Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом. Техническим результатом изобретения является создание многослойной тонкопленочной МР наноструктуры, имеющей различные поля перемагничивания входящих в нее магнитных слоев, обладающей высокой воспроизводимостью магнитных параметров и расширенными функциональными возможностями. В многослойной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуре, содержащей первый защитный слой, на котором расположена первая магнитомягкая пленка, разделительный немагнитный слой поверх первой магнитомягкой пленки, на котором расположены вторая магнитомягкая пленка, и второй защитный слой, между второй магнитомягкой пленкой и вторым защитным слоем расположен слой карбида кремния, а разделительный немагнитный слой имеет толщину, достаточную для устранения обменного взаимодействия между магнитомягкими пленками. 3 ил.

 

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным (МР) эффектом. Одним из основных требований, предъявляемых к подобным наноструктурам, является достижение максимального различия в полях перемагничивания магнитных пленок, входящих в состав этих наноструктур. Это требование определяет работоспособность наноэлементов на базе подобных наноструктур.

Известны многослойные тонкопленочные МР наноструктуры, в которых каждая магнитная пленка перемагничивается в различающемся от других магнитном поле, причем это различие обеспечивается различием в составе пленок, например, FeNi и Со пленки. Недостатком подобных наноструктур является невысокая величина гигантского МР эффекта в микроэлементах на их основе и недостаточное различие в полях перемагничивания магнитных пленок.

Наибольшее распространение получили наноструктуры с двумя одинаковыми по составу, магнитомягкими пленками и с прилегающим к одной из них антиферромагнитным, например FeMn или IrMn, слоем. Благодаря обменному взаимодействию между прилегающими друг к другу магнитомягкой пленкой и антиферромагнитным слоем происходит увеличение поля перемагничивания магнитомягкой пленки за счет сдвига ее петли гистерезиса на величину поля фиксации. Это означает, что многослойная тонкопленочная МР наноструктура становится магнитоанизотропной, т.е. в отсутствие внешнего магнитного поля фиксированная магнитомягкая пленка всегда намагничена в одном направлении. Более того, после прекращения действия магнитного поля, перемагнитившего эту магнитомягкую пленку, она возвращается в исходное состояние, Это важно для понимания работоспособности микро- и наноэлементов, использующих такие наноструктуры. Микро- и наноэлементы на базе таких наноструктур обладают максимальной величиной гигантского МР эффекта. К их недостаткам относится сложность обеспечения повторяемости полей перемагничивания наноструктуры.

Задачей, поставленной и решаемой настоящим изобретением, является создание многослойной тонкопленочной МР наноструктуры, имеющей различные поля перемагничивания входящих в нее магнитных слоев, обладающей высокой воспроизводимостью магнитных параметров и расширенными функциональными возможностями.

Указанный технический результат достигается тем, что в многослойнойтонкопленочной магниторезистивной наноструктуре, содержащей первый защитный слой, на котором расположена первая магнитомягкая пленка, разделительный немагнитный слой поверх первой магнитомягкой пленки, на котором расположены вторая магнитомягкая пленка, и второй защитный слой, между второй магнитомягкой пленкой и вторым защитным слоем расположен слой карбида кремния, а разделительный немагнитный слой имеет толщину, достаточную для устранения обменного взаимодействия между магнитомягкими пленками.

Сущность предлагаемого технического решения заключается в том, что при создании в многослойной тонкопленочной МР наноструктуре полупроводникового слоя карбида кремния, расположенного над верхней магнитомягкой пленкой, между этими двумя слоями возникает обменное взаимодействие. Это взаимодействие приводит к фиксации векторов намагниченности соседней со слоем карбида кремния магнитомягкой пленки, в результате чего перемагничивание магнитомягких пленок происходит раздельно. Для увеличения влияния обменного взаимодействия между магнитомягкой пленкой и полупроводниковым слоем необходимо устранить обменное взаимодействие между двумя магнитомягкими пленками наноструктуры. Это достигается использованием толщины разделительного немагнитного слоя, расположенного между магнитными пленками, достаточной для устранения обменного взаимодействия между магнитными пленками. Особенностью обменного взаимодействия, возникающего между магнитомягкой пленкой и полупроводниковым слоем карбида кремния, является то, что оно проявляется только при воздействии на наноструктуру внешнего магнитного поля и зависит от его величины. Таким образом, появляется функциональная возможность для создания новых микро- и наноэлементов, принцип действия которых учитывает, что различие в полях перемагничивания магнитомягких пленок существует только при воздействии на них внешнего магнитного поля.

Изобретение поясняется чертежами: на фиг.1 представлена многослойная тонкопленочная МР наноструктура в разрезе; на фиг.2 приведены осциллограммы сигналов перемагничивания в переменном магнитном поле (дифференциальная восприимчивость) FeNi-Ti-FeNi-SiC наноструктур с: a) dTi=1,5 нм; b) dTi=2,5 нм; c) dTi=5 нм; на фиг.3 представлены осциллограммы сигналов считывания FeNi-Ti-FeNi-SiC наноструктур (показана область поля одной полярности) с dTi=5 нм для: a) Н=8 Э; b) Н=12 Э; c)Н=20 Э.

Многослойная тонкопленочная МР наноструктура с различающимися полями перемагничивания магнитомягких пленок содержит два защитных слоя 1, 2 (фиг.1), между которыми сформированы две магнитомягкие пленки 3, 4 с разделяющим их немагнитным слоем 5. Между верхней магнитомягкой пленкой 4 и верхним защитным слоем 2 расположен полупроводниковый слой карбида кремния 6.

Работа многослойной тонкопленочной МР наноструктуры с различными полями перемагничивания магнитомягких пленок 3, 4 происходит следующим образом. Рассмотрим вначале, как на перемагничивание наноструктуры при постоянных толщинах магнитомягких пленок 3, 4 влияет толщина разделительного немагнитного слоя 5. На фиг.2 представлены сигналы перемагничивания FeNi(2 нм)-Ti(d)-FeNi(2 нм)-SiC(2,1 нм) наноструктур при действии на них внешнего переменного магнитного поля Н, где толщина немагнитного разделительного слоя титана 5 dTi=1,5; 2,5 и 5,0 нм. Можно видеть (фиг.2а), что при dTi=1,5 нм обменное взаимодействие между магнитомягкими (пермаллоевыми) пленками 3, 4 превышает взаимодействие между слоем полупроводникового SiC слоя 6 и прилегающей к нему пермаллоевой пленкой 4, и обе пермаллоевые пленки 3, 4 наноструктуры перемагничиваются как единое целое. С ростом толщины разделительного титанового слоя 5 (dTi=2,5 нм) происходит ослабление обменного взаимодействия между пермаллоевыми пленками 3, 4. При этом начинает сказываться взаимодействие между пермаллоевой пленкой 4 и полупроводниковым SiC слоем 6, что приводит к разделению на два сигнала перемагничивания (фиг.2b). Это означает, что магнитомягкие пленки 3, 4 начинают перемагничиваться раздельно - у них различные значения коэрцитивной силы Нc. При дальнейшем росте толщины разделительного немагнитного слоя титана 5 (dTi=5,0 нм) обменное взаимодействие между магнитомягкими пленками 3, 4 практически исчезает, в полную силу проявляется обменное взаимодействие между магнитомягкой пленкой и полупроводниковым SiC слоем 6, и сигналы перемагничивания двух магнитомягких пленок полностью разделяются с сохранением тех же тенденций в изменении Нc этих пермаллоевых пленок. Раздельное перемагничивание магнитомягких пленок 3, 4 говорит о том, что коэрцитивная сила (поле перемагничивания) одной из магнитомягких пленок уменьшилась, а другой - увеличилась, что можно связать с проявлением магнитного взаимодействия между слоем магнитомягкой пленки 4 и немагнитным полупроводниковым SiC слоем 6. При этом для наноструктур с разделительным немагнитным слоем 5 из титана его минимальная толщина составляет 5 нм. При использовании немагнитного разделительного слоя 5 из диэлектрика Al2О3, как показали экспериментальные исследования, минимальная толщина такого разделительного слоя составляет 2 нм. То есть подтверждается известная теоретическая и экспериментальная экспонентциальная зависимость падения величины обменного взаимодействия между магнитными пленками с ростом толщины разделительного немагнитного слоя между ними.

Нами установлено, что величина магнитного взаимодействия между магнитомягкой пленкой 4 и полупроводниковым SiC слоем 6 зависит не только от толщины слоя полупроводника, но и от величины внешнего перемагничивающего поля. Для наноструктур с максимальной dTi (5,0 нм), при которой отсутствует обменное взаимодействие между магнитомягкими пленками 3, 4, перемагничивание происходит следующим образом. С увеличением амплитуды Н появляется одиночный сигнал перемагничивания с положением пика 2,7 Э (фиг.3a). Это говорит о совместном перемагничивании обеих магнитомягких пленок 3, 4, несмотря на отсутствие обменного взаимодействия между этими пленками и какого-либо влияния полупроводникового SiC слоя 6 на магнитные параметры магнитомягких пленок 3, 4. Отметим, что совместное перемагничивание магнитомягких пленок 3, 4 происходит благодаря наличию размагничивающих магнитных полей на краях этих пленок. По мере увеличения амплитуды перемагничивающего поля происходит уменьшение амплитуды этого сигнала, а по обеим сторонам от него появляются и нарастают два других сигнала с положением пиков 1,6 и 3,5 Э (фиг.3b). Появление двух дополнительных сигналов свидетельствует о начале раздельного перемагничивания магнитомягких пленок 3, 4 из-за возрастающего воздействия на магнитомягкую пленку 4 прилегающего к ней полупроводникового SiC слоя 6. При дальнейшем увеличении амплитуды внешнего магнитного поля Н начальный сигнал исчезает (фиг.3c), и магнитомягкие пленки 3, 4 перемагничиваются независимо, что свидетельствует о сильном магнитном взаимодействии между немагнитным полупроводниковым SiC слоем 6 и магнитомягкой FeNi пленкой 4. Постепенный характер изменения сигналов перемагничивания наноструктуры объясняется неоднородностью ее свойств по площади.

Приведенные результаты показывают, что между магнитомягкой FeNi пленкой 4 и полупроводниковым SiC слоем 6 существует обменное взаимодействие, зависящее от величины внешнего магнитного поля. Можно дать предположительное объяснение наблюдаемой полевой зависимости процессов перемагничивания, состоящее в том, что благодаря взаимной диффузии слоев полупроводника и магнитомягкой пленки образуется тонкий, порядка одного-двух атомных слоев, интерфейс с намагниченностью, возрастающей при увеличении амплитуды перемагничивающего переменного поля.

Таким образом, предложенной тонкопленочной многослойной МР наноструктуре при воздействии на нее внешнего магнитного поля происходит раздельное перемагничивание магнитомягких пленок 3, 4, причем величина поля перемагничивания магнитомягкой FeNi пленки 4, контактирующей с полупроводниковым SiC слоем 6, зависит от его амплитуды. Такое поведение тонкопленочной многослойной МР наноструктуры позволяет создавать наноэлементы с новыми принципами работы, в первую очередь логические и запоминающие МР наноэлементы.

Многослойная тонкопленочная магниторезистивная наноструктура, содержащая первый защитный слой, на котором расположена первая магнитомягкая пленка, разделенный немагнитный слой поверх первой магнитомягкой пленки, на котором расположены вторая магнитомягкая пленка, и второй защитный слой, отличающаяся тем, что между второй магнитомягкой пленкой и вторым защитным слоем расположен слой карбида кремния, а разделительный немагнитный слой имеет толщину, достаточную для устранения обменного взаимодействия между магнитомягкими пленками.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. .

Изобретение относится к элементам автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. .

Изобретение относится к области элементов автоматики и вычислительной техники, в частности к магнитным тонкопленочным запоминающим и переключаемым элементам. .

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. .

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к магнитным запоминающим устройствам с произвольной выборкой информации. .

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для считывания цилиндрических магнитных доменов. .

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/. .

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). .

Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к запоминаюпщм устройствам, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах.

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано как внешний и внутренний носитель информации со считывающим устройством

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, магнитных запоминающих и логических элементах, спиновых транзисторах на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности при записи в запоминающее устройство. Способ записи в запоминающее устройство, содержащее множество ячеек магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), причем каждая ячейка MRAM, которая должна быть записана в процессе записи с использованием технологии (TAS) термического переключения, включает магнитный туннельный переход (MTJ), имеющий сопротивление, которое может быть изменено во время процесса записи, когда MTJ нагревают до высокой пороговой температуры, и выбранный транзистор, электрически присоединенный к MTJ; множество числовых и разрядных шин, соединяющих ячейки MRAM вдоль строки и столбца соответственно; в котором подают напряжение разрядной шины на одну из разрядных шин и напряжение числовой шины на одну из числовых шин для прохождения нагревающего тока через MTJ выбранной ячейки MRAM; когда MTJ достигает высокой пороговой температуры, изменяют сопротивление MTJ; и охлаждают MTJ для замораживания записанного значения упомянутого сопротивления; упомянутое напряжение числовой шины является напряжением перегрузки числовой шины, которое выше, чем базовое рабочее напряжение питания ячейки MRAM, так что нагревающий ток имеет величину, достаточно большую для нагрева MTJ до заданной высокой пороговой температуры. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потерь тепла в магнитном туннельном переходе. Магнитный элемент, записываемый с использованием операции записи с термическим переключением, содержит магнитный туннельный переход, образованный туннельным барьером, расположенным между первым и вторым магнитными слоями, причем второй магнитный слой имеет вторую намагниченность, направление которой может быть настроено при операции записи при нагреве магнитного туннельного перехода до высокой пороговой температуры; верхнюю линию тока, соединенную с верхним концом магнитного туннельного перехода; и участок пластины, проходящий латерально и соединенный с нижним концом магнитного туннельного перехода; при этом магнитный элемент дополнительно содержит нижний термический изолирующий слой, проходящий параллельно участку пластины и расположенный таким образом, что участок пластины находится между магнитным туннельным переходом и нижним термическим изолирующим слоем. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил.

Настоящее изобретение предлагает магнитный элемент (1) памяти, пригодный для операции записи с термическим переключением, содержащий линию (4) тока в электрическом сообщении с одним концом магнитного туннельного перехода (2), где магнитный туннельный переход (2) содержит: первый ферромагнитный слой (21), имеющий фиксированную намагниченность; второй ферромагнитный слой (23), имеющий намагниченность, которая может быть свободно выстроена при заданном высоком температурном пороге; и туннельный барьер (22), обеспеченный между первым и вторым ферромагнитными слоями (21, 23); где линия (4) тока приспособлена для пропускания нагревающего тока (31) сквозь магнитный туннельный переход (2) во время операции записи; где упомянутый магнитный туннельный переход (2) дополнительно содержит, по меньшей мере, один нагревающий элемент (25, 26), приспособленный генерировать тепло, когда нагревающий ток (31) проходит сквозь магнитный туннельный переход (2); и термический барьер (30) последовательно с упомянутым, по меньшей мере, одним нагревающим элементом (25, 26), где упомянутый термический барьер (30) приспособлен ограничивать тепло, генерируемое упомянутым, по меньшей мере, одним нагревающим элементом (25, 26) в пределах магнитного туннельного перехода (2). 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти. Магниторезистивная ячейка памяти содержит перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, а также средства записи и считывания, при этом дополнительно содержит закрепляющий слой из полупроводникового материала p- или n-типа проводимости, следующий за ним слой из полупроводникового материала противоположного ему типа проводимости, образующие p-n-переход, содержит адресную и разрядную шины, расположенные с двух сторон перечисленных выше слоев ячейки памяти, средства формирования токов записи в адресной и разрядной шинах, средства считывания в виде средства измерения электрического сопротивления ячейки памяти, а также средства задания полярности и величины относительного электрического смещения между адресной и разрядной шинами. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области электроники, а именно к способу записи и считывания более чем двух битов данных для ячейки магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM). Ячейка MRAM содержит магнитный туннельный переход, образованный из магнитного слоя считывания, имеющего намагниченность считывания, и запоминающий слой, содержащий первый запоминающий ферромагнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания, второй запоминающий ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания. Способ включает нагрев магнитного туннельного перехода выше высокотемпературного порога, ориентацию первой намагниченности запоминания под углом относительно второй намагниченности запоминания для достижения магнитным туннельным переходом уровня состояния сопротивления, определяемого ориентацией первой намагниченности запоминания относительно ориентации намагниченности считывания, и охлаждение магнитного туннельного перехода. Способ позволяет сохранять по меньшей мере четыре различных уровня состояния в ячейке MRAM, используя только одну линию тока для создания поля записи. 14 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в понижении потребления электроэнергии и улучшении рассеивания переключающего поля. Ячейка магнитной памяти с произвольным доступом (MRAM) содержит туннельный магнитный переход, содержащий первый ферромагнитный слой, второй ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность, которая может быть ориентирована относительно оси анизотропии второго ферромагнитного слоя при предварительно определенном высокотемпературном пороге, и туннельный барьер между первым и вторым ферромагнитным слоем; первую линию передачи тока, продолжающуюся вдоль первого направления и находящуюся в связи с магнитным туннельным переходом; причем первая линия передачи тока выполнена с возможностью обеспечения магнитного поля для ориентирования второй намагниченности при переносе тока поля; при этом ячейка MRAM сконфигурирована относительно первой линии передачи тока так, что при обеспечении магнитного поля по меньшей мере одна составляющая магнитного поля перпендикулярна упомянутой оси анизотропии; второй ферромагнитный слой имеет асимметричную форму вдоль по меньшей мере одного из своего размера, так что вторая намагниченность содержит рисунок С-образного состояния. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Группа изобретений относится к запоминающим устройствам. Технический результат – сокращение времени записи/считывания. Для этого согласно одному варианту осуществления запоминающее устройство на основе изменения сопротивления включает в себя ячейку запоминающего устройства, считывающий усилитель и глобальную битовую линию. Ячейка запоминающего устройства располагается в местоположении, в котором локальная битовая линия и линия слова пересекают друг друга. Ячейка запоминающего устройства подключается как к локальной битовой линии, так и к линии слова. Считывающий усилитель считывает данные, сохраненные в ячейке запоминающего устройства, посредством подачи тока считывания в ячейку запоминающего устройства. Глобальная битовая линия подключается между локальной битовой линией и считывающим усилителем. Глобальная битовая линия подает ток считывания, поданный посредством считывающего усилителя, в локальную битовую линию. Считывающий усилитель заряжает глобальную битовую линию до того, как локальная битовая линия и глобальная битовая линия подключаются между собой. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках и спиновых транзисторах на основе многослойных тонкопленочных наноструктур с анизотропным или гигантским магниторезистивным эффектом

Наверх