имеющим низкую трудоемкость и затраты. 2 н.п. ф-лы.

 

Группа изобретений относится к области электронной техники и может быть использована в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП).

Известен состав для снижения бликовости поверхности, содержащий 5÷25 вес.% электропроводного материала на основе тиофена, 0,5÷3 вес.% кремнесодержащего материала и растворитель из группы, состоящей из спирта и деионизованной воды [заявка РФ №97107486 / 09, H 01 J 31/00, 9/00, 1999 г.].

Недостатком данного состава является то, что изделия, имеющие антибликовую поверхность на его основе, не могут подвергаться обработке при температурах до 600°С вследствие необратимых реакций между компонентами состава, разрушающих антибликовую поверхность.

Известен способ формирования антибликового покрытия на поверхности стеклоподложки, заключающийся в активировании поверхности водным раствором SnCl, обработки ее водным раствором AgNO3, проведении химического меднения в течение 3÷15 минут при температуре раствора меднения 30÷65°С [пат. США №4379184, 427-169, 1983 г.].

Недостатком этого способа является использование драгметаллов в сложном технологическом процессе формирования антибликового покрытия.

Известна диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, содержащая легкоплавкое стекло (ЛПС) [пат. Великобритании №1390888, Н 01 С 7/00, 1975 г.].

Недостатком указанной композиции является то, что при использовании ее для формирования антибликового покрытия на стеклоподложках нельзя получить термостойкое покрытие из-за присутствия в ней легкоплавкой стеклянной фритты.

Известен способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклоподложку слоя порошка диэлектрической композиции, содержащей легкоплавкое стекло, оплавлении его и травлении в растворе азотной кислоты [пат. РФ №2152912, С 03 С 17/04, 2000 г.].

Несмотря на то что данный способ позволяет получать матированную поверхность с требуемыми параметрами, он очень трудоемок вследствие длительного цикла изготовления антибликового покрытия, критичен к климатическим условиям технологического процесса, что требует использования дорогостоящего оборудования, экологически вреден из-за использования ЛПС на основе окиси свинца, а также кислоты для травления остатков ЛПС.

Наиболее близкой к предлагаемой диэлектрической композиции в группе изобретений по совокупности признаков является диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, включающая оксид кремния [патент РФ №2070749, H 01 J 17/49, 1996 г. - прототип].

Недостатком данной диэлектрической композиции является то, что при использовании ее для формирования антибликового покрытия на стеклоподложке нельзя получить механически прочное покрытие, так как не происходит прочного закрепления частиц оксида кремния на стеклоподложке.

Наиболее близким к предлагаемому способу в группе изобретений по совокупности признаков является способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклоподложку слоя диэлектрической композиции, включающей оксид кремния, с последующей обработкой для закрепления слоя [патент РФ №2070749, H 01 J 17/49, 1996 г. - прототип].

Недостатками данного способа являются низкая механическая прочность формируемого антибликового покрытия, большая трудоемкость, нестабильность процесса нанесения слоя диэлектрической композиции и его экологическая вредность.

Задачей группы изобретений является получение механически прочного антибликового покрытия с высокими светотехническими параметрами экологически чистым способом, имеющим низкую трудоемкость и затраты.

Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-веществу достигается тем, что известная диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, включающая оксид кремния, дополнительно содержит фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол при следующем соотношении компонентов, вес.%:

оксид кремния2÷5
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной95÷98
и акриловой смол

Введение в диэлектрическую композицию взятого в заданном количестве фотоэкспонируемого диэлектрического материала на основе эпоксидной и акриловой смол, отверждаемых при воздействии ультрафиолетового излучения, позволяет получить на стеклоподложке антибликовое покрытие с высокой механической прочностью, со светотехническими параметрами, отвечающими требованиям, предъявляемым к индикаторам, при формировании которого исключены высокотемпературные обработки и экологически вредные операции.

Указанный единый технический результат при осуществлении группы изобретений по объекту-способу достигается тем, что в известном способе формирования антибликового покрытия, заключающемся в нанесении на стеклоподложку слоя диэлектрической композиции, включающей оксид кремния, с последующей обработкой для закрепления слоя, слой наносят толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, включающей оксид кремния и дополнительно содержащей фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидноЙ и акриловой смол при следующем соотношении компонентов, вес.%:

оксид кремния2÷5
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной95÷98
и акриловой смол

и проводят экспонирование для закрепления слоя.

Данный способ, в процессе которого используется диэлектрическая композиция, включающая фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол, позволяет получить механически прочную антибликовую поверхность, обеспечивающую высокие светотехнические параметры за счет процесса полимеризации смол, входящих в фотоэкспонируемый диэлектрический материал, в котором исключены высокотемпературные обработки и экологически вредные операции.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленной группы изобретения как для объекта-вещества, так и для объекта-способа, позволяет установить, что заявителем не обнаружены аналоги как для веществ, так и для способа заявленной группы, характеризующихся признаками, идентичными всем существенным признакам как диэлектрических пасты и композиции, так и способа заявленной группы изобретений, а определение из перечня выявленных аналогов прототипов, как наиболее близких по совокупности признаков аналогов, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков для каждого из заявленных объектов группы, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, каждый из объектов заявленной группы изобретений соответствует требованию «новизна».

Дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от выбранных прототипов признаками для каждого из объектов заявленной группы изобретений, не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых раскрывался бы состав диэлектрической композиции, обеспечивающий получение механически прочного антибликового покрытия со светотехническими параметрами, отвечаемым требованиям, предъявляемым к индикаторам, за счет использования в диэлектрической композиции, включающей оксид кремния, фотоэкспонируемого диэлектрического материала на основе эпоксидной и акриловой смол, при следующем соотношении компонентов, вес.%:

оксид кремния2÷5
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной95÷98
и акриловой смол

Не выявлены также технические решения, в которых антибликовое покрытие было сформировано способом, исключающим высокотемпературную обработку и экологически вредные операции за счет формирования слоя толщиной 2÷5 мкм из диэлектрической композиции, включающей оксид кремния и фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол при следующем соотношении компонентов, вес.%:

оксид кремния2÷5
фотоэкспонируемый
материал на основе эпоксидной95÷98
и акриловой смол

с последующим экспонированием слоя.

Таким образом, каждый из объектов заявленной группы изобретений соответствует требованию «изобретательский уровень».

Антибликовое покрытие, снижающее коэффициент отражения света от внешних источников, формируют на внешней поверхности лицевой стеклопластины индикатора.

Для формирования антибликового покрытия индикатора используют диэлектрическую композицию, включающую оксид кремния и фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол.

Использование в диэлектрической композиции фотоэкспонируемого диэлектрического материала позволяет закрепить частицы оксида кремния между собой и стеклоподложкой вследствие полимеризации смол, входящих в состав фотоэкспонируемого диэлектрического материала, и его одновременного частичного проникновения в стеклоподложку.

Антибликовый эффект покрытия зависит от рельефа поверхности, определяемого количеством и распределением частиц оксида кремния в сформированном на стеклоподложке слое.

Оптимальный рельеф поверхности на стеклоподложке обеспечивается за счет использования диэлектрической композиции при следующем соотношении ее компонентов, вес.%:

оксид кремния2÷5
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной95÷98
и акриловой смол

При содержании в диэлектрической композиции оксида кремния менее 2 вес.% слабо выражен антибликовый эффект покрытия, так как частицы оксида кремния редко расположены на поверхности стеклоподложки.

Если количество оксида кремния более 5 вес.%, то покрытие имеет плотную «упаковку» частиц оксида кремния, участков с непокрытой поверхностью стеклоподложки практически нет и в результате образуется поверхность с высокой степенью шероховатости, что уменьшает яркость и четкость изображения.

Количество фотоэкспонируемого диэлектрического материала изменяется в зависимости от количества оксида кремния, необходимого для получения заданного антибликового эффекта.

Для получения диэлектрической композиции смешивают порошок кремния с удельной поверхностью (30÷40)·103 см2/г с фотоэкспонируемым диэлектрическим материалом на основе эпоксидной и акриловой смол, взятых в заданных количествах.

Подготовленную диэлектрическую композицию наносят на предварительно очищенную поверхность стеклоподложки, например, методом трафаретной печати.

Диэлектрическую композицию также можно наносить на внешнюю поверхность лицевой диэлектрической пластины собранного и запаянного индикатора.

Для нанесения требуемого количества частиц оксида кремния и их оптимального распределения на стеклоподложке, обеспечивающих антибликовый эффект, и для образования механически прочного антибликового покрытия слой диэлектрической композиции наносят толщиной 2÷5 мкм.

Если толщина слоя будет меньше 2 мкм, то количество частиц оксида кремния будет недостаточным для образования шероховатой поверхности и эффект антиблика отсутствует.

Если толщина слоя будет больше 5 мкм, покрытие будет иметь поверхность с высокой степенью шероховатости, что уменьшает яркость и четкость изображения индикатора.

После нанесения слоя диэлектрической композиции проводят его сушку при температуре 120÷130°С.

Затем стеклоподложку или отпаянный индикатор с нанесенным слоем диэлектрической композиции располагают в установку для проведения экспонирования и проводят экспонирование.

В результате воздействия ультрафиолетового излучения на диэлектрическую композицию происходит процесс отверждения (полимеризации) смол, входящих в состав фотоэкспонируемого диэлектрического материала на основе эпоксидной и акриловой смол, тем самым обеспечивается закрепление частиц оксида кремния между собой и на стеклоподложке. Частицы оксида кремния образуют на стеклоподложке шероховатую матовую поверхность, обеспечивающую антибликовый эффект с высокими светотехническими параметрами, при формировании которого исключены высокотемпературные обработки, в результате чего исключаются такие дефекты, как неплоскостность стеклоподложек, дефекты в антибликовом покрытии, связанные с закреплением в нем инородных частиц (ворсинки, пыль и т.д.) при отжиге.

Преимуществом изобретений также является возможность реставрации слоя диэлектрической композиции на этапе его нанесения.

Например, для формирования антибликового покрытия на внешней стороне лицевой стеклянной пластины собранного и наполненного рабочей смесью газов газоразрядной индикаторной панели формируют трафаретной печатью слой диэлектрической композиции толщиной 4 мкм. Проводят его сушку при температуре 120÷130°С в течение 15÷20 минут. Затем проводят отверждение диэлектрической композиции ультрафиолетовыми лучами в течение 40÷45 минут.

Для формирования антибликового покрытия использовались диэлектрические композиции следующих составов.

Пример 1

Диэлектрическая композиция включает, вес.%:

оксид кремния3
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной97
и акриловой смол

Пример 2

Диэлектрическая композиция включает, вес.%:

оксид кремния2
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной98
и акриловой смол

Пример 3

Диэлектрическая композиция включает, вес.%:

оксид кремния5
фотоэкспонируемый диэлектрический материал
на основе эпоксидной95
и акриловой смол

Антибликовый эффект покрытий, сформированных из диэлектрических композиций, включающих оксид кремния и фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол при соотношении компонентов, представленных в примерах 1÷3, позволяет получить высокоэффективное снижение блика.

Пример 4

Диэлектрическая композиция включает, вес.%:

оксид кремния1,9
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной98,1
и акриловой смол

Антибликовое покрытие, полученное после отверждения, имеет блики, минимальное рассеяние отраженного света.

Пример 5

Диэлектрическая композиция включает, вес.%:

оксид кремния5,2
фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной94,8
и акриловой смол

Антибликовой покрытие, сформированное на основе данной композиции, имеет высокую степень шероховатости, что снижает яркость и четкость изображения, значительно ухудшает считываемость информации с ГИП.

Таким образом, предложенная группа изобретений позволяет получить механически прочное антибликовое покрытие с высокими оптическими и светотехническими характеристиками, при формировании которого исключены высокотемпературные режимы обработки.

1. Диэлектрическая композиция для антибликового покрытия, включающая оксид кремния, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Оксид кремния2÷5
Фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной
и акриловой смол95÷98

2. Способ формирования антибликового покрытия, заключающийся в нанесении на стеклоподложку слоя диэлектрической композиции, включающей оксид кремния, с последующей обработкой для закрепления слоя, отличающийся тем, что слой наносят толщиной 2-5 мкм из диэлектрической композиции, включающей оксид кремния и дополнительно содержащей фотоэкспонируемый диэлектрический материал на основе эпоксидной и акриловой смол при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Оксид кремния2÷5
Фотоэкспонируемый диэлектрический
материал на основе эпоксидной
и акриловой смол95÷98

и проводят экспонирование для закрепления слоя.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП). .
Шликер // 2196366
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), где шликер используется при их герметизации. .

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных индикаторных панелей постоянного и переменного тока.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве индикаторов, в том числе газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), выполненных методом толстопленочной технологии.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении газоразрядных индикаторных панелей (ГИП). .

Изобретение относится к производству материалов на основе фенолоформальдегидных смол, предназначенных для изготовления плат для печатных схем. .

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к диэлектрическим пастам, применяемым в толстопленочной технологии при формировании на подложке элементов с сосредоточенными и (или) распределенными параметрами, межэлементных и межкомпонентных соединений и контактных площадок.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве индикаторов. .

Изобретение относится к области обработки поверхности керамических материалов лазерным излучением для получения наноструктурных аморфизированных пленок, преимущественно из ситалла

Изобретение относится к области декорирования стеклоизделий. Способ декорирования стеклоизделий включает операции накладывания трафарета из медной или алюминиевой фольги на стеклоизделие, установку стеклоизделия на вращающуюся турнетку, подачу стеклопорошка в плазменную горелку, плазменное напыление стеклопорошка, снятие трафарета и контроль качества. Вращение турнетки производится с частотой 10-15 с-1, плазменное напыление стеклопорошков с зерновым составом 60-400 мкм осуществляется при мощности работы плазмотрона 25-30 кВт. Технический результат – ускорение процесса нанесения декоративного покрытия на стеклоизделие за счет отсутствия операции предварительного подогрева стеклоизделий и в повышении прочности сцепления декоративного покрытия с поверхностью стеклоизделия. 3 табл.
Изобретение относится к способу изготовления прозрачной рассеивающей подложки органического светоизлучающего диода (ОСИД), содержащему следующие последовательные этапы: (a) шлифование одной поверхности или обеих поверхностей плоской светопропускающей стеклянной подложки толщиной 0,1-5 мм абразивной суспензией для получения плоской стеклянной подложки по меньшей мере с одной шероховатой поверхностью, имеющей профиль шероховатости со среднеарифметическим отклонением Ra 0,1-2,0 мкм, предпочтительно 0,15-1,5 мкм, (b) покрытие шероховатой поверхности или одной из шероховатых поверхностей стеклоприпоем с высоким показателем преломления, обладающим показателем преломления предпочтительно 1,7-2,2, (c) нагрев покрытой подложки до температуры выше температуры плавления стеклоприпоя с высоким показателем преломления и ниже температуры размягчения нижележащей подложки для образования эмали с высоким показателем преломления на одной из шероховатых поверхностей. Количество стеклоприпоя является достаточным для полного покрытия профиля шероховатости шероховатой поверхности после расплавления упомянутого припоя. Технический результат изобретения – обеспечение более пологого профиля шероховатости поверхности подложки с возможностью изготовления подложки в ходе одного этапа как с внутренним, так и с внешним светоизвлечением, упрощение обработки светорассеивающих подложек. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл.

Изобретение относится к глазурованию листовых стекол. Техническим результатом является ускорение процесса глазурования листовых стекол. Способ глазурования листовых стекол включает в себя подачу стеклопорошка в плазменную горелку, подогрев изделий отходящими плазмообразующими газами, напыление стеклопорошка на лицевую поверхность изделий и контроль качества. При этом осуществляется двухсторонний подогрев листового стекла отходящими плазмообразующими газами при одновременном напылении стеклопорошка. Мощность работы плазмотрона 9 кВт. Расход порошка глазури 2,5-2,75 г/с. Скорость прохождения плазменной горелки по поверхности листового стекла составляет 0,20 м/с. 4 табл., 1 пр.
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве газоразрядных индикаторных панелей (ГИП)
Наверх